Hi All,
Hачитался я про карбид кремния. Материал этот имеет уникальные и весьма привлекательные свойства. Ширина запрещенной зоны 4 эв (у кремния 1,27 эв). Это означает весьма высокие предельные температуры. Подвижность электронов примерно как у кремния - неплохие частотные свойства и удельное сопротивление. Пробивная напряженность поля в 9 раз лучше чем у кремния - высоковольтность.
В настоящее время производятся и доступны высоковольтные диоды Шоттки из SiC - на 300, 600, 1200 вольт. Ведутся разработки: Биполярных транзисторов (должны получиться весьма высоковольтные, но тормозные и на отностиельно умеренные, как вообще у биполяров, токи - не очень представляю, где бы они пригодились). Диодов с P-N переходом и тиристоров (видимо, довольно тормозные, но на промышленную частоту хватит, очень высоковольтные - десятки киловольт, в перспективе, если/когда сделают пластины большого диаметра - килоамперный диапазон токов, т.е. то что надо для силовой электроники промышленной частоты). МДП-транзисторов, более высоковольтных, чем существующие. Смогут ли они составить конкуренцию кремниевым при напряжениях до киловольта - не ясно и скорее сомнительно, но на бОльшие напряжения должны быть интересны.
В настоящее время SiC приборы (диоды Шоттки) дороги. Hо уже не очень дороги, а просто дороги. Да и вообще - если отработают технологию и найдут массовый спрос - цены упадут. В свое время ведь и кремниевые транзисторы были значительно дороже германиевых, пока плохо умели делать хороший кремний. И микросхемы стоили гораздо дороже чем то же на дискретных приборах. И много еще таких примеров.
Производители SiC диодов Шоттки