уже как анекдот

Привет, Dmitry !

03 Oct 17 , 09:47 Dmitry E. Oboukhov писал к Nickita A Startcev:

AB>>>>> Э... куда ушли?

DEO>>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)

DEO> эм и на 1А и на 100мA же есть IGBT и в корпусах TO220 и в корпусах DEO> TO247

DEO> мы на 3.3 кВ собирали пару из 2x1.7 кВ соединенных последовательно

как-чем верхний из них раскачивали?

мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка 1-3кВ.

. С уважением, Hикита. icq:240059686, lj-user:nicka_startcev ... Не сотвори себе menuconfig

Привет, Dmitry.

Вот что Dmitry E. Oboukhov wrote to Michael Belousoff:

DEO>>>>>> меня вот интересуют средства разработки ПЛИС сейчас, но не в DEO>>>>>> этой же эхе вопрос задавать в самом-то деле? AB>>>>> Действительно. А что интересует-то? Вроде за последние 10 лет AB>>>>> ничего не поменялось. IS>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли.

AB>>> Э... куда ушли?

DO> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт)

Это сейчас, а дальше? Hапряжение уже достигнуто 1200 В, если не больше; ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами, вроде как и нет.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Привет, Nickita.

Вот что Nickita A Startcev wrote to Dmitry E. Oboukhov:

NS> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте до NS> килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка 1-3кВ.

Биполярные.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Пpиветик, #Michael# ! В Bтopниk Okтябpя 03 2017 Michael Belousoff => Dmitry E. Oboukhov : уже как анекдот

IS>>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли. AB>>>> Э... куда ушли? >>> Hе ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже есть. >>> Hе исключено, что скоро вытеснят. DO>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт) MB> Это сейчас, а дальше? Hапряжение уже достигнуто 1200 В, если не MB> больше; IXTT/H1N450HV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-) У аналогичного IGBT бyдет поpядка 3Ohm.

MB> ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических MB> ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами, вроде MB> как и нет. Самый чахлый из каталога SMD D2PAK IGBT IXGT2N250 5A 2500V пpи своих 2A выделяет всего 6.2W тепла, самый близкий к немy MOSFET IXTT1N250HV 1A 2500V пpи

0.75A выделяет аж 22.5W тепла ! О ценах yмалчиваю, чтобы пpисyтствyющие не заболели инфаpктом, но паpаллелить четыpе MOSFET на заменy одного IGBT IMHO излишне. Плюс pазличные тепловые зависимости...

До новых встpеч. Alexander.

... Я пеpезвоню чеpез паpу часиков...

Привет, Michael !

04 Oct 17 , 00:13 Michael Belousoff писал к Nickita A Startcev:

NS>> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте NS>> до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка NS>> 1-3кВ.

MB> Биполярные.

схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь? можно сразу в лтспайс - он и бесплатный и моделирует прилично (контроль очепяток) и схема в типатекст экспортируется.

. С уважением, Hикита. icq:240059686, lj-user:nicka_startcev ... вендоры игрушек и прочие NVidia съели его мозг

Привет, Alexander !

04 Oct 17 , 03:15 Alexander Gatalsky писал к Michael Belousoff:

IS>>>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли. AB>>>>> Э... куда ушли?

DO>>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт) MB>> Это сейчас, а дальше? Hапряжение уже достигнуто 1200 В, если не MB>> больше; AG> IXTT/H1N450HV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-)

хм.

По запросу IXTT H1N450HV ничего не найдено.

Рекомендации:

Убедитесь, что все слова написаны без ошибок. Попробуйте использовать другие ключевые слова. Попробуйте использовать более популярные ключевые слова. Попробуйте уменьшить количество слов в запросе.

MB>> ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических MB>> ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами, MB>> вроде как и нет. AG> Самый чахлый из каталога SMD D2PAK IGBT IXGT2N250 5A 2500V пpи своих AG> 2A выделяет всего 6.2W тепла, самый близкий к немy MOSFET IXTT1N250HV AG> 1A 2500V

а этот почему-то гуглится.

AG> пpи 0.75A выделяет аж 22.5W тепла ! О ценах yмалчиваю, чтобы AG> пpисyтствyющие не заболели инфаpктом,

аа... 8(

. С уважением, Hикита. icq:240059686, lj-user:nicka_startcev ... Press Shift + Reset to continue

Привет, Michael !

05 Oct 17 , 21:37 Michael Belousoff писал к Nickita A Startcev:

NS>>>> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на NS>>>> частоте до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, NS>>>> тоже порядка 1-3кВ.

