p-Kanal-MOSFET als Schalter

Moin,
ich will/muss mit einer µC-Steuerung (5V, Einsatz im Auto) einige an
Masse liegende Verbraucher (z.B. Magnetpumpe, Magnetventil)
ein-/ausschalten. Dafür wollte ich einen p-Kanal-MOSFET (z.B. IRF 9540)
nutzen. S hängt an der Versorgungsspannung (Batterie, 12-14V), D an den
o.a. Teilen.
Das Gate hängt zum einen über einen Widerstand an der
Versorgungsspannung, und zum anderen über einen vom µC gesteuerten
Transistor (+ Widerstand) an Masse. Also: Versorgungsspannung - R1 -
Abgriff Gate - R2 (
Reply to
Udo Zaydowicz
Loading thread data ...
0)=20
Wenn's auf den Preis nicht so ankommt nimm lieber einen integrierten Leistungsschalter wie z.B. den BTS409L1 (Gibt's auch als zweifachen, BTS621), da mu=DFt Du Dir =FCber das alles keine Gedanken machen. TTL- od= er CMOS-Pegel auf Eingang, Versorgungsspannung anlegen, fertig.
- Philip --=20 Das Gegenteil einer gro=DFen Wahrheit ist auch eine gro=DFe Wahrheit. (Nils Bohr)
Reply to
Philip Herzog
Moin,
das Teil wäre wirklich nicht schlecht. Preis ist nicht so wichtig, zumal dann ja einige Teile wegfallen könnten. Allerdings passen die Daten nicht ganz. Gerade die Pumpe zieht beim Einschalten bis zu 9A und liegt im Betrieb ziemlich dicht an der Strombegrenzung. Des weiteren ist der R(DS) halt deutlich höher als beim IRF, und viel Spannung darf wegen der Pumpe nicht abfallen. Gibt zudem dann wohl noch ein Kühlproblem. Gibt es den auch eine Nummer größer/besser?
Danke, zaydo
Philip Herzog schrieb:
Reply to
Udo Zaydowicz
Moin,
Udo Zaydowicz schrieb: [...]
Schon gefunden. Frage bitte streichen ;-)
zaydo
Reply to
Udo Zaydowicz
Geben tut's in der Ecke sehr viel, da die Teile gerne in der KFZ-Elektronik eingesetzt werden - die Frage ist nur was man davon in kleinen St=FCckzahlen zu vern=FCnftigen Preisen bekommt.
Such' mal auf reichelt.de nach "Leistungsschalter"...
- Philip --=20 Das Gegenteil einer gro=DFen Wahrheit ist auch eine gro=DFe Wahrheit. (Nils Bohr)
Reply to
Philip Herzog
Sieht doch gut aus, würde ich auch so machen. Dein MOSFET braucht vielleicht so 3-4V Vgs, gib ihm ein bisschen mehr, freut er sich und dankt es mit schön niedrigem Rds(on), wobei der natürlich bei P-Kanal nicht so berauschend ist. Aber wenn es im Limit liegt, ist der Mehraufwand für einen Spannungswandler zum Boosten für N-Kanal-MOSFETs wohl nicht drin. Mach R2 nicht zu klein (so dass Spannungsspitzen im Bordnetz, beim Schalten der Pumpen usw) Deine Z-Diode nicht zu sehr quälen und nicht zu gross, damit der MOSFET schnell einschaltet. Daher sollte wiederum R1 nicht zu gross werden, sonst verzögert sich das Ausschalten. Kühlen musst Du die FETs bei den angedeuteten 9A sowieso, dann ist das auch nicht so wild.
Nö wieso sollte es? Es fliesst einfach nur kein Strom. Aber vergiss bitte die Diode zwischen D und Masse nicht, schnell und nicht zu klein, wenn Deine Pumpen und Ventile abschalten gibt's sicher hässliche back-EMF. Für Narrensicher kannst Du auch (noch) eine Suppressordiode an den Ausgang setzen oder eine weitere Diode antiparallel zum MOSFET, aber so langsam wird's paranoid, so energiereiche Überspannungen am Ausgang, dass die Body-Diode des FETs in ernsthafter Gefahr wäre wird's wohl eher nicht geben, oder?
Reply to
Stefan Huebner
Moin,
Stefan Huebner schrieb: [...]
Das klingt gut.
[...]
Ich habe keine Ahnung, was das passieren könnte. Rein gefühlsmässig, was ja eigentlich nichts mit Elektronik zu tun hat, sieht das halt nicht so gut aus ;-)
[...]
Ja, definitiv. Ist aber schon vorgesehen.
Das verstehe ich nicht ganz. Wo konkret willst Du die TVS-Diode hinsetzen?
[...]
Lieber zuviel als zuwenig ;-)
Danke, zaydo
Reply to
Udo Zaydowicz
Die ist in den meisten MOSFETs schon drin -> Datenblatt
- Philip --=20 Das Gegenteil einer gro=DFen Wahrheit ist auch eine gro=DFe Wahrheit. (Nils Bohr)
Reply to
Philip Herzog
Philip Herzog schrieb:
man p-Kanal
Gruß Dieter
Reply to
Dieter Wiedmann
Nicht nur lesen, sondern mitdenken. Ob die zu erwartende Spannungsspitze gegen Masse oder Versorgungsspannung abgeleitet wird macht in der Praxis keinen Unterschied.
