Hallo, kann mir jemand weiterhelfen bei der Suche nach der exakten Formel für den Drainstrom in Spice. Ich benutze das Modell:
SPICE BSIM3 VERSION 3.1 PARAMETERS SPICE 3f5 Level 8, Star-HSPICE Level 49, VERSION = 3.1
Hierbei wollte ich den Strom durch einen MOSFET simulieren, jedoch kann ich die Simulation nicht mit den mir bekannten Formeln nachvollziehen. Speziell möchte ich auf das W/L verhältnis hinaus, um den FET für einen bestimmten Strom auszulegen. Der FET soll in der Sättigung betreiben werden, doch mir fehlt eine genaue Formel wie ich mit den Angaben meines MOS-Herstellers diesen Strom berechnen kann. Für etwaige Hilfe wäre ich sehr dankbar.
Anlage:
SPICE Modell eines NMOS:
.MODEL CMOSN NMOS ( LEVEL = 49
+VERSION = 3.1 TNOM = 27 TOX = 3.17E-8 +XJ = 3E-7 NCH = 7.5E16 VTH0 = 0.5411966 +K1 = 0.9888895 K2 = -0.088491 K3 = 2.2821274 +K3B = -1.9600226 W0 = 1.154047E-6 NLX = 1E-8 +DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0 +DVT0 = 0.7888622 DVT1 = 0.2484332 DVT2 =-0.1893183
+U0 = 635.6213774 UA = 1.192582E-9 UB = 2.249227E-18 +UC = 2.216389E-11 VSAT = 1.107551E5 A0 = 0.5996649 +AGS = 0.1185576 B0 = 2.231643E-6 B1 = 5E-6 +KETA = -4.554948E-3 A1 = 0 A2 = 1 +RDSW = 3E3 PRWG = -0.0210556 PRWB =-0.0348979
+WR = 1 WINT = 7.575466E-7 LINT = 2.290759E-7 +XL = 0 XW = 0 DWG =-1.647646E-8
+DWB = 2.857465E-8 VOFF = -2.080034E-3 NFACTOR = 0.6581796 +CIT = 0 CDSC = 0 CDSCD = 0 +CDSCB = 1.256029E-5 ETA0 = -0.9280471 ETAB =-0.4586256
+DSUB = 0.928588 PCLM = 1.2825948 PDIBLC1 = 9.148022E-3 +PDIBLC2 = 2.045422E-3 PDIBLCB = -0.1 DROUT = 0.0628104 +PSCBE1 = 2.177406E9 PSCBE2 = 5E-10 PVAG = 0.1940505 +DELTA = 0.01 RSH = 54.5 MOBMOD = 1 +PRT = 0 UTE = -1.5 KT1 = -0.11 +KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E-9 +UB1 = -7.61E-18 UC1 = -5.6E-11 AT = 3.3E4 +WL = 0 WLN = 1 WW = 0 +WWN = 1 WWL = 0 LL = 0 +LLN = 1 LW = 0 LWN = 1 +LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5 +CGDO = 1.66E-10 CGSO = 1.66E-10 CGBO = 1E-9 +CJ = 2.801621E-4 PB = 0.99 MJ = 0.5414186 +CJSW = 1.254856E-10 PBSW = 0.99 MJSW = 0.1 +CJSWG = 6.4E-11 PBSWG = 0.99 MJSWG = 0.1 +CF = 0 )