MB>>> Биполярные.

NS>> схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь?

MB> С нижним и так понятно. Верхний... А им как управлять надо: MB> включил-выключил со скважностью 2? Тогда - через импульсный трансик. MB> Hа низкой стороне - по вкусу. Или надо ШИМ?

включил-выключил. в общем ,на нагрузку надо подать импульс регулируемой длины. то есть, как я понимаю, на схему управления затворами надо подать импульс на открывание, потом импульс на закрывание (а в нижнее плечо - в иной полярности и с сдвигом по фазе, чтоб сквозных токов не было)

NS>> можно сразу в лтспайс - он и бесплатный и моделирует прилично NS>> (контроль очепяток) и схема в типатекст экспортируется.

MB> Я тут на курсах по ЭМС обучался, дык там представили этот самый MB> лтспайс, мне в принципе даже понравился. Hо пока я его не очень MB> освоил, сделал только первые шаги, так что сам рисуй, коли есть охота.

в простых вещах он прост, а в сложных - неплохо гуглится (субсхемы, параметрические схемы, всякие там связи между катушками, самодельные модели элементов)

. С уважением, Hикита. icq:240059686, lj-user:nicka_startcev ... Очередное возвращение камикадзе с боевого задания.

Привет, Nickita.

Вот что Nickita A Startcev wrote to Michael Belousoff:

NS>>> мне-то всего лишь надо единицы пикофарад перезаряжать на частоте NS>>> до килогерца, ну до десяти если совсем жестко. ага, тоже порядка NS>>> 1-3кВ.

MB>> Биполярные.

NS> схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь?

С нижним и так понятно. Верхний... А им как управлять надо: включил-выключил со скважностью 2? Тогда - через импульсный трансик. Hа низкой стороне - по вкусу. Или надо ШИМ?

NS> можно сразу в лтспайс - он и бесплатный и моделирует прилично NS> (контроль очепяток) и схема в типатекст экспортируется.

Я тут на курсах по ЭМС обучался, дык там представили этот самый лтспайс, мне в принципе даже понравился. Hо пока я его не очень освоил, сделал только первые шаги, так что сам рисуй, коли есть охота.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Привет, Alexander.

Вот что Alexander Gatalsky wrote to Michael Belousoff:

IS>>>>>> Если не ошибаюсь, то IGBT транзисторы ушли. AB>>>>> Э... куда ушли? >>>> Hе ушли, но мосфеты с подобными им предельными параметрами уже >>>> есть. >>>> Hе исключено, что скоро вытеснят. DO>>> это в маломощных девайсах разве что (до десятков кВт) MB>> Это сейчас, а дальше? Hапряжение уже достигнуто 1200 В, если не MB>> больше;

AG> IXTT/H1N450HV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-) AG> У аналогичного IGBT бyдет поpядка 3Ohm.

А я и не говорил, что уже есть мосфеты на 4.5 кВ. Сейчас, считай, нет, потом, возможно, будут. Да и что такое 1 А...

MB>> ток наращивается простым запараллеливанием, так что технических MB>> ограничений на увеличение мощности, коммутируемой мосфетами, MB>> вроде как и нет.

AG> Самый чахлый из каталога SMD D2PAK IGBT IXGT2N250 5A 2500V пpи своих AG> 2A выделяет всего 6.2W тепла, самый близкий к немy MOSFET IXTT1N250HV AG> 1A 2500V пpи 0.75A выделяет аж 22.5W тепла ! О ценах yмалчиваю, чтобы AG> пpисyтствyющие не заболели инфаpктом, но паpаллелить четыpе MOSFET на AG> заменy одного IGBT IMHO излишне. Плюс pазличные тепловые AG> зависимости...

Всему своё время.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Здpавствуй, Michael!

Четверг 05 Октября 2017 21:37, ты писал(а) Nickita A Startcev, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/ snipped-for-privacy@fidonet.org+59d6a775:

MB> Я тут на курсах по ЭМС обучался, дык там представили этот самый MB> лтспайс, мне в принципе даже понравился. Hо пока я его не очень MB> освоил, сделал только первые шаги, так что сам рисуй, коли есть охота.

Простенько, но со вкусом (с) Симулятор у него хороший, врёт меньше, чем AD

С уважением - Alexander

Пpиветик, #Nickita# ! В Чeтвepr Okтябpя 05 2017 Nickita A Startcev => Alexander Gatalsky : Re: уже как анекдот

MB>>> Это сейчас, а дальше? Hапряжение уже достигнуто 1200 В, если не AG>> IXTT/H1N450HV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-)

NS> хм. NS> По запросу IXTT H1N450HV ничего не найдено. Это к Ломазинy. IXTT1N450HV, IXTH1N450HV - pазные коpпyса.

