Il 08/08/2015 16:17, zio bapu ha scritto:
probabilmente (ma di quali tempi stiamo parlando?)... il transistor
altri switching in TO92
Il 08/08/2015 16:17, zio bapu ha scritto:
probabilmente (ma di quali tempi stiamo parlando?)... il transistor
altri switching in TO92
-- bye !(!1|1)
Il giorno domenica 9 agosto 2015 15:57:45 UTC+2, not1xor1 ha scritto:
Il tempo di salita, il fronte di carica del gate.
Dici? i transistor sono questo e il suo complementare.
Dice:
Transition Frequency fT 100 MHz - IC=100mA, VCE=10V f=50MHz
Output Capacitance Cobo 75 pF - VCB=10V, f=1MHz*
Switching Times ton 45 ns - IC=1A, IB!=100mA toff 630 ns - IB2=100mA, VCC=10V
Pero' credo di aver capito che ton e toff non sono da considerare perche in questa configurazione non vanno in saturazione.
Da questi dati cosa deduci? C'e' una soluzione?
Grazie
mandi
Il 09/08/2015 17:39, zio bapu ha scritto:
finferiore per esempio i BC327-337 sono sui 10pF
ma non ho idea di quanto questo influisca (tra l'altro si tratta della
ma i BC327-337 sono general purpose e arrivano mi pare intorno a 1A
prendi poi in considerazione che non conosco la materia e le mie sono
niente :-)
-- bye !(!1|1)
Pero' i 327 arrivano solo a 1A, per 16n di gate volevo stare alto, sui 10A almeno, tieni presente che vorrei fargli interrompere una 350V 100A, prima li carico e meglio e' :-)
Poi ci sono questi tempi:
td(on) Turn-on Time VDD = 250 V ID = 27 A =57-80ns tr Rise Time RG = 4.7 ? VGS = 10 V =92-130ns
tr(Voff) Off-voltage Rise Time VDD = 400 V ID = 53 A =105-145ns tf Fall Time =36-205ns tc Cross-over Time RG = 4.7 ? VGS = 10 V =145-50ns
Significa che comunque non potro' mai andare sotto a questi tempi? E in questi tempi avro' dissipazione?
mandi
Il 10/08/2015 18:52, zio bapu ha scritto:
infatti inizialmente avevo suggerito questi solo per lo stadio iniziale del primo schema proposto
mi pare che la dissipazione nei periodi di "salita/discesa" sia 1/2 Vdsmax*I a questa devi sommare I^2*Rdson
poi bisogna vedere quante "salite" e "discese" e periodi di conduzione ci sono in un secondo per poter trasformare tutto in W
-- bye !(!1|1)
Cosa intendi per rumorosa? E' uno step up, induttore, mosfet, diodo, C di livellamento.
Ne capisci piu' di me di sicuro.
mandi
che mi pare vada moltiplicato per dt/T = dt*f dove dt e' l'intervallo di salita/discesa e T e' il periodo del segnale, G
to:
max*I
GSi, ho fatto fare il conto al simulatore con un altro mosfet ma applicando le capacita' del mio mosfet reale, durante l'accensione per 65ns dissipa 17 kW, il periodo e' 97us, calcolando l'area escono 11W.
Il mio pensiero erano quei tempi scritti sul datasheet ton e toff ecc. (un paio di miei messaggi piu' sopra), saranno mica tempi minimi sotto al quale non si puo' scendere fisicamente? Perche del mosfet da simulare non ho il modello.
mandi
Il 12/08/2015 12:12, zio bapu ha scritto:
e
sovraoscillazioni
non ci metterei la mano sul fuoco :-)
-- bye !(!1|1)
Il 12/08/2015 13:29, news.aioe.org ha scritto:
-- bye !(!1|1)
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