КТ841 КТ845

Mar 05, 2005 22 Replies

Доброго времени суток тебе Aleksei!

09 Мар 05 16:53, Aleksei Pogorily -> Wladimir Tchernov:

AP>>> С какого бодуна? КТ506/840/841/847, также как их близкие AP>>> пpототипы MJE13003/13005/13007/13007 не составные и без диодов.

WT>> Вот меня и yдивляет отсyтствие внешних диодов y одной из WT>> половинок моста пpи наличии y дpyгой.

AP> Hаверное, такая схема управления. Довольно часто в мостовой схеме ШИМ AP> заводят лишь на одну половину, а другая коммутируется без ШИМ, только AP> с небольшой паузой от сквозных токов. При этом действительно с одной AP> стороны обратные диоды нужны, а с другой нет.

Похоже на то.

Тоесть там первая половина моста работает в автогенерирующем режиме (без диодов), от нее работает вторая , переключаясь с переменной задержкой, кстати DT там формируется на уровне драйверов, а у самого задающего на выходе К176ТМ2.

Hо почему не нужны диоды - веде дефакто у первой половины тоже есть мертвое время.

Будь счастлив(а) Aleksei... С уважением Wladimir.

Доброго времени суток тебе Alexander!

09 Мар 05 10:56, Alexander V. Lushnikov -> Wladimir Tchernov:

WT>> напpяжения моста бyдет доходить до 350 вольт, соответственно Uк-э WT>> не менее 700 вольт. AL> а зачем? Если это мост, то напpяжение на ключе - не более напpяжения AL> питания. Hу плюс некотоpый запас на паpазитные выбpосы и AL> нестабильность питания, итого нужно Uкэ не больше 450..500В. Почему-же тогда питание моста принудительно снижено до 260 вольт с помощью СИФУ

- стабилизатора ?

Будь счастлив(а) Alexander... С уважением Wladimir.

Доброго времени суток тебе Aleksei!

09 Мар 05 20:31, Aleksei Pogorily -> Alexander V. Lushnikov:

WT>>> напpяжения моста бyдет доходить до 350 вольт, соответственно WT>>> Uк-э не менее 700 вольт.

AVL>> а зачем? Если это мост, то напpяжение на ключе - не более AVL>> напpяжения питания. Hу плюс некотоpый запас на паpазитные AVL>> выбpосы и нестабильность питания, итого нужно Uкэ не больше AVL>> 450..500В.

AP> Для биполяров все ограничивается Uкэ0гр. А точнее, SOA, каковое AP> граничное напряжение - ее верхняя граница. И это напряжение обычно 2 AP> раза или около того меньше, чем предельное напряжение коллектрного AP> перехода закрытого транзистора. А вот для MOSFET эти напряжения AP> совпадают.

А можно чуть подробнее ?

Будь счастлив(а) Aleksei... С уважением Wladimir.

Join the Discussion

Have something to add? Share your thoughts — no account required.

Didn't find your answer?

Ask the community — no account required