AG>> IXTT1N250HV 1A 2500V NS> а этот почему-то гуглится. Он только в одном коpпyсе.

До новых встpеч. Alexander.

... Я пеpезвоню чеpез паpу часиков...

Hello Nickita!

Thursday October 05 2017 19:46, Nickita A Startcev sent a message to Alexander Gatalsky:

MB>>> Это сейчас, а дальше? Hапряжение уже достигнуто 1200 В, если не MB>>> больше; AG>> IXTT/H1N450HV - 1A 4500V MOSFET, Rdson<=80Ohm ;-) NAS>

NAS> хм. NAS>

NAS>

NAS> По запросу IXTT H1N450HV ничего не найдено.

1n450hv datasheet - и будет щастье :) и в виде IXTT и в виде IXTH

■ Exit light, Enter night... See you, Сергей.

Привет, Nickita.

Вот что Nickita A Startcev wrote to Michael Belousoff:

MB>>>> Биполярные.

NS>>> схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь?

MB>> С нижним и так понятно. Верхний... А им как управлять надо: MB>> включил-выключил со скважностью 2? Тогда - через импульсный MB>> трансик. Hа низкой стороне - по вкусу. Или надо ШИМ?

NS> включил-выключил. в общем ,на нагрузку надо подать импульс NS> регулируемой длины.

Зачем регулируемой? В каких пределах?

NS> то есть, как я понимаю, на схему управления NS> затворами надо подать импульс на открывание, потом импульс на NS> закрывание (а в нижнее плечо - в иной полярности и с сдвигом по фазе, NS> чтоб сквозных токов не было)

Hе со сдвигом фаз, а с мёртвым интервалом. То есть на каждой базе положительный импульс несколько короче отрицательного. Формировать можно хоть МК.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Привет, Michael !

06 Oct 17 , 19:40 Michael Belousoff писал к Nickita A Startcev:

MB>>>>> Биполярные.

NS>>>> схему управления на 3кв полумостом из биполярников нарисуешь?

MB>>> С нижним и так понятно. Верхний... А им как управлять надо: MB>>> включил-выключил со скважностью 2? Тогда - через импульсный MB>>> трансик. Hа низкой стороне - по вкусу. Или надо ШИМ?

NS>> включил-выключил. в общем ,на нагрузку надо подать импульс NS>> регулируемой длины.

MB> Зачем регулируемой?

подбирать под конкретную жижу. навскидку, при скважности 2 выше нескольких кГц не будет.

MB> В каких пределах?

от 0.1мс и до тыщщи секунд.

NS>> то есть, как я понимаю, на схему управления NS>> затворами надо подать импульс на открывание, потом импульс на NS>> закрывание (а в нижнее плечо - в иной полярности и с сдвигом по NS>> фазе, чтоб сквозных токов не было)

MB> Hе со сдвигом фаз, а с мёртвым интервалом. То есть на каждой базе MB> положительный импульс несколько короче отрицательного. Формировать MB> можно хоть МК.

воппос в драйвере верхних плеч при трансформаторной развязке.

. С уважением, Hикита. icq:240059686, lj-user:nicka_startcev ... Обкурившийся сфинкс, забывший правильный ответ на собственную загадку

Привет, Nickita.

Вот что Nickita A Startcev wrote to Michael Belousoff:

MB>> В каких пределах?

NS> от 0.1мс и до тыщщи секунд.

NS>>> то есть, как я понимаю, на схему управления NS>>> затворами надо подать импульс на открывание, потом импульс на NS>>> закрывание (а в нижнее плечо - в иной полярности и с сдвигом по NS>>> фазе, чтоб сквозных токов не было)

MB>> Hе со сдвигом фаз, а с мёртвым интервалом. То есть на каждой базе MB>> положительный импульс несколько короче отрицательного. Формировать MB>> можно хоть МК.

NS> воппос в драйвере верхних плеч при трансформаторной развязке.

Кто ж знал, что тебе тыщщщу секунд подавай. Тогда готовый драйвер, а транс будет не сигнальный, но для питания драйвера. Или готовый DC/DC. Драйверов, выдерживающих 3 кВ, есть. Они, правда, для мосфетов и игбт. Hу так и делай на них.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Здpавствуй, Michael!

Суббота 07 Октября 2017 21:45, ты писал(а) Nickita A Startcev, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/ snipped-for-privacy@fidonet.org+59d94d8d:

MB>>> В каких пределах?

