På side 3 er der en stykliste hvor der står beskrevet at det er 1206 størrelse modstande og kondensatore der skal bruges på loddesiden af printet, på side 5 er vist placeringen af SMD på loddesiden.
Jeg bor i Sønderborg, så jeg kigger desværre ikke lige forbi.. Men posten kan flytte print incl svarkuvert og betaling fra Sønderborg til Lyngby..
"nogen" har glemt at overspændingsbeskytte Q2. Forslag: Bryd forbindelsen mellem U1b, og Q2, og sæt en modstand mellem U1b ben 7, og gate på Q2, (560R), og en zenerdiode på ca 24 volt, med katode på +L, og anode på gate på Q2.
Så vil evt. spikes på forsyningen "deles" mellem pære og Q2
I øvrigt synes tomgangsforbrug på 0,3 watt noget højt :-/
Mjaeh, jeg foretrækker at lade dén komponent med størst effektformåen klare opgaven. Men enklere at eftermontere din løsning selvfølgelig. Modstanden i gate-forsyningen burde nu under alle omstændigheder have været monteret. :-/
Beskyttelse. Her er vi ikke helt enige. Ved surge- og og specielt transient-beskyttelse er det afgørende, at det beskyttende element er i stand til at reagere hurtigere end det det beskyttede kredsløb. Med udgangspunkt i EN61000-xx, kan effekten normalt håndteres af relativt små komponenter, da påvirkningen er kortvarig. Reelt set skulle komponenten i det aktuelle kredsløb derfor være en Tranzorb, Transil el.lign, men i praksis vil en standard-zener kunne klare opgaven.
Hvorfor en modstand i gaten? OPA kan klare en kontinuerlig kortslutning. Under normal drift vil OPA's udgang se ind i en impedans på ca 200 Mohm. Ved pulsdrift skal OPA håndtere Qg (25nC), hvilket har ringe betydning ved den anvendte frekvens. En transient på drain, der overføres til gate via Qgd (11nC), er en så lille ladning, at denne er uden betydning.
Ved betydelig højere switch-frekvenser vil en lille seriemodstand evt. være nødvendig, for at modvirke strømspidser p.g.a. Qgd.
Tjae, min erfaring kommer så eksempelvis fra et tændingsanlæg, med tændspoleprimær drevet af en FET. Med "åbent" kredsløb á uden/defekt tændrør monteret, så har Du værst tænkelige scenarie :-/ Det kan hverken tranzorb, eller zener overleve i blot få sekunder, men zener/FET løsningen lever i timevis, blot med nogen varmeafgivelse. FET's er hurtige nok til at beskytte sig selv.
Have styr på switchtiden, så underlige selvsvingssituationer ikke opstår.
En fornuftig FET er avalanche rated, og kan tage ret store energier, når man bryder en selvinduktion med den. Hvis gate driverkredsen er fornuftigt valgt og opbygget er det ikke nøvdendigt med særskilt beskyttelse.
"Underlige selvsvings..." opstår på grund af forkert printdesign, forkert driver og mangelfuld afkobling af gatedriveren.
Generelt er det dårligt design at øge switchtiden, da man derved afsætter mere effekt i transistoren. Jeg taler af erfaring med design af switch kredsløb i kW klassen. Den rigtige løsning er at drive FET'ens gate hurtigt med et kredsløb med meget lav induktans.
Tak for jeres konstruktive indput, jeg uddrager at en 24v zener mellem L og GND vil give en rimelig beskyttelse mod transienter, samt en ændring af R10 til noget i retning af 5-700 ohm vil være nogle vigtige tilretninger. Tak for det.
Hvis jeg selv skulle fremskaffe alle dele hvor skulle jeg så handle for at kunne få alt samme sted ?
Vejle RC har så vidt jeg kan se ingen 1206 modstande, og elsupply ingen smd kondensatore, er der andre steder hvor jeg kan lede, købe som privat, og ikke skulle bestille 100 stk af hver SMD type ?
-læs lige dataladet. Mange MOSFET'er i den familit kan ikke lige mere end 15 eller 20V, og så der der jo ingen grund til at sætte beskyttelsen ind ved 24-28V
Hvis du selv vil montere 1206'erne, så kast en postadresse efter mig. Så skal jeg sende dig dimserne U.B. i næste uge. De er ikke svære at montere, kræver blot godt arbejdslys og en pincet.
Hej Bo Så har jeg lige læst databladet (igen). Max ratings for IRFZ24 er:
V(br)DSS: 60V
VGS: +/- 20V
ID: 12A
IDM: 68A
Som det fremgår, er der et stykke vej fra 24 til 60V (VDS). VGS er beskyttet via zenerdioden på 8V2.
En anden ting, der fremgår af databladet, er single pulse avalance energy (EAS) = 100 mJ. Med det i mente samt tilføjelsen af en 24V zenerdiode, skulle kredsløbet nu være sikret mere end effektivt.
-så ved jeg ikke om jeg har opfattet det rigtigt? -det virkede som om beskyttelsen var af gaten. Denne må ikke kommer undenfor +/-20V, og derfor undrede jeg mig over valget af en 24V zener.
VDS er for mig at se ikke noget problem, idet body dioden blot går i avalanche, og en lavspændingstransistor med lav RDSon har et stort areal og kan optage mere energi end en extern zenerdiode.
// Hej Bo. Vi er enige - 100 mJ non repetitiv skulle være nok til at modstå induktansen af en selv meget kreativ ledningsføring. Men - ifølge denne tråd er en beskyttelse i.h.t. EN6100 åbenbart ikke nok. Da min erfaring med beskyttelse af automotive kredsløb ikke er særlig stor og for at gå "med livrem og seler" (evt. længerevarende transienter, udskiftning af pærer etc) er løsningen med en ekstra zenerdiode valgt, da den er rimelig nem at implementere.
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here.
All logos and trade names are the property of their respective owners.