Netzteil Leistungsendstufe

hast Du eine Null vergessen und soll es 50A heissen? Ein Mosfet müsste die gleiche Verlustleistung aufnehmen, warum willst Du es nicht lassen wie es ist?

Gruss Peter

"R.Freitag" schrieb:

*Zwölf* pro Zweig?

Was versprichst du dir denn davon?

Gruß Dieter

Es sind insgesamt 12 Transistoren, jeweils 6 pro Zweig. Ich bin am überlegen, dieses Netzteil nachzubauen, und der Steuerteil scheint ok zu sein, aber ich will nicht unbedingt eine TZransistororgie feiern. 150 W sollten aber mit einem oder zwei Mosfets kontrollierbar sein.

Robert

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'Vom Standpunkt eines Beamtenrechtlers aus betrachtet ist der Tod die 
schärfstwirkenste aller bekannten, langfristig wirkenden Formen der 
vollständigen Dienstunfähigkeit.'
aus: Kommentar zum Beamtenrecht.

das hört sich schon angemessener an, mit entspechendem Kühlkörper würden auch 2-3 reichen

2N3055 sind gut als Linearregler geeignet und spottbillig. Der Mosfet lohnt sich IMHO nur wenn Du dass mit einem Schaltregler neu aufbaust, ist aber komplizierter

Gruss Peter

"R.Freitag" schrieb:

Trugschluss, natürlich gibts MOSFETs mit genügend geringem R(th)JC, aber die sind erheblich teurer als ein paar 2N3055. Unpraktisch an den 2N3055 ist das Gehäuse, aber man kann ja auch TIP3055 nehmen.

Gruß Dieter

"R.Freitag" schrieb im Newsbeitrag news:df76tn$hne$ snipped-for-privacy@newsreader3.netcologne.de...

Was soll das bringen ?

Du brauchst 10V mehr Spannung vom Treiber, damit die NMOSFETs durchsteuern (Uth statt Ube) oder bekommst 10V weniger aus dem Netzteil raus und hast

10V x Strom mehr Verluste wenn du keine getrennte Treiberversorgungsspannung bereitstellen willst.

Du brauchst Kuehlkoerper mit genau demselben thermischen Widerstand und genau so viele Transistoren, denn Rth ist bei solchen Verlustleistungsbratern der limitierende Faktor und bei TO3 eher besser als bei Plastikgehaeusen.

Mit weniger MOSFETs kommt man also auch nicht aus, vom SOA her haetten es sicher auch nur 2 parallele 2n3055 getan, bei denen die ordentlichen Stromverteilung viel einfacher zu erreichen ist (Emitterwiderstand mit 0.1V Verlust) als bei MOSFETs (Source-Widerstand muesste ueber

2V abfallen lassen), einzelne OpAmps zur Gate-Steuerung wie in der d.s.e FAQ beschrieben steigern den Aufwand.

Es gibt GUTE Schaltungen mit MOSFETs, aber eine bestehende mit Bipolren umzubauen verspricht wenig Erfolg.

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Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.

MaWin schrieb:

Das Metallgehäuse hat halt den Vorteil, dass die zulässige Sperrschichttemperatur 200 Grad beträgt, bei TO-3P sinds nur 150 Grad.

Gruß Dieter

| Das Metallgehäuse hat halt den Vorteil, dass die zulässige | Sperrschichttemperatur 200 Grad beträgt, bei TO-3P sinds nur 150 Grad. ... und die thermische Kontaktfläche ist bei TO3 auch deutlich größer als dei den anderen Gehäusen. Der 2N3055 ist und bleibt ein robustes Arbeitspferd.

MArtin

Martin Schönegg schrieb:

So besonders gut ist das Gehäuse nun auch nicht, selber nachlesen.

Gruß Dieter