pamięci podtrzymywane CR2032

W dniu 2012-04-14 16:51, identifikator: 20040501 pisze:

W dawnych czasach już, z powodzeniem. Typowe równoległe 6216/64/256. Trzymały chyba do 2V, prąd pomijalny.

no właśnie jak tak przeglądam PDFy to wszystkie typowe mają zasilanie

4,5-5,5V... przydał by się konkretny model.

Użytkownik "identifikator: 20040501" snipped-for-privacy@go2.pl napisał w wiadomości news:jmc3op$44u$ snipped-for-privacy@node2.news.atman.pl...

Nie rozśmieszaj mnie, obecnie łatwiej pamięć SRAM na 3V3 znaleźć i taniej, niż na 5V0. Szczególnie te w okolicy 512K i większe.

musi być w DIPie, do tego dobrze by było jakby była dostępna, a nie 2 sztuki w magazynie...

W dniu 2012-04-14 17:06, identifikator: 20040501 pisze:

5V to było napięcie pracy, po odcięciu układu od szyny można było zejść do 2V. Chyba każdy SRAM to umożliwiał. Ostatni raz realizowałem to w CA80 :)

Użytkownik "identifikator: 20040501" snipped-for-privacy@go2.pl napisał w wiadomości news:jmc4p6$57u$ snipped-for-privacy@node2.news.atman.pl...

Tzn. że wg Ciebie 2 szt., to znaczy że nie jest dostępna?

DIP to powoli historia się robi... Ot choćby ATMEL - chcesz DIP-a to pozostaniesz na etapie ATMEGI 8, ATMEGI32, no ewentualnie ATMEGA644. Wszelkie nowości wychodzą już w wersji TQFP i BGA, np. ostatnio ATMEL wypuścił ATMEGE1284 zgodna wyprowadzeniowo z 16/32, ma 16K SRAM na pokładzie, cena porównywalna z ATMEGA32, tylko w DIP-ie nikt jej nie widział. Trzeba się przemóc i zacząć samemu płytki robić to i problemu z SMD nie będziesz miał. A ze scalakami na

3V# to już w ogóle w wersji DIP/DIL krucho jest.

znalazłem coś takiego w PDFie: "Data retention supply voltage as low as 2.0V." co to oznacza?

Użytkownik "identifikator: 20040501" snipped-for-privacy@go2.pl napisał w wiadomości news:jmc6of$7aa$ snipped-for-privacy@node2.news.atman.pl...

Słownika nie masz? Wklepujesz "retention" i sprawa się staje oczywista. Chodzi właśnie o to o co chodzi tobie. Wartość napięcia do którego podtrzymywana jest zawartość pamięci.

Użytkownik "identifikator: 20040501" snipped-for-privacy@go2.pl napisał w wiadomości news:jmc6of$7aa$ snipped-for-privacy@node2.news.atman.pl...

wujek Google tłumaczy jako: Przechowywanie danych napięcie tak niskie, jak 2.0V.

no to trudniejsze, jak zrobić pomiar napięcia baterii?

czy zastosowanie takiego tranzystora

dobry pomysł? jaki on może mieć prąd bramki? i co się będzie dzaiało gdy D i S połączymy z masą? na G do bateri?

co oznacza UDS w zakresie +/-30V? że mogę sobie zamienić D i S w polaryzacji i też będzie mi tranzystor działał?

nie rozumiem jak pracuje tranzystor mos fet w układzie separatora... w npn napięcie na E jest zawsze mniejsze o te 0,6 niż na bazie, a jak jest w fetach?

W dniu 2012-04-14 20:27, identifikator: 20040501 pisze:

Tak. JFET to struktura symetryczna. Nazwy D i S są tu tylko po to, aby ładnie wyglądało w karcie katalogowej.

Pozdrawiam, Paweł

W błąd Waść nie wprowadzaj - tylko część JFETów jest symetryczna tzn. można całkiem bezkarnie zamieniać źródło i dren bez zmian w charakterystyce przewodzenia tranzystora. W pozostałych przypadkach działać po zamianie tranzystor pewnie też będzie, ale już nie koniecznie będzie trzymać parametry katalogowe. O ile się dobrze orientuję to asymetrię w niektórych przyrządach wprowadza się przez nierównomierne domieszkowanie kanału w celu skompensowania nierównomiernego rozkładu ładunku w kanale przy przyłożonym napięciu Vds.

Pozdr Portal

Dnia Sat, 14 Apr 2012 22:38:21 +0200, Paweł Pawłowicz napisał(a):

Jestes pewien ze naprawde symetryczna w rzeczywistosci, a nie tylko w ksiazkach na obrazkach ?

J.

W dniu 2012-04-15 10:00, J.F. pisze:

Tak. Sprawdzałem. Mówimy o BF245.

Pozdrawiam, Paweł

Nie spotkałem się z takim tranzystorem. Mógłbyś podać przykład?

Pozdrawiam, Paweł

Konkretnego modelu nie podam, bo prawdę mówiąc w zamiany źródło-dren bawiłem się tylko ze standardowym BF245, a on jest zdaje się właśnie symetryczny. Info odnośnie tego że część JFETów jest asymetryczna pamiętam jeszcze z wykładów z półprzewodników na PW, a obecnie można bez trudu znaleźć w googlu wstukując "JFET symmetrical" czy coś podobnego - dostaniesz np:

"If the channel has a uniform concentration of impurities and the gate is placed in the middle of the channel, the FET is said to by symmetrical. In this case, the source and drain are interchangeable, which can be useful in some applications. However, many FETs are deliberately constructed to be unsymmetrical, to enhance certain parameters and behaviors. In these FET types, performance will be impaired if source and drain are interchanged."

Ogólnie producenci w datasheetach piszą albo że konkretny FET jest symetryczny, albo nie piszą nic i wtedy nie wiadomo - w tych przypadkach bezpieczniej jednak stosować dren i źródło zgodnie z oznaczeniem producenta i nie zamieniać. Nawet są oddzielne symbole dla FETów synmetrycznych i asymetrycznych patrz np.

, ale niestety w stosowaniu ich panuje pełna dowolność tzn. w schematach ludzie wrzucają zazwyczaj co się nawinie pod rękę.

Pozdr Portal