Re: uklad czasowy

Jul 19, 2010 1 Replies


No tak nie zrozumiałeś albo ja źle to tłumacze .


Wygląda na to, że nie zrozumiałeś idei.


Zakładam, że zasilanie V1 (póki jest) ma _WYSTARCZAJĄCĄ_WYDAJNOŚĆ_ do wysterowania małego przekaźnika. Jeśli tak jest - to łączymy: (posługuję się oznaczeniami z

formatting link
- przekaźnik DPDT, Form C czyli Break before Make - dla zapewnienia separacji galwanicznej)


- zasilanie przekaźnika do V1


- kondensator do 2 styków wspólnych przekaźnika C1 C2


- styki NO (te które przekaźnik łączy ze wspólnymi gdy jest wzbudzony, czyli B1 B2) - do V1


- styki NC (A1 A2) do bramki i źródła jakiegoś MOSFETa, z równoległym rezystorem


- dren i źródło tegoż MOSFETa zwiera żądany obwód.


Przy istniejącym zasilaniu przekaźnik jest wzbudzony i podłącza C do V1 - kondensator się ładuje. Przy braku zasilania przekaźnik puszcza