Ciao, ammettiamo di avere un mosfet con V(bs)dss di 600V. Il datasheet dice che con Vgs=0 e Vds=600V la Id=1mA.
Cosa succede al dispositivo a parte di dissipare 0.6W? E' una condizione distruttiva solo se si superano le temperature o intervengono fenomeni di rottura a livello di silicio anche a basse temperature?
Grazie mille Ste
PeSte ha scritto:
IMHO, se superi la tensione di breakdown, senza limitazione di corrente sul drain, il MOSFET si sfonda subito, indipendentemente dalla tensione di gate. Questo perchè superi la massima tensione inversa del diodo interno, che poi è uno Zener. Forse non succederà a 601V, ma a 700 penso proprio di si. Potrei fare una prova con il mio breakdown tester, che arriva a 800V.
Ciao.
"JUL" ha scritto nel messaggio news:g0cdqn$3i4$ snipped-for-privacy@news.newsland.it... [...]
capperi...mi ero scordato il diodo di bulk
il problema qui è un po' più articolato: nel mio dimmer a mosfet ho due n-mos in "anti-serie" entrambi da 650V (source in comune).
Visto che i mos li accendo e spengo assieme, ciascuno non vede la tensione di rete, ma la metà (pensavo di mettere una resistenza tra drain e source di ciascun transistor). Mi stavo domandando se scendere con le specifiche di Vbr, che so, a 450V, per ridurre i costi perché ad oggi il prezzo di questi oggetti mi blocca l'intero progetto :-(
Ste
Ste l'ho sentita già sta storia... Ti sono vicino lo sai!!!
;)
buona lavoro! coals
è sempre la solita stramaledetta storia.....l'elettronica deve costare poco e possibilmete infrangere più principi fisici possibili!!!! Grrrrr!!!!!
Ste
PeSte ha scritto:
infatti.
non credo. ci sono i diodi.
saluti.
lowcost wrote: [...]
uh....cazzarola...pure i diodi sono in antiserie...ecco cosa succede a dire le cose senza uno straccio di schema davanti...ho commesso peccato!!!!
grazie Ste
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