Re: Последовательное соединение MOSFET

Fri Sep 26 2003 09:46, Valentin Davydov wrote to Andrew Zhukowski: >> Частота повтоpения импyльсов в пачке может быть 100 кГц.

VD> Длительность пачки, надеюсь, разумная? А то частота, того, высоковата VD> будет. Хотя... какой-нибудь ТГИ1-100/8, вроде, должен справиться, VD> режим-то облегчённый.

А на деионизацию и заряд линии 10 мксек хватит? А то, помнится, они не очень быстрые в этом смысле. Еще возникает мысль об импульсных тиристорах, но тоже они не шибко быстрые по выключению.

VD> P.S. А мосфетов... 20 штук 100 вольтовых... Да ещё каждому своё управлние VD> подавай, да непростое (открыть мосфет за 5 нс ещё постараться надо)... VD> ну его нафиг. Разве что в массовом изделии.

Hууу ... Я посмотрел данные на STP20N60C3 - время включения близкое к указанному можно получить. Hу накрайняк еще обостритель импульсов. А их все же

- но, может быть, на ВЧ мощных биполярах лучше). Зато точно успеет закрыться. Хотя проблемы есть, конечно ...

Hо импульс безусловно должен формироваться линией, а не включением-выключением ключа. Благо это не просто, а очень просто - небольшой кусок коаксиала.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Fri Sep 26 2003 19:14, Valentin Davydov wrote to Aleksei Pogorily:

VD> Заряд линии - это, как бы, проблема источника питания. По ТЗ в нагрузку VD> должно идти 400 Вт средней мощности, так вынь их да положь (реально около VD> 500 без компрессора, а с компрессором все 600-700). А на деионизацию - VD> надо смотреть. Hа 20 кГц оно у меня работало штатно. В конце концов, есть VD> и ТГИ1-500/16.

Источник, конечно, должен выдавать мощность. Hо обычная дроссельно-диодная цепь заряда как работает: разряд произошел - и сразу же пошла зарядка линии. Если напряжение слишком быстро возрастает - тиратрон опять зажжется из-за того, что в нем плазма еще проводит (деионизация не прошла). Можно, конечно, подавать зарядное напряжение через ключ, с задержкой - но это не сильно интересно, т.к. нужен еще один высоковольный ключ, хотя и с более низкими требованиями к скорости.

VD> Как раз 5 нс на одном мосфете получить не проблема, решается на одном VD> конденсаторе, трёх резисторах и одном КТ342А (впрочем, когда я последний VD> раз делал эту схему, КТ342А под рукой не оказалось, и вполне подошёл VD> отобранный КТ315Г, даже лучше получилось, за счёт меньшей индуктивности VD> выводов ;-). Проблема в согласованной работе сложной схемы.

Лавинный транзистор? А он выдаст сколько надо действительно мощному MOSFET, с зарядом затвора при включении нанокулон 30-50?

VD> Какая разница, пусть хоть 2 - всё равно надо их затворы (в т.ч. VD> миллеровские ёмкости) зарядить быстро, равномерно и одновременно. VD> Ведь не поставишь же их просто по схеме с общим затвором.

Да, конечно. Hо те же STP20N60C3 имеют довольно малое и время задержки включения при большом токе в затвор. Хотя я согласен - проблемы с согласованием будут.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Заряд линии - это, как бы, проблема источника питания. По ТЗ в нагрузку должно идти 400 Вт средней мощности, так вынь их да положь (реально около

Как раз 5 нс на одном мосфете получить не проблема, решается на одном конденсаторе, трёх резисторах и одном КТ342А (впрочем, когда я последний раз делал эту схему, КТ342А под рукой не оказалось, и вполне подошёл отобранный КТ315Г, даже лучше получилось, за счёт меньшей индуктивности выводов ;-). Проблема в согласованной работе сложной схемы.

Какая разница, пусть хоть 2 - всё равно надо их затворы (в т.ч. миллеровские ёмкости) зарядить быстро, равномерно и одновременно. Ведь не поставишь же их просто по схеме с общим затвором.

Применять генераторные транзисторы в импульсных схемах сродни использованию генераторных ламп в модуляторах.

Вал. Дав.

Причём по синусоиде, да ещё и почти вдвое меньшей частоты, чем частота импульсов. Так что в запасе есть полпериода, пока напряжение возрастёт до половины зарядного.

Дык, я и говорю, надо смотреть.

Ага.

Запросто. 80-90 вольт и 430-560 пФ - вполне нормально для этой схемы. Или 60-70 вольт и 510-680 пФ для КТ342А.

Вал. Дав.