Sto guardando il funzionamento dei JFET su alcuni pdf in italiano trovati su internet, ma non ho trovato specificate alcune cose che di seguito chiedo:
1) Qual'=E8 il punto in cui si passa dalla zona di saturazione a quella "lineare"; nei pdf si parla di Vds abbastanza piccola, ma quanto piccola? Guardando l'equazioni relativa alla zona di funzionamento "lineare" (una parabola in funzione di Vds), mi pare di intuire che questo limite tra le due zone debba essere dato da Vds =3D (Vgs - Vp) (oltre questo valore la parabola ridiscende e perde di senso fisico); dico bene?2) Un'altra cosa che noto nei datasheet ma che non leggo da nessuna parte: tanto pi=F9 Vp =E8 vicina a zero e tanto pi=F9 =E8 bassa Idss. E' ve= ro? C'=E8 una relazione precisa?
3) Dalla teoria alla pratica: =E8 possibile far lavorare pi=F9 jfet in parallelo? A me interessa soprattutto il caso con G e S cortocircuitati (Vgs =3D 0). Se i jfet hanno diversa Idss e/o diversa Vp come si comportano messi in parallelo?4) A me interessa soprattutto la configurazione di generatore di corrente costante (Vgs =3D 0) a tensioni Vds piuttosto piccole (vicine al volt). Ora, se quello che ho "sparato" in 1) e 2) fosse vero, il funzionamento a corrente costante cesserebbe quando Vgs < (Vgs - Vp) =3D (0 - Vp) =3D -Vp ( =3D abs(Vp) per gli n-channel), e qui I comincierebbe ad essere minore di Idss. Per far si che questo avvenga il pi=F9 tardi possibile (cio=E8 con Vds pi=F9 piccola possibile) a questo punto dovrei scegliere un jfet con Vp vicino il pi=F9 possibile a zero; per=F2 se =E8 vero quanto detto in 2) Vp piccola comporta anche Idss piccola. Di qui il motivo della richiesta fatta in 3) Ovvero: risolvo il problema prendendo dei jfet con Vp pi=F9 vicino possibile a zero e compenso il fatto che Idss diventa piccola mettendone in parallelo parecchi. E' un ragionamento similvero?
Grazie a tutti delle eventuali risposte.