[CMOS] Pojemnosc podbramkowa

Witam. Realizuje w scalaku kondensator za pomoca pojemnosci podbramkowej tranzystora NMOS. Wiem, ze stabilna pojemnosc takiego ustrojstwa uzyskam dopiero powyzej jakichs 1-1,2V (zalezy od tranzystora). i teraz moje pytanie: czy jest to spowodowane wylacznie tym, ze ponizej tego napiecia kanal nie jest jeszcze w pelni utworzony czy jest tam jakis inny efekt ktory ma na to wplyw?

Zdravim

Reply to
Cyrk
Loading thread data ...

chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?

otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora, ale chyba nie na jego pojemnosc

Reply to
Greg(G.Kasprowicz

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.