Trznzystor przełączający małej mocy

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" snipped-for-privacy@pik-net.pl napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@pik-net.pl...

Witam Mój ulubiony 2N2369 się nie nada bo ma za małę IC max ;( Ale może stare dobre BSX59 ok 100ns t off przy iB 50mA.

Pozdrawiam Łukasz

[...]

Nawet 60 ns :-) Ale porównałem dane dotyczące pasma i pojemności - i sądząc tylko po tym, dochodzę do wniosku, że jednak BC807 powinien starczyć a nawet ze Szczotką będzie tańszy niż BSX59. Na dokładkę mam ich spory zapas. W najbardziej krytycznym momencie, czy przy 'gaszeniu' MOSFETa i tak pracuje w zakresie mniej więcej liniowym, na dokładkę razem z MOSFETem i wtórnikiem w układzie dodatniego sprzężenia zwrotnego (galwanicznego, nie przez trafo) - wyrobi się. Obawiałem się czasów wyłączenia rzędu 500 ns - to mi chyba jednak nie grozi :-)

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" snipped-for-privacy@pik-net.pl napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@pik-net.pl...

Wydaje mi się że porównywanie parametrów małosygnałowych przy pracy jako klucz będzie miało mały efekt praktyczny (trzeba by zmierzyć te tranziaki). Jeśłi producent nie podaje wartości pewnie czasy wyłączania będą koszmarnie duże, mimo wysokiego ft.(chyba dobrze piszę ?) BSX jest ZTCW domieszkowany złotem i ma bardzo dobre własności przystosowane do pracy jako klucz nasycony. Z ciekawością poczytam o efektach pomiarów tych tranziaków BC.

Pozdrawiam Łukasz

Dlatego zrezygnuję z nasycania - nie jest konieczne - i tak liczy się tylko odprowadzenie ładunku z bramki MOSFETa.

Podam wyniki pracy układu (czasy narastania/opadania) - a jak mi ktoś pożyczy oscyloskop dwukanałowy, to uzyskane opóźnienia.

a moze uzyc ICL7667? Podwojny sterownik MOSFETOW, obudowa 8pin, z obciazeniem 1nF czasy narastania/opadania rzedu 20ns, kosztuje ok. 5 PLN.

Tyle, że 1 nF przy 10V to zaledwie 10 nC - a mowa o ładunku o ponad rząd wielkosci większym. Ale zaraz PDFa obejrzę.

Obejrzałem - parametry czasowe i prądowe ma zgodnie z tymi, które ja założyłem, ale: - jest drogi, - nie mam go, - potrzebuję pojedynczego wyjścia tylko, - potrzebuję regulacji Ugs i automagicznego zabezpieczenia MOSFETa przed przeciążeniem, co zapewnia mi mój układ.

Oczywiście serdeczne dzięki za dobre chęci :-)

A podali jakas czestotliwosc graniczna ? Nie bez powodu ;-)

Przeciez sam polecales te z allegro po 100szt :-) A druga metoda byla prosta - kondensator rownolegle do opornika bazowego. Zeby te 50mA plynelo przez 200ns ..

J.

Podali - nienajgorszą - 200 MHz.

Szczotki? I nadal polecam - ale to są do montażu przewlekanego - rozmiary płytki rosną.

To jest oczywiste.

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" snipped-for-privacy@pik-net.pl napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@pik-net.pl...

Co to jest duża pojemność ? Klasyczne rozwiązanie jest nie dobre ?

1A/2V/150ns to C=75nF Jaki katalogowy czas wyłączania ma ten MOSFET ? Bo tego czasu nie da się skrócić .

Dla 75nF i 150ns ja bym użył BC556 z opornikiem baza kolektor 100 Om (prąd bazy 0,1A), spodziewając się czasu narastania napięcia drenu 100ns (IRF3415

10%/90% 0/100V)

Dlatego dziwię się, ze Twoje tranzystory są niedobre Może masz je za daleko od bramki? Może powolność narastania napięcia drenu nie wynika ze złego sterowania, a braku (zbyt małego) prądu drenu do wyłączenia ?

Wiem.

Nie ma problemu z czasem narastania - 'gaszenie' MOSFETa odbywa się przy w miarę liniowej pracy tranzystora sterującego i faktycznie wystarczy duży prąd sterujący, żeby sprawnie 'zgasić'. Chodzi o włączanie MOSFETa.

Nie zrozumiałeś problemu. Często się zdarza, że tranzystory o pozornie dobrym parametrach bardzo wolno wychodzą ze stanu nasycenia. I co z tego, że walnę mu prądem -0.1A w bramkę, skoro on i tak sobie 'poczeka'. Jestem na etapie projektu a nie wykonania i chcę uniknąć błędnego wyboru tranzystora sterującego. Ale myślę, że problem sam sobie stworzyłem - po prostu nie pozwolę na wejście tranzystora sterującego w głębokie nasycenie i z głowy.

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" snipped-for-privacy@pik-net.pl napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@pik-net.pl...