- Philip --=20 Das Gegenteil einer gro=DFen Wahrheit ist auch eine gro=DFe Wahrheit. (Nils Bohr)
Reply to
Philip Herzog
Philip Herzog schrieb:
Der Ball geht zurück.
s/Praxis/Theorie, man EMV.
Gruß Dieter
Reply to
Dieter Wiedmann
is
Nein, doch, nein, doch? Ohne Begr=FCndung h=E4ttest Du Dir die Antwort schenken k=F6nnen.
Die Spannungsspitze wird =FCber die (niederohmige) Quelle genausogut auf Masse abgef=FChrt wir direkt.
- Philip --=20 Das Gegenteil einer gro=DFen Wahrheit ist auch eine gro=DFe Wahrheit. (Nils Bohr)
Reply to
Philip Herzog
Philip Herzog schrieb:
man EMV.
Eben nicht. Denk mal über dI/dt auf der Versorgungsleitung nach.
Gruß Dieter
Reply to
Dieter Wiedmann
Begr=FCndung, nciht wiederholt wahlloses Stichwort..
Das ist beim Abschalten sowieso schon recht gro=DF, da spielt der induzierte Strom kaum noch eine Rolle.
- Philip --=20 Das Gegenteil einer gro=DFen Wahrheit ist auch eine gro=DFe Wahrheit. (Nils Bohr)
Reply to
Philip Herzog
Philip Herzog schrieb:
Also lernresistent.
Gruß Dieter
Reply to
Dieter Wiedmann
Wie kann ich grob abschätzen, ob die interne Diode für die Anwendung ausreichend ist? Oder ist die immer so dimensioniert, dass sie quasi unkaputtbar ist?
Viele Grüße Wolfgang
Reply to
Wolfgang Berger
Hallo,
"Wolfgang Berger" schrieb im Newsbeitrag news:434a89a2$ snipped-for-privacy@news.uni-ulm.de...
Das steht im Datenblatt unter invers diode direct current und invers diode forward voltage.
Gruß Ingo
Reply to
Ingo Liebe
Du? Offensichtlich.
- Philip --=20 Es ist immer schei=DFe, wenn jemand mehr Rechte hat als Du.
Reply to
Philip Herzog
Wolfgang Berger schrieb:
Wie schon gesagt, Datenblatt beachten und, wie Analog in seinen Schaltregler für KFZ Datenblättern es treffend beschreibt: If you connect to a vehicles power supply, you conntect to the supply from hell...
Also auf Spannungsspitzen von -70V bis +200V vorbereitet sein, wenn man dicht am Motor arbeitet. Allerdings sind die ganzen Zündsysteme heute sehr viel besser 'abgedichtet' als früher als sind Einschläge bis über 2kV nicht mehr zu erwarten.
Gruß,
Ulrich
Reply to
Ulrich Prinz
Was ist das denn wieder für ne Grabenschlacht gewesen? Ein ausformulierter Satz hätte die meisten Missverständnisse vielleicht mal beiliegen können. Normalerweise weiss ich Dieter's Postings ja zu schätzen, aber diese Anhäufung von Verweisen auf fiktive Manpages und Regulären Ausdrücken wirkt doch etwas sehr trotzig. Ich wollte mit meiner Diode darauf hinaus, dass ich nicht weiss, was Kunde an meinen Ausgang bastelt und wie genau er weiss, was er da tut. Daher hätte ich zunächst eine Suppressor-Diode zwischen Ausgang und Masse gesetzt, für den Fall, dass irgendeine energiereiche Quelle mit U>Ub am Ausgang auftaucht. Wenn die nicht wäre, würde in so einem Fall der Strom über die D-S-Diode des MOSFET fliessen, hab gerade mal ins Datenblatt vom IRF9640 geguckt, weil davon gerade einer hier rumlag, die Diode hält auch 11A Dauer und 44A Peak aus, sollte also reichen und eine zusätzliche Diode überflüssig machen. Aber Philip's Argument mit der niederohmigen Quelle klingt mir dann doch zu Lehrbuchhaft. Sicher kann man die Quelle für Wechselströme als Kurzschluss annehmen, aber bei der genannten Anwendung -meterlange Strippen, viele Steckverbinder und Sicherungen bis zur halbwegs niederohmigen Kfz-Batterie- passt Theorie und Praxis hier nun wirklich nicht zusammen. Das wiederum hat aber mit Diode oder nicht Diode nichts zu tun, wenn ein hohes dI/dt am Ausgang wird so oder so eine Überhöhung der Versorgungsspannung der Schaltung nach sich ziehen, weshalb die Suppressor-Diode vielleicht am Versorgungseingang der Schaltung am besten aufgehoben wäre, der Ausgang bekäme dann auch eine oder nur eine Freilaufdiode und ein bisschen Kapazität kann sicher auch nicht schaden, wenn Pumpen anlaufen und Magnetventile schalten sollen.
Stefan
Reply to
Stefan Huebner

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.