Bestykning af enkelt print med lidt 1206 SMD ?

Hej

Er der nogen her der, mod betaling, vil bestykke et lille print for mig, I kan se hele dokumentationen her :

formatting link

Jeg har fået fræst et print, men har ikke selv adgang til, eller færdigheder med SMD komponenter

og tak til Bjarne Larsson for det store arbejde med dokumentationen

mvh Steffen

Reply to
news.tele.dk
Loading thread data ...

"news.tele.dk" skriver:

Smart at fortælle hvor man bor.....

Klaus

--
  Modelbane Europas hjemmeside: http://www.modelbaneeuropa.hadsten.dk
  Modeltog, internet, gratis spambekæmpelse, elektronik og andet:
 Click to see the full signature
Reply to
Klaus D. Mikkelsen

Dokumentationen siger ikke noget om SMD-delen. Hvis du er i nærheden af DTU kan du jo kigge forbi.

/Bo (348/009)

Reply to
Bo

Hej Klaus Da printet fylder 2x2cm gik jeg ud fra at post DK kunne klare en eventuel afstand, men jeg bor i 6400 Sønderborg.

mvh Steffen

Reply to
Steffen Schmidt

Hej Bo

På side 3 er der en stykliste hvor der står beskrevet at det er 1206 størrelse modstande og kondensatore der skal bruges på loddesiden af printet, på side 5 er vist placeringen af SMD på loddesiden.

Jeg bor i Sønderborg, så jeg kigger desværre ikke lige forbi.. Men posten kan flytte print incl svarkuvert og betaling fra Sønderborg til Lyngby..

mvh Steffen

Reply to
Steffen Schmidt

"nogen" har glemt at overspændingsbeskytte Q2. Forslag: Bryd forbindelsen mellem U1b, og Q2, og sæt en modstand mellem U1b ben 7, og gate på Q2, (560R), og en zenerdiode på ca 24 volt, med katode på +L, og anode på gate på Q2.

Så vil evt. spikes på forsyningen "deles" mellem pære og Q2

I øvrigt synes tomgangsforbrug på 0,3 watt noget højt :-/

--
mvh
Orla Pedersen
 Click to see the full signature
Reply to
Orla Pedersen

En 24V/1.3W zenerdioder, der monteres på bagsiden af PCB mellem +L og GND, vil give en tilstrækkelig beskyttelse.

Tomgangsforbrug: R10 har en forkert værdi. Værdien skal være 510 - 750E Dette vil bringe tomgangsforbruget ned i området 5 - 7.5 mA ~ 60 - 90 mW

Mvh Bjarne L

Reply to
BjarneL

Mjaeh, jeg foretrækker at lade dén komponent med størst effektformåen klare opgaven. Men enklere at eftermontere din løsning selvfølgelig. Modstanden i gate-forsyningen burde nu under alle omstændigheder have været monteret. :-/

--
mvh
Orla Pedersen
 Click to see the full signature
Reply to
Orla Pedersen

Hej Orla.

Beskyttelse. Her er vi ikke helt enige. Ved surge- og og specielt transient-beskyttelse er det afgørende, at det beskyttende element er i stand til at reagere hurtigere end det det beskyttede kredsløb. Med udgangspunkt i EN61000-xx, kan effekten normalt håndteres af relativt små komponenter, da påvirkningen er kortvarig. Reelt set skulle komponenten i det aktuelle kredsløb derfor være en Tranzorb, Transil el.lign, men i praksis vil en standard-zener kunne klare opgaven.

Hvorfor en modstand i gaten? OPA kan klare en kontinuerlig kortslutning. Under normal drift vil OPA's udgang se ind i en impedans på ca 200 Mohm. Ved pulsdrift skal OPA håndtere Qg (25nC), hvilket har ringe betydning ved den anvendte frekvens. En transient på drain, der overføres til gate via Qgd (11nC), er en så lille ladning, at denne er uden betydning.

Ved betydelig højere switch-frekvenser vil en lille seriemodstand evt. være nødvendig, for at modvirke strømspidser p.g.a. Qgd.

