modelli su LTSPICE

Con discreta approssimazione dovrebbe essere il parametro BF.

maitre Aliboron.

Scordati di poter ricavare in modo semplice i parametri del modello Spice, ti conviene scaricare il modello, se lo trovi, sul sito di qualche produttore.

C'è BF, ma non è l'hfe (tutto minuscolo) che hai indicato tu.

Ecco, appunto.

[...]

00 6 RE=3D.6 RC=3D.

VJC=3D.54

Infatti l'hfe (cosi' come gli altri 3 parametri h) e' ottenuto per linearizzazione attorno al punto di lavoro (e quindi dipende da quest'ultimo) a partire dal modello di Gommel-Poon. Spesso (soprattutto in RF) i parametri del modello di Gommel-Poon vengono ottenuti mediante un "best fitting" dei parametri h complessi (anche se e' piu' usuale utilizzare i parametri scattering) misurati a diverse correnti di collettore.

-- M.

Per la base occorre ISS, BF e BR. A bassi liv di corrente occorre rendere conto anche della ricombinazione e quindi serve conoscere anche ISE,NE,ISC ed NC

Per IC puoi accontentarti del solo effetto Early per cui basta conoscere VAF e VAR (oltre a IS). Oppure considerare il modello di Gummel-Poon e quindi non accontentarti solo di VAF e VAR ed usare anche IKF e IKR.

Consideriamo ad esempio il funzionam. in reg. attiva diretta e due casi semplici:

1. Bassi liv. di iniez. e medi liv. di corrente: hfe=betaf*(1+VCB/VAF). Quindi basta IS e VAF
2. Bassi liv. di iniezione e corrente: devi considerare il contributo alla corrente di base dato dalla corrente di ricombinazione (relativa alla giunzione BE). Quindi occorrono anche ISE e NE.

Il caso di alti livelli di iniezione (da considerare anche in presenza di drog. non uniforme di base) impone la conoscenza di IKF ed IKR.

Armando

Ok, ma in pratica, che devo fare per crearmi il modello partendo dal datasheet?

, ti

e.

Mi sembra una risposta sensata.

Che probabilmente =E8 il Beta che non =E8 l'hFE (grazie per la correzione alla mia ruggine) che per=F2 mi pare di ricordare non sia la stessa cosa.

Nel senso, sono ignorante, o =E8 impossibile?

Giusto!

Per=F2 se volessi fare da zero un mdoello partendo da un datasheet, il problema come lo affronto?

Ricordo ma ricordo anche che la domanda era anche pi=F9 generica: "C'=E8 qualcuno che mi spiega praticamente come fare e quali valori inserire, per diversi componenti discreti? "

In pratica, dal datasheet, c'=E8 un modo e in che modo per ricavare i dati necessari da dare al modello?

A quanto pare la risposta non =E8 cos=EC scontata...

Nota come ho quotato nella mia prima risposta: ho intenzionalmente risposto solo alla tua seconda domanda in merito al parametro hfe, domanda che poneva di fatto il quesito inverso chiedendo come ottenere un parametro apparentemente mancante nel modello SPICE.

Secondo me la risposta è scontata se consideri che nelle tabelle sono riportati valori tipici di certi parametri in particolari punti di lavoro e condizioni... E' evidente che tali valori danno un'idea delle prestazioni del dispositivo ma non ne consentono la simulazione.

Il modello SPICE si ricava empiricamente dopo aver tracciato opportuni diagrammi... Nei datasheet qualche diagramma lo trovi. Basta verificare che i diagrammi forniti siano sufficienti ad ottenere i parametri richiesti da SPICE. Lo sono nel datasheet che hai linkato? No

Armando

Giust'appunto...

Infatti.. Quindi o cambio datasheet, e ho fortuna a trovarne qualcuno pi=F9 completo, o trovo il modello gi=E0 fatto da altri, sperando che questi ultimi siano fedeli..

Rimane per=F2 insoluta una domanda.

Posto che ho reminescenze che comunque vengono confermate anche da altri siti... ad esempio:

3.htm

E posto appunto solo di aver fortuna a trovare datasheet pi=F9 completi...

e che ricordo come sia il circuito "base ed equivalente" di un transitor bipolare, tenuto conto anche delle tue preziose considerazioni:

"Per la base occorre ISS, BF e BR. A bassi liv di corrente occorre rendere conto anche della ricombinazione e quindi serve conoscere anche ISE,NE,ISC ed NC"

Ci sar=E0 una corrispondenza di termini.. Se BF =E8 il Beta (approssimabile all'hFE), che io ho sempre ho visto chiamato B; gli altri valori ISS, BR, ISE, NE, ISC, NC, tanto per riprendere quanto tu mi dici, a cosa corrispondono, per lo spice? BF =3D BETA, ISS =3D ?!?! e cosi via.....

