flash memory: 2 domande

lash impiegata potrebbe superare per alcune celle i cicli di write/erase ga rantiti dalla specifica;

urarsi che il valore scritto sia effettivamente quello che si voleva scrive re?

to valore, subito dopo il valore letto è ok ma nel giro di poco (mesi) si corrompa?

Quest'ultima possibilita'. Sembrerebbe che le celle della memoria, essendo piccoli condensatori, perdano l'isolamento e si scarichino piu' o meno velocemente.

hio concreto al punto da scomodare un crc?

e accidentalmente le procedure di self-write/erase

Questo non te lo so dire, ne ho sentite tante di storie di campi em che cancellano memorie. Secondo me e' possibile che un forte campo em venga rettificato dai diodi interni al chip tanto da alimentarlo e indurre disturbi che casualmente potrebbero attivare cicli di scrittura. Ma parliamo di intensita' di campo che potrebbero anche bruciare il chip. Invece escluderei che un campo em possa agire direttamente sulle celle di memoria e alterarle senza danneggiarle, cosa invece possibile con radiazioni ionizzanti e particelle.

Il 19/11/2012 23:32, ice ha scritto:

impiegata potrebbe superare per alcune celle i cicli di write/erase garantiti dalla specifica;

Hai già previsto un algoritmo di livellamento in modo da non utilizzare sempre le stesse celle? Anche solo utilizzando due sezioni raddoppi la vita utile.

che il valore scritto sia effettivamente quello che si voleva scrivere?

Il write-read-check lo farei a prescindere, ma solo per essere sicuro che ciò che hai scritto (o che la cella non sia "guasta").

Marco

Un bel giorno ice digitò:

Si tratta sempre di dati desunti da analisi statistiche, non è che se resti dentro al numero di scritture garantite il dato resterà scritto per 10 anni, mentre se scrivi una volta in più resterà per qualche mese. :)

Piuttosto stai attento che molti costruttori dichiarano il dato della ritenzione a 25 gradi anziché alla temperatura massima di funzionamento, e considerando che il tempo si dimezza ogni 10 gradi (gli elettroni "scappano" prevalentemente per colpa dell'agitazione termica) non è una differenza da poco...

Ricordo di avere letto un articolo in merito tempo fa. Forti campi elettrici (intendo *almeno* centinaia di V/m, o più probabilmente migliaia) possono aumentare in maniera apprezzabile la probabilità statistica che gli elettroni acquistino un'energia sufficiente per scappare dal gate per effetto tunnel. Però credo che sia una questione più accademica che altro, se consideri che in condizioni normali i campi elettrici restano al disotto della "soglia di attenzione" di 6 V/m e difficilmente vanno oltre a qualche decina... poi è chiaro che se la tua flash deve lavorare per anni sotto a un elettrodotto a 1 MV magari un po' di letteratura in più me la leggerei. :)

Il giorno martedì 20 novembre 2012 18:06:29 UTC+1, Marco Trapanese ha scr itto:

si, il wear-levelling è già in conto

-ice-

Il giorno Mon, 19 Nov 2012 14:32:39 -0800 (PST), ice ha scritto:

impiegata potrebbe superare per alcune celle i cicli di write/erase garantiti dalla specifica;

che il valore scritto sia effettivamente quello che si voleva scrivere?

valore, subito dopo il valore letto è ok ma nel giro di poco (mesi) si corrompa?

La cella potrebbe sembrare correttamente scritta ma dopo un po' di tempo perdere il dato, meglio usare più celle per ridurre la riscrittura delle stesse.

concreto al punto da scomodare un crc?

accidentalmente le procedure di self-write/erase

Campi e/m cos' intensi da alterare una flash danneggerebbero parecchie altre cose in giro.

Credo siano molto più pericolosi i raggi cosmici e le radiazioni ionizzanti. Per cancellare le EPROM in fondo si usano raggi UV.

Quindi attenzione se il prodotto va in alta montagna.

Una particolare attenzione anche alla temperatura di lavoro, perchè l'energia cinetica favorisce la perdita della carica.

Poco tempo fa ho riparato una scheda con una 27C16 che si era sprogrammata, l'etichetta era del 1984. Ho cancellato e riprogrammato anche l'altra avvertendo che probabilmente non sarebbero durate altri 28 anni.

C'è da dire che le celle delle prime eprom erano più grandi, visibili ad occhio nudo, non so se le flash di adesso così piccole sono altrettanto performanti, chi vivrà vedrà.

Il giorno mercoledì 21 novembre 2012 14:13:27 UTC+1, SB ha scritto:

il case plastico non basta?

performanti,

:) grazie anche a te per il contributo

Il giorno Thu, 29 Nov 2012 03:08:45 -0800 (PST), ice ha scritto:

Per attenuare i raggi cosmici occorre almeno uno strato di piombo o chilometri di atmosfera.

Altrimenti non avrebbero fatto un laboratorio sotto il Gran Sasso.