Drodzy grupowicze
Czy ktoś z Was podejmował kiedykolwiek próbę analizy zależności opisujących modele MOSFET wbudowane w SPICE (model Shichmana-Hodgesa [LEVEL=1], model Meyer'a [LEVEL=2], model Dang'a [LEVEL=3])
Proszę o kontakt z zainteresowanymi.
Znalazłem wiele nieścisłości-błędów literaturowych i chciałbym to z kimś omówić....
Damian Bisewski
Alez prosimy publicznie.
J.
Nie ma sprawy....
Problem dotyczy między innymi opisu napięcia progowego w wymienionych modelach. Zauważcie, że w deklaracji tranzystora możemy podać, albo parametr napięcia progowego VTO, albo SPICE obliczy tę wartość z parametrów technologicznych, i tak:
Vto(t)=VTO+GAMMA*(pierwiastek(PHI-Vbs)-pierwiastek(PHI)) (1)
VTO=-TPG*Eg(T)/2+k*T/q*ln(NSUB/Ni(T))-q*NSS/Cox (2)
Jeżeli mamy do czynienia z tranzysterem MOS mocy, wtedy podłoże zwierane jest ze źródłem, czyli Vbs=0
Zatem wzór (1) upraszcza się do postaci:
Vto(t)=VTO (3)
Tranzystor MOS mocy np. IRF840 lub IRF150 mają wartość napięcia progowego od około 2 - 4V. Podstawcie proszę do wzoru (2) takie wartości parametrów, żeby uzyskać Vto(300K) na takim poziomie. Z moich obliczeń wynika, że wartość obliczona jest równa około -0,25V (koncentracja NSUB=4*1e21). Według mnie, zależności podawane np. w Manual'u do SPICE'a są czasem idiotyczne... Chociaż istotnie wraz ze wzrostem temperatury wartość napięcia progowego maleje, jak w rzeczywistym tranzystorze...... Czy ktoś już spotkał się z tym problemem???? Czy ktoś zna prawidłowy opis tych zależności ?
Jak macie jakieś pytania - walcie śmiało - w miarę możliwości postaram się wytłumaczyć...
Damian Bisewski
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.