pnp in Oszillatoren

Mahlzeit allerseits,

ich habe versucht, in der Literatur Oszillatorschaltungen mit einem pnp-Transistor zu finden- aber erfolglos. Wer hat welche und warum werden pnp-Transistoren nur selten verwendet?

Grüsse

Robert

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R.Freitag
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R.Freitag schrieb:

Tach Robert!

Betriebsspannung und etwaige Elkos umpolen und einfach einen PNP- statt NPN-Transistor nehmen. Wo ist das Problem?

Julien

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Julien Thomas

Habe ich das falsch in Erinnerung oder sind PNP's nicht einfach langsamer und teurer als NPN's? Vor allem bei höheren Frequenzen/grösseren Stückzahlen dürfte das eine Rolle spielen.

Gruss und "en Guete", Edi

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Eduard Iten

Ich habe mal gelesen dass man pnp rauschärmer bauen kann als npn. Ist da was dran?

Georg

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Georg Seegerer

Und ich hörte mal, daß sich im Phasenrauschen von Oszillatoren mit PNP-Transistoren die Stimmen von Verstorbenen besser bemerkbar machen als in gleichartigen Schaltungen mit NPN-Transistoren?

Was ist eigentlich jetzt besser: PNP oder NPN?

Was für Fragen! Du meine Güte!

dbH

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Lieber schlage ich mich als Lebenskünstler durch, als mich wirtschaftlich
abgesichert mit Selbstmordgedanken zu tragen, und letzteres trifft
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Holger Bruns

"Rafael Deliano" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@t-online.de...

So isses. Frühe Transistoren wurden per Legierung hergestellt. Dabei wurde ein n-Kristall von beiden Seiten mit Al kontaktiert und dabei soweit aufgescholzen, dass eine Al-Ge-Schmelze entstand. So hatte man p-Dotierung und Metallisierung in einem Schritt. In der Mitte blieb eine n-Basis stehen.

Gruß, Patrick

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Patrick Schalberger

Nicht Al. In.

HB

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Holger Bruns

"Holger Bruns" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@news.cis.dfn.de...

wurde

p-Dotierung

stehen.

Wirklich? Gibt's da nen Grund für? Ich muß zugeben, daß ich das Al aus men Si-Prozess habe. Mit reiner Ge-Technologie hatte ich noch nie was zu tun.

Gruß, Patrick

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Patrick Schalberger

Heinz Saathoff schrieb:

Hat aber damit nichts zu tun, das liegt am geringeren Bandabstand.

Zunächst mal wird das Si selbstleitend weil durch die hohe Temperatur genügend Elektronen ins Leitungsband angehoben werden. Als Folge kann dann die Verlustleistung weiter ansteigen und entweder legiert der Transistor dann durch oder die Bondingdrähte schmelzen weg. Den schleichenden Defekt gibts auch, die MTBF sinkt mit steigender Sperrschichttemperatur exponentiell.

Gruß Dieter

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Dieter Wiedmann

So isses. Schmelzen tut da noch nix, beim Löten der Bauteile werden ja kurzzeitig auch höhere Temperaturen benutzt. Das erste was schmilzt, dürfte Gold-Bonddrähte sein, keine Ahnung über die exakte Temperatur, aber ich hatte mal russische Transistoren (KT331, wenn ich mich recht entsinne), die kamen als Chip mit Goldbonddrähten und einer einfachen Tauchschicht über dem Chip, also richtig Miniatur. ;-) Die Golddrähte legierten in PbSn bei normaler Löttempertur ratz-batz weg.

Danach dürfte dann irgendwann die Verkappung weich werden, so daß u. U. durch thermische Spannung ein Bonddraht abreißen kann (bei Polymer-Verkappung, Kermik hält bißchen länger ;-).

Erst dann käme irgendwann Al-Bonddraht. Keine Ahnung, womit heutzutage vorzugsweise gebondet wird, ob Al oder Au.

Bei Al-Leiterbahnen kommt es zur Whiskerbildung, Al dehnt sich stärker thermisch aus als Si, so daß da ,,Buckel'' aus den Leitbahnen wachsen. Diese können zu Kurzschlüssen führen

Aber der schleichende Defekt ist sicher der kritische, zumal er auch erstmal unbemerkt bleibt, aber infolge Materialwanderung sich der Chip daran ,,erinnert'', d. h. ein Ausfall u. U. erst viel später erfolgt.

--
J"org Wunsch					       Unix support engineer
joerg_wunsch@interface-systems.de        http://www.interface-systems.de/~j/
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Joerg Wunsch

Joerg Wunsch schrieb...

Thermische Spannungen, gerade bei Materialien mit unterschiedlicherm=20 Ausdehnungskoeffizient, m=FCsste doch generel ein Problem darstellen,=20 gerade auch bei Leistungshalbleitern, wo der Chup zwecks K=FChlung auf=20 einer Al oder Cu Platte geklebt wird. Es mu=DF ja sichergestellt werden,=20 da=DF bei vielen Temperaturzyklen die Verbindung nicht aufrei=DFt, ws dann= =20 wg. fehlendem thermischen Kontakt noch eher zum Tod des Chips f=FChren=20 w=FCrde. =20

Oder auch schleichende Verschlechterung der Eigenschaften. Mit der=20 Lichtausbeute von 7-Segmentanzeigen habe ich das schon gesehen.

- Heinz

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Heinz Saathoff

Dieter Wiedmann schrieb...

Das mit der steigenden Verlustleistung infolge Selbstleitung kenn ich=20 von Bipolartransistoren. Bei MOSFETs gibts aber den gegenteiligen=20 Effekt, obwohl der Stromflu=DF auch in Silizium stattfindet.=20 Wenn die MTBF mit der Temperatur so stark sinkt, mu=DF doch auch was im=20 Chip chemisch/physikalisch passieren.=20 Ich kann bei einem unserer Pr=FCfst=E4nde z.B. eine schleichende=20 Verschlechterung der Lichtausbeute der gro=DFen 7-Segmentanzeigen=20 beobachten. Im Ruhezustand wird immer 0 angezeigt. Wenn bei Messungen=20 der mittlere Balken mal aufleuchtet, ist der inzwischen deutlich heller=20 als die anderen Segmente. Die Anzeigen werden wohl schon einige tausend=20 Stunden auf dem Buckel haben. Also mu=DF sich hier im Halbleiter auch was= =20 ver=E4ndert haben.

- Heinz

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Heinz Saathoff

Vgl. auch HP-Application-Note AN1002: "Consideration of CTR Variations in Optocoupler Circuit Designs" Geht auf Abschätzung der Alterung der IR-LEDs ein die Kopplungsfaktor im Lauf der Zeit absinken läßt.

MfG JRD

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Rafael Deliano

Ja, der Klebstoff bzw. das Lot gleichen das auf der Die-Seite ganz gut aus. Auf der Chipoberfläche habe ich da schon Konstruktionen gesehen, bei denen erstmal ein weicher Polymer (gummiartig) benutzt wird und die feste Vergußmasse nur den Außenmantel bildet.

--
J"org Wunsch					       Unix support engineer
joerg_wunsch@interface-systems.de        http://www.interface-systems.de/~j/
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Joerg Wunsch

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