Kleiner, bedrahteter Fototransistor

Es sei denn, die sind in ins Toepfchen gefuelltes Epoxydharz gedrueckt.

Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien.

Am Tue, 22 Nov 2016 10:10:48 -0800 schrieb Joerg:

Habe das damals mit einigen Exemplaren so praktiziert. Selbst mit

Taschenlampe direkt auf den Chip richten und der kleine Motor lief.

Dann mit durchsichtigem Kleber (Duosan) vergossen damit der Halbleiter keinen Schaden nimmt ;-)

Lutz

Stimmt, jetzt wo Du es sagst. Bei TO3 Transistoren konnte man den Deckel abflexen und darunter erschien der nackte Chip. Kleinere waren jedoch oft vergossen, zumindest die aus dem Westen. Daran wollte ich damals mein Schuelermikroskop ausprobieren, sehen wie Epitaxialtransistoren von ganz nah aussehen, wurde aber nichts.

Oder klaren Fugenkitt nehmen.

Joerg schrieb:

Vermutlich ist die Fertigung deutlich aufwendiger. Integration wie bei

Vergleich mit Si, mit quasi gedruckten Zonen und Metallisierung.

DoDi

Am 24.11.2016 um 04:25 schrieb Hans-Peter Diettrich:

stark diffundieren. Das macht vor allem die Inonenimplantation praktisch

Deshalb waren diese Legierungstransistoren auch so teuer.

Einfache Planartechnik geht auch mit Germanium.

Das lag grossenteils an den damaligen Fertigungsmethoden. Mesa-Transistoren wie AF139 und dessen Nachfolger wurden nicht mehr so gebaut.

Ein Problem bei Germanium-Halbleitern sind ein eingeschraenkterer Temperaturbereich und Leckstroeme. Die Oxydschicht ist in der Tat auch nicht ganz einfach, aber prozessmaessig machbar.

Joerg :

Wieso, Germanium wird doch aktuell in HF Chips eingesetzt, da kommt noch nicht mal GaAs ran!

M.

Am 24.11.2016 um 17:14 schrieb Matthias Weingart:

Das hat aber mit den ollen Germaniumtransistoren nichts zu tun.