salve chi mi può spiegare come mai il tempo di vita medio dei portatori, ad esempio elettroni è definito come: INT[t*n'(t)]/INT[n'(t)] dove INT è definito l'integrale tra 0 e infinito in dt, mentre n'(t) è l'andamento temporale dell'eccesso di elettroni. il mio libro butta là la formula come verifica, ma io non ricordo assolutamente da dove salta fuori tale formula. grazie a chi è in grado di aiutarmi G.M
tempo di vita medio dei portatori
Sep 03, 2004
1 Replies
ad
in
che io sappia il tempo di vita media delle lacune e degli elettroni viene definito come 1/(s*vth*Nt) dove s (sigma) = sezione di cattura vth = velocità termica Nt = concentrazione delle impurità
Questa definizione viene data quando si calcola l'equazione che esprime U ovvero la velocità di ricombinazione netta e tiene conto degli effetti di ricombinazione dovuti alla presenza di impurità all'interno del wafer. Esiste un'altra definizione per il tempo di vita medio che tiene conto della ricombinazione Auger. Altre formule come quella da te riportata possono essere ricavate nei particolari contesti in cui ci si trova. Prova a spiegare meglio quando il libro tira fuori la formula (giunzione pn, BJT, etc.) e magari qualcuno potrebbe dirti da dove viene.
ciao
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