"Doppio diodo : chi era costui?"

anch'io ho pensato a mettere due diodi e formare una giunzione npn, ma era tanto tempo fa

Inti

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(¯`·.¸Kawinsky¸.·´¯) ha scritto:

Anche a te :)

Semplice, hai fenomeni che impediscono questo. Il fenomeno del BJT puoi capirlo se pensi ad un diodo luminoso, ossia c'è una delle due giunzioni drogata più dell'altra (mettiamo che la N sia più drogata della P). Polarizzala direttamente (la giunzione NP) ed emette fotoni solo dalla parte P. Immagina che questi fotoni vanno ad impattare ad su un altra giunzione, questa volta PN (impattano sulla parte P). Questa seconda giunzione è però polarizzata inversamente. La corrente che scorre è quella di saturazione inversa, che però aumenta appena i fotoni impattano sulla zona P.

Allora, perché utilizzare due giunzioni diverse e sfruttare questo fenomeno dei fotoni, quando io posso benissimo creare delle giunzioni NPN dove non c'è perdita per effetto dei fotoni ma tutto funziona direttamente grazie ai portatori? Ecco spiegato perché con due diodi non puoi. Primo perché una regione delle quattro dovrebbe essere più drogata, secondo tu stesso affermi che la base ha un piccolo spessore, mentre con

Si esatto. Non dimenticare l'altro particolare del differente drogaggio.

Ciao

Artemis

Artemis wrote in news:auy3e.726548$ snipped-for-privacy@news3.tin.it:

Curiosità: è un tuo modello di comodo o te l'hanno spiegata cosi? (in altre parole: correnti di drift e di diffusione non si spiegano più?)

AleX

AleX ha scritto:

Certo che si spiegano, solo che per l'accenno del bjt il professore ha fatto questo testuale esempio. Del drift e della diffusione se n'è parlato x tutto il corso nella giunzione PN o nel silicio drogato con profili variabili. Bjt, mosfet, e jfet li hanno trattati solo come accenno.

Ciao

Artemis

Artemis wrote in news:1YS3e.1163371$ snipped-for-privacy@news4.tin.it:

IMHO non mi pare affatto bello come esempio. Al solito è una "banalizzazione per confronto" che è chiara al prof. perchè conosce entrambi gli argomenti, ma che rischia di essere fuorviante per lo studente.

Beh a maggior ragione allora non hai bisogno di quell'esempio. Pensa in termini di lunghezza di diffusione rispetto allo spessore della base, a cosa succede ai portatori minoritari in una giunzione polarizzata inversamente, ai livelli di Fermi ed hai il quadro della situazione. (e si che pure io ho semplificato troppo...)

E questo spiega tutto... :-(

AleX

AleX ha scritto:

Non è detto eh :)

Infatti. Quando ha scritto nel N dell'emettitore, N+, avendo perso le

• = più drogato?
• = ioni positivi?
• = drogato con lacune?

:))) pensa te un più cosa può fare :P

La lunghezza di diffuzione ce l'ha spiegata solo riguardo ai bassi livelli di iniezione, ossia, sempre con i fotoni che lateralmente colpiscono il blocco di silicio. Se la barretta è corta (paragonabile alla lunghezza di diffusione) allora quando la sorgente termina il suo effetto, il transitorio finale (processo di ricombinazione) è lineare, se la lunghezza del blocchetto è molto maggiore di L (lunghezza di diffusione) allora il processo di ricombinazione è esponenziale.

Creano la corrente di drift, ossia, i minoritari sono facilitati dal campo elettrico della giunzione (che si somma a quello della batteria polarizzante) e fluiscono, ma la corrente è piccola perché p data appunto dai minoritari.

Il livello di fermi, deve rimanere costante e uguale per tutte le giunzioni. Solo che nella giunzione P è più prossimo alla banda di valenza, nella giunzione N è più prossimo alla banda di conduzione. Allora in prossimità della giunzione avviene una deflessione delle bande (gap, valenza, conduzione), così che il livello di fermi rimanga costante. In tal caso, essendo la giunzione polarizzata, la deflessione è maggiore, ma questo a causa del campo elettrico indotto dal generatore, che si somma costruttivamente con quello della giunzione. Se le due parti P ed N sono abbastanza drogate, la giunzione risulterà più stretta di quella canonica di un diodo normale e polarizzando il diodo inversamente, sarà possibile vedere l'effetto tunnel (diodo zener) o diodo tunnel se sono molto drogate.

Ciao

Artemis

Pestando alacremente sulla tastiera Artemis ebbe l'ardire di profferire:

Ioni in un semiconduttore drogato?

Artemis wrote in news:NHZ3e.731551$ snipped-for-privacy@news3.tin.it:

Beh, dai, sapere e sapere insegnare non è la stessa cosa. Non puoi misurare la competenza del tuo docente solo da come spiega, percui gli concedevo il beneficio del dubbio :-) Magari è un ottimo ricercatore.

Evidentemente il suo settore di ricerca è la fotonica...

Già, questo è quello che avviene in una giunzione polarizzata inversamente quindi anche nella giunzione Base-collettore, quando l'emettitore è "aperto".

Pensa adesso però in un bjt cosa avviene: quelli che portatori minoritari altro non sono che i portatori che hai appena iniettato tramite la giunzione E-B polarizzata direttamente (meno quelli che, ricombinandosi, danno luogo alla corrente di base). Quindi tanto piccola quella corrente non è: è proprio la corrente di collettore.

Stai parlando delle due giunzioni di un bjt o delle regioni P ed N di una singola giunzione? Non vorrei che stessi confondendo il termine "regione" con "giunzione".

Quando consideri un dispositivo a due giunzioni p-n-p, ad esempio, vedi che l'andamento delle bande è tale da avere una barriera di potenziale, tuttavia per quei portatori che, a causa della polarizzazione diretta superano la barriera di potenziale, il percorso verso il collettore è, per cosi dire, "in discesa".

AleX