To gdzie źle przeczytałem ? Włączanie i wyłaczanie "klasyczne" jest takie same ( półmostek). Prąd ogranicza szeregowy opornik w bramce MOSFETa

Zdecydowanie!

Często się zdarza, że tranzystory o pozornie

Zapewne MOSFET dobrze obciążony to 10V napięcia dren źródło, a w każdym razie więcej niż wolt :-)

MOSFET to nie bipolarny. Zrób eksperyment. Prąd reguluj testową rezystancja szeregową.Nie daj jej ani za małej ani za dużej , bo MOSFET szlag trafi.

Trochę MOSFETów wytłukłem, ale problemów ze stromościami załączania ani wyłączania nie miałem. Ja co prawda poruszam się wśród dużych prądów bramek (zawsze więcej niż 1A). "Drobnicą" się mało przejmuję.

O masz! Mowa o nasycaniu tranzystora sterującego...

:-)

Tfu! Z tego wszystkiego sam się zapętliłem. Nie w bramkę tylka w bazę

- chodzi o bipolarny sterujący.

Patrz wyżej.

Dawno zrobione :-) Radzę sobie bez rezystancji szeregowej.

Nie chodzi o stromość - to jest problem banalny. Chodzi o opóźnienie wyjścia ze stanu nasycenia bipolarnego tranzystora sterującego. To ma być 'wzorcowy' układ sterujący, wprowadzający małe opóźnienia. Chodzi o uniezależnienie (w miarę możliwości) wyników pomiarów od parametrów układu sterującego - stąd duże prądy i rozpatrywania stanów nasycenia tranzystorów bipolarnych.

A jak sterujesz?

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" snipped-for-privacy@pik-net.pl napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@pik-net.pl...

Uważam, ze główny problem z MOSFETem, to efekt Millera - liniowego zakresu napięcia bramki 4....6V nie da zbyt szybko pokonać. Nasycenie bym zaniedbał, ale spece od PSPICE może mają inny pogląd

To się pokonuje dużym prądem bramki. Tak samo pokonuje sie Millera prądem bazy w bipolarnych.

Nie używam PSPICE. Natomiast pamiętam, że taki BC211 z nasycenia wygrzebywał się przez ponad 0.5 us mając dobre inne parametry... W zakresie liniowym pracował nawet szybko a nasycenie doprowadzało go do głupawki :-( Obciążenie indukcyjne ładnie 'wyciąga' tranzystor z nasycenia - ale tutaj mamy obciążenie pojemnościowe (bramka MOSFETa), które jeszcze utrudnia życie.

Myślę, że ciągnięcie wątku nie ma sensu - rozwiązanie problemu jest dość proste - nie pozwolić wejść tranzystorowi w głębokie nasycenie (Szczotka pomiędzy bazę a kolektor).

Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" snipped-for-privacy@pik-net.pl napisał w wiadomości news: snipped-for-privacy@pik-net.pl...

"Klasycznie". Jeśli MOSFET słaby to któryś z dedykowanych scalaków "driverów" Ale dla grupy równoległej 40xIRF3415 już "ulubiony półmostek dyskretny" IRF9510/IRF510 zasilany z 15V rozwiązuje problem. Tam zaczyna być problem oscylacji napięcia sterującego na indukcyjnościach doprowadzeń- 1 omowe oporniki w bramkach są pożądane, a i dioda zwrotna się przydaje:-)

Ja wyczuwam, ze ty masz nasycony tranzystor zwierający bramkę ze źródłem ? Jeśli tak to ja bym go jednak forsował, dając mu w bazie duży opornik z równoległym kondensatorem , a przede wszystkim opornik między jego kolektorem, a +zasilania jest potrzebny - problemu nasycenia nie będzie dla częstotliwości akustycznych.

Ale 0,5us opóźnienia wyjścia z nasycenia BC211 to stanowczo za dużo jak na mój gust, chyba, że prąd bazy 0,1A, a prąd kolektora 1uA:-)

Będę musiał sprawdzić te oscylacje... Ale nie mam tak dobrego oscyloskopu :-(

Dokładnie.

Oczywiste.

Nie lubię generować strat - tam jest coś lepszego :-)

Chodzi o 'ciut' wyższe częstotliwości - rzędu setek kHz...

To wtedy nie byłoby nasycenie tylko prosty efekt Millera :-)

Wyjscie z nasycenia jest istotnym problemem ... ale chyba nie tu :-)

Bo faktrycznie - ile opozni wlaczenie mosfeta to malo istotne, wazne ze do tych ~1V mosfet jest ciagle zamkniety, a potem tranzystor wyszedl. Tylko glupio tak troche przeciazac gorny tranzystor sterujacy. Ale kondensator w bazie tu chyba wystarczy.

J.

Tu też - chcę potestować MOSFETy na kilkuset kHz...

Jest istotne - rośnie czas martwy.

Nawet więcej niż 1V.

Zgadza się.

Nie ma problemu - są układy, które nie przeciążają... I własnie będę to sprawdzał :-)

Ile razy jeszcze to zobaczę? Jest kondensator. I trzy rezystory.