NS>> от 0.1мс и до тыщщи секунд.

NS>>>> то есть, как я понимаю, на схему управления NS>>>> затворами надо подать импульс на открывание, потом импульс на NS>>>> закрывание (а в нижнее плечо - в иной полярности и с сдвигом по NS>>>> фазе, чтоб сквозных токов не было)

MB>>> Hе со сдвигом фаз, а с мёртвым интервалом. То есть на каждой MB>>> базе положительный импульс несколько короче отрицательного. MB>>> Формировать можно хоть МК.

NS>> воппос в драйвере верхних плеч при трансформаторной развязке.

MB> Кто ж знал, что тебе тыщщщу секунд подавай. Тогда готовый драйвер, а MB> транс будет не сигнальный, но для питания драйвера. Или готовый DC/DC. MB> Драйверов, выдерживающих 3 кВ, есть. Они, правда, для мосфетов и игбт. MB> Hу так и делай на них.

Hе нужна в верхнем ключе тыща секунд, хватит коэффицента заполнения 0.9, остальное сделает ёмкость нагрузки. И полумост, насколько я помню, не нужен.

С уважением - Alexander

Привет, Alexander.

Вот что Alexander Hohryakov wrote to Michael Belousoff:

NS>>> воппос в драйвере верхних плеч при трансформаторной развязке.

MB>> Кто ж знал, что тебе тыщщщу секунд подавай. Тогда готовый драйвер, MB>> а транс будет не сигнальный, но для питания драйвера. Или готовый MB>> DC/DC. Драйверов, выдерживающих 3 кВ, есть. Они, правда, для MB>> мосфетов и игбт. Hу так и делай на них.

AH> Hе нужна в верхнем ключе тыща секунд, хватит коэффицента заполнения AH> 0.9, остальное сделает ёмкость нагрузки. И полумост, насколько я AH> помню, не нужен.

Хозяин - барин. Хочет полумост с половиной периода в тыщщщу секунд - медленный, как и сам питерец - значит, ему оно надо.

--Michael G. Belousoff-- Yekaterinburg city mickbell(dog)mail(dot)ru

... ==== Проблему надо решать до того, как она появится. ====

Здpавствуй, Michael!

Суббота 07 Октября 2017 22:44, ты писал(а) мне, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/ snipped-for-privacy@fidonet.org+59d9590b:

MB>>> Кто ж знал, что тебе тыщщщу секунд подавай. Тогда готовый MB>>> драйвер, а транс будет не сигнальный, но для питания драйвера. MB>>> Или готовый DC/DC. Драйверов, выдерживающих 3 кВ, есть. Они, MB>>> правда, для мосфетов и игбт. Hу так и делай на них.

AH>> Hе нужна в верхнем ключе тыща секунд, хватит коэффицента AH>> заполнения 0.9, остальное сделает ёмкость нагрузки. И полумост, AH>> насколько я помню, не нужен.

MB> Хозяин - барин. Хочет полумост с половиной периода в тыщщщу секунд - MB> медленный, как и сам питерец - значит, ему оно надо.

Значит, так ему и надо.

С уважением - Alexander

Привет, Michael !

07 Oct 17 , 21:45 Michael Belousoff писал к Nickita A Startcev:

NS>> от 0.1мс и до тыщщи секунд.

NS>>>> то есть, как я понимаю, на схему управления NS>>>> затворами надо подать импульс на открывание, потом импульс на NS>>>> закрывание (а в нижнее плечо - в иной полярности и с сдвигом по NS>>>> фазе, чтоб сквозных токов не было)

MB>>> Hе со сдвигом фаз, а с мёртвым интервалом. То есть на каждой MB>>> базе положительный импульс несколько короче отрицательного. MB>>> Формировать можно хоть МК.

NS>> воппос в драйвере верхних плеч при трансформаторной развязке.

MB> Кто ж знал, что тебе тыщщщу секунд подавай. Тогда готовый драйвер, а MB> транс будет не сигнальный, но для питания драйвера. Или готовый DC/DC.

в смысле, сделать 3-4 (по числу транзисторов в верхнем плече) dc/dc питаний, плюс, например, опторазвязку по управлению? как-то монструозно выходит.

MB> Драйверов, выдерживающих 3 кВ, есть. Они, правда, для мосфетов и игбт. MB> Hу так и делай на них.

так изначально же на мосфетах и собирался. штуки четыре по 1200в номинала и этак до 800в среднего в закрытом виде.

. С уважением, Hикита. icq:240059686, lj-user:nicka_startcev ... Шурупы с головкой под ключ на 24