Źródła zależne

Dnia Sat, 9 Jan 2016 19:05:04 +0100, Ignacy napisał(a):

No przeciez pisze "whose value depends on a voltage or current somewhere else in the network"

Przy czym te w modelach to w zasadzie nie zrodla.

J.

W dniu 09.01.2016 o 19:26, J.F. pisze:

a co to oznacza? baterię z dużym wewnętrznym oporem?

W dniu 2016-01-09 o 19:47, Ignacy pisze:

baterię zasilaną z innej baterii :)

a.

Dnia Sat, 9 Jan 2016 19:58:56 +0100, Artur Miller napisał(a):

Zasilana to zle slowo. Baterie, ktorej napiecie zalezy od napiecia w jakims calkiem innym miejscu. Albo od pradu. Albo zrodlo pradowe, o pradzie zaleznym od napiecia gdzies tam. Czy pradu.

Taki np tranzystor mosfet - prad przepuszczany miedzy drenem a zrodlem zalezy od napiecia miedzy bramka a zrodlem. Co sie modeluje zrodlem pradowym miedzy D a S, sterowanym napieciem na bramce.

J.

W dniu 09.01.2016 o 21:19, J.F. pisze:

Tego nie za bardzo rozumiem, prąd między drenem z źródłem wynika ze zmiennej rezystancji sterowanej napięciem na bramce. Gdyby to było dodatkowe źródło zasilania, to było by możliwe napięcie większe niż ma bateria i prąd większy niż wychodzi z baterii a zdaje się, tak nie ma. Choć w układach elektrycznych jest możliwość zwiększenia napięcia przy użyciu transformatorów - liczy się indukcyjność cewek? Będę musiał wziąć się za podstawy.

Wiesz, najpierw musisz zrozumiec ze masz rzeczywiste uklady i modele matematyczne. Np. rzeczywisty uklad to mosfet ze zrodlem podpietym do napiecia odniesienia (masy) i drenem podpietym przez opornik do zasilania. W modelu matematycznym zastepujesz mosfeta przez (liniowe) sterowane zrodlo pradowe. Ten model matematyczny jest prosty, latwo mozna przeanalizowac jego zachowanie. Ale zachowuje sie inaczej niz uklad rzeczywisty. Jak parametry sa dobrze dobrane to roznice moga byc pomijalne (w technice czesto 10% jest do pominiecia). Ale przy duzej zmianie napiecia wejsciowego uklad rzeczywisty i model zachowuja sie inaczej: w ukladzie rzeczywitym (pomijajac ewentualne pojemnosci czy indukcyjnosci) napiecie bedzie miedzy zerem a napieciem zasilania. Model jest liniowy i na wyjciu mozesz miec dowolnie duze napiecie czy zmiane znaku. Po prostu stosujac model do badania ukladu rzeczywistego trzeba sobie zdawac sprawe czy uproszczenia wprowadzone w modelu prowadza do akceptowalnej dokladnosci. Jak nie to trzeba uzyc dokladniejszy model. Np. mozesz potraktowac mosfet jako zrodlo nieliniowe.

Wracajac do zrodel: zrodlo napieciowe sterowane napieciem to inaczej wzmaniacz idealny. W praktyce idealnego wzmacniacza nie da sie zrobic, a dobre przyblizenia moga byc kosztowne. W teorii wzmacniacz idealny latwo sie bada. A nieco komplikujac model (np. uwzgledniajac nieliniowosc czy dodajac elementy pasozytnicze) moze uzyskac dosc dobra zgodnosc z ukladem rzeczywistym. To chyba wyjasnia dlaczego sie uzywa zrodla napieciowe sterowane napieciem. Pozostale rodzeje zrodel sa troche dla symetii teorii. Ale tez dlatego ze np. tranzystory naturalnie sie modeluje z uzyciem zrodel pradowych.

Przy budowie modeli zrodla sterowne to "tanie" (latwe do zrozumienia) elementy do duzej funkcjonalnosci, wiec sie nie dziw ze sa traktowane jako jedne z elementow podstawowych.

Jeszcze jedno: pamietaj ze modeluje sie caly uklad. Ten sam element w roznych ukladach moze miec rozne modele.

Dnia Sat, 9 Jan 2016 22:25:03 +0100, Ignacy napisał(a):

Zobacz np BS170

Fig 1 - wykres pradu drenu w zaleznosci od napiecia Uds. Przy roznych napieciach bramki.

Spojrz na linie przy Vgs=4V Tam sa niejako dwa obszary, a nawet trzy. Przy Uds ponizej ~0.7V prad zalezy niemal proporcjonalnie od napiecia. A skoro tak, to mamy jakas rezystancje - wspolczynnik tej proporcjonalnosci. Ale powyzej 1.5V prad jest staly i niemal nie zalezy od napiecia Uds. To nazywamy praca w trybie zrodla pradowego.

Popatrz na linie Vgs=5V. Napiecia graniczne sie zmienily, ale nie o to chodzi. Nadal mamy obszar stalej rezystancji i obszar stalego pradu. Rezystancja sie zmniejszyla, bo linia bardzej nachylona, a prad wzrosl. Przy Vgs 3V widac glownie obszar stalego pradu

W ukladach przelaczajacych, przetwornicach, H-bridge itp - staramy sie pracowac w pierwszym obszarze. Dajemy duze napiecie bramki, duzy prad plynie juz przy nieduzym napieciu - a wiec tranzystor sie malo grzeje.

Ale np we wzmacniaczach sygnalow analogowych praca jest w drugim obszarze - napiecia bramki sa nizsze, i jak widac - prad drenu zalezy glownie od napiecia bramki, a nie napiecia drenu. Czyli niejako mamy sterowane zrodlo pradowe. Oczywiscie napiecie drenu musi byc odpowiednio wysokie.

Nie myl tych dwoch rzeczy. Prad drenu nie zalezy od napiecia drenu - wiec mowimy: zrodlo pradowe. I takie jest na schemacie zastepczym.

Ale tak naprawde prad pochodzi z baterii. Tylko, ze przy analizie zmiennosygnalowej to pomijamy, bo bateria ma napiecie stale.

transformator to skomplikowane bydle, lepiej w osobnym watku.

J.