Salve, devo comandare 3 mosfet in parallelo che hanno 16nF di capacita' di gate ogniuno e mi serve parecchia corrente.
Questi due modi di fare il driver sono equivalenti? Il simulatore dice di si, pero' non so. La versione di sinistra direi che non lascia le basi flottanti. Il transistor usato e' questo con il suo complementare:
Sembrerebbe che resista a 20A per 100us, che si possa tirargli il collo fino a 40A per 50ns ogni 62us?
O e' meglio fare un driver in un altro modo? con mosfet ad esempio, avete qualche schema?
Grazie per le risposte.
mandi
[FIDOCAD] MC 80 60 0 0 300 MC 80 80 0 0 310 MC 105 70 1 0 115 MC 95 50 3 0 010 MC 95 90 0 0 045 MC 105 70 0 0 410 MC 120 80 0 0 045 MC 55 60 0 0 300 MC 55 80 0 0 310 MC 70 50 3 0 010 MC 70 90 0 0 045 LI 80 60 80 80 LI 80 70 70 70 TY 115 55 5 3 0 0 0 * 350V TY 100 60 5 3 0 0 0 * 0.1 MC 180 50 0 0 300 MC 195 60 0 0 300 MC 195 80 0 0 310 MC 180 90 0 0 310 MC 220 70 1 0 115 MC 195 40 3 0 010 MC 210 50 3 0 010 MC 210 90 0 0 045 MC 195 100 0 0 045 MC 220 70 0 0 410 MC 235 80 0 0 045 MC 165 40 0 0 300 MC 180 30 3 0 010 MC 165 100 0 0 310 MC 180 110 0 0 045 LI 165 40 165 100 LI 30 60 30 80 MC 30 60 0 0 300 MC 30 80 0 0 310 MC 45 50 3 0 010 MC 45 90 0 0 045 LI 55 70 45 70 LI 55 60 55 80 TY 65 35 5 3 0 0 0 * 12V LI 30 70 25 70 MC 15 70 0 0 073 LI 165 70 160 70 MC 150 70 0 0 073