Nel modello che hai fornito si legge:

Non ricordo tutte le sigle a memoria, spero di non sbagliare (considerando anche che dal modello che hai riportato risulta NE>NC, NF prossimo ad 1, BF>BR, ISE>IS, ISC>IS)...

Con BF (risp. BR) si intende il massimo guadagno in configurazione ad emettitore comune in modo diretto, i.e. con VBC=0 (risp. in modo inverso, i.e. con VBE=0)

Con ISS (con cui forse ho creato confusione e me ne scuso) intendevo IS ovvero la corrente di saturazione di trasporto (che non tiene conto dell'effetto Early e delle implicazioni del modello di Gummel-Poon)

Con ISE (risp. ISC) la corrente di saturazione di ricombinazione di emettitore (risp. collettore)

Con NE (risp. NC) il coefficiente di idealità (o di emissione) relativo alla corrente di ricombinazione della giunzione base-emettitore (risp. base-collettore)

Con IKF (risp. IKR) la corrente di ginocchio diretta (risp. inversa)

Ciao Armando

Secondo me e' come se stessi chiedendo: Di un'automobile conosco: i cavalli, la velocita' massima, i consumi al km, la coppia massima, la lunghezza, la distanza tra gli assi delle ruote e il cx. Per costruirmelo, come calcolo il motore?

mandi

Il modo meno "ingegneristico" è quello di sfruttare l'analisi in DC per la caratteristica di collettore (Ic\Vce). Variando qualche parametro nel modello Spice puoi, a grandi linee, avvicinarti ad un qualsiasi altro modello, confrontando appunto l'analisi in DC con il grafico STATIC CHARACTERISTIC Ic\Vce del costruttore. Cioè, per es.: per il bjt che ti interessa; prendi un bjt equivalente di cui sai per certo che la caratteristica di collettore è stata modellizzata bene dal costruttore e ne vari qualche parametro (spesso il BF) in modo che il grafico Ic\Vce sia quanto più simile al bjt che ti interessa.

[FIDOCAD] MC 55 50 0 0 300 LI 70 60 70 70 MC 105 50 0 0 470 TY 65 35 5 3 0 0 0 * C TY 65 60 5 3 0 0 0 * E TY 110 50 5 3 0 0 0 * V1 TY 115 70 5 3 0 0 0 * 0. MC 35 50 0 0 470 LI 35 60 35 55 LI 35 55 30 60 LI 30 60 40 60 LI 40 60 35 55 TY 55 45 5 3 0 0 0 * B LI 70 40 105 40 LI 105 40 105 50 LI 55 50 35 50 MC 35 70 0 0 040 MC 70 70 0 0 040 MC 105 70 0 0 040 TY 75 50 5 3 0 0 0 * 2N2369 TY 25 50 5 3 0 0 0 * I1 TY 25 70 5 3 0 0 0 * 0. TY 20 15 5 3 0 0 0 * Caratteristica di collettore NPN TY 120 40 5 3 0 0 0 * .model 2N2369 NPN(Is=44.14f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=78.32 Ne=1.389 TY 120 45 5 3 0 0 0 * Ise=91.95f Ikf=.3498 Xtb=1.5 Br=12.69m Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=.6 TY 120 50 5 3 0 0 0 * Cjc=2.83p Mjc=86.19m Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.5p Mje=.2418 Vje=.75 TY 120 55 5 3 0 0 0 * Tr=1.073u Tf=227.6p Itf=.3 Vtf=4 Xtf=4 Rb=10 Vceo= Icrating= mfg=National) TY 125 85 5 3 0 0 0 * V1=VOLTAGE SOURCE TY 125 90 5 3 0 0 0 * I1=CURRENT SOURCE TY 20 25 5 3 0 0 0 * .DC V1 0 15 10m I1 0 100u 10u

Scusa se sono stato un po' brusco ma purtroppo è così.

Non vedo alcun modo sensato di ricavare il set completo di parametri Spice a partire dal datasheet. Molti parametri del modello dipendono dalla struttura del dispositivo (drogaggi, dimensioni ecc.), la cui caratterizzazione non trovi nel datasheet.