Mvh. Bjarne

Reply to
BjarneL

Tjae, min erfaring kommer så eksempelvis fra et tændingsanlæg, med tændspoleprimær drevet af en FET. Med "åbent" kredsløb á uden/defekt tændrør monteret, så har Du værst tænkelige scenarie :-/ Det kan hverken tranzorb, eller zener overleve i blot få sekunder, men zener/FET løsningen lever i timevis, blot med nogen varmeafgivelse. FET's er hurtige nok til at beskytte sig selv.

Have styr på switchtiden, så underlige selvsvingssituationer ikke opstår.

Men det er dårligt design at udnytte den feature.

--
mvh
Orla Pedersen
 Click to see the full signature
Reply to
Orla Pedersen

En fornuftig FET er avalanche rated, og kan tage ret store energier, når man bryder en selvinduktion med den. Hvis gate driverkredsen er fornuftigt valgt og opbygget er det ikke nøvdendigt med særskilt beskyttelse.

"Underlige selvsvings..." opstår på grund af forkert printdesign, forkert driver og mangelfuld afkobling af gatedriveren.

Generelt er det dårligt design at øge switchtiden, da man derved afsætter mere effekt i transistoren. Jeg taler af erfaring med design af switch kredsløb i kW klassen. Den rigtige løsning er at drive FET'ens gate hurtigt med et kredsløb med meget lav induktans.

Reply to
Bo Bjerre

Hej I to

Tak for jeres konstruktive indput, jeg uddrager at en 24v zener mellem L og GND vil give en rimelig beskyttelse mod transienter, samt en ændring af R10 til noget i retning af 5-700 ohm vil være nogle vigtige tilretninger. Tak for det.

Steffen

Reply to
Steffen Schmidt

Hvis jeg selv skulle fremskaffe alle dele hvor skulle jeg så handle for at kunne få alt samme sted ?

Vejle RC har så vidt jeg kan se ingen 1206 modstande, og elsupply ingen smd kondensatore, er der andre steder hvor jeg kan lede, købe som privat, og ikke skulle bestille 100 stk af hver SMD type ?

mvh

Steffen

Reply to
Steffen Schmidt

-læs lige dataladet. Mange MOSFET'er i den familit kan ikke lige mere end 15 eller 20V, og så der der jo ingen grund til at sætte beskyttelsen ind ved 24-28V

Bo //

Reply to
Bo Bjerre

Hvis du selv vil montere 1206'erne, så kast en postadresse efter mig. Så skal jeg sende dig dimserne U.B. i næste uge. De er ikke svære at montere, kræver blot godt arbejdslys og en pincet.

/Bo.

Reply to
Bo

Hej Bo Så har jeg lige læst databladet (igen). Max ratings for IRFZ24 er:

V(br)DSS: 60V

VGS: +/- 20V

ID: 12A

IDM: 68A

Som det fremgår, er der et stykke vej fra 24 til 60V (VDS). VGS er beskyttet via zenerdioden på 8V2.

En anden ting, der fremgår af databladet, er single pulse avalance energy (EAS) = 100 mJ. Med det i mente samt tilføjelsen af en 24V zenerdiode, skulle kredsløbet nu være sikret mere end effektivt.

Mvh. :-) Bjarne

Reply to
BjarneL

-så ved jeg ikke om jeg har opfattet det rigtigt? -det virkede som om beskyttelsen var af gaten. Denne må ikke kommer undenfor +/-20V, og derfor undrede jeg mig over valget af en 24V zener.

Bo //

Reply to
Bo Bjerre

- Zenerdioden bruges til beskyttelse af VDS. VGS er internt begrænset til 8.2V.

Bjarne

Reply to
BjarneL

VDS er for mig at se ikke noget problem, idet body dioden blot går i avalanche, og en lavspændingstransistor med lav RDSon har et stort areal og kan optage mere energi end en extern zenerdiode.

Bo //

Bo //

Reply to
Bo Bjerre

// Hej Bo. Vi er enige - 100 mJ non repetitiv skulle være nok til at modstå induktansen af en selv meget kreativ ledningsføring. Men - ifølge denne tråd er en beskyttelse i.h.t. EN6100 åbenbart ikke nok. Da min erfaring med beskyttelse af automotive kredsløb ikke er særlig stor og for at gå "med livrem og seler" (evt. længerevarende transienter, udskiftning af pærer etc) er løsningen med en ekstra zenerdiode valgt, da den er rimelig nem at implementere.

Bjarne //

Reply to
BjarneL

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.