Drodzy grupowicze
Czy ktoś z Was podejmował kiedykolwiek próbę analizy zależności opisujących modele MOSFET wbudowane w SPICE (model Shichmana-Hodgesa [LEVEL=1], model Meyer'a [LEVEL=2], model Dang'a [LEVEL=3])
Proszę o kontakt z zainteresowanymi.
Znalazłem wiele nieścisłości-błędów literaturowych i chciałbym to z kimś omówić....
Damian Bisewski
Alez prosimy publicznie.
J.
Nie ma sprawy....
Problem dotyczy między innymi opisu napięcia progowego w wymienionych modelach. Zauważcie, że w deklaracji tranzystora możemy podać, albo parametr napięcia progowego VTO, albo SPICE obliczy tę wartość z parametrów technologicznych, i tak:
Vto(t)=VTO+GAMMA*(pierwiastek(PHI-Vbs)-pierwiastek(PHI)) (1)
VTO=-TPG*Eg(T)/2+k*T/q*ln(NSUB/Ni(T))-q*NSS/Cox (2)
Jeżeli mamy do czynienia z tranzysterem MOS mocy, wtedy podłoże zwierane jest ze źródłem, czyli Vbs=0
Zatem wzór (1) upraszcza się do postaci:
Vto(t)=VTO (3)
Tranzystor MOS mocy np. IRF840 lub IRF150 mają wartość napięcia progowego od około 2 - 4V. Podstawcie proszę do wzoru (2) takie wartości parametrów, żeby uzyskać Vto(300K) na takim poziomie. Z moich obliczeń wynika, że wartość obliczona jest równa około -0,25V (koncentracja NSUB=4*1e21). Według mnie, zależności podawane np. w Manual'u do SPICE'a są czasem idiotyczne... Chociaż istotnie wraz ze wzrostem temperatury wartość napięcia progowego maleje, jak w rzeczywistym tranzystorze...... Czy ktoś już spotkał się z tym problemem???? Czy ktoś zna prawidłowy opis tych zależności ?
Jak macie jakieś pytania - walcie śmiało - w miarę możliwości postaram się wytłumaczyć...
Damian Bisewski
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Ask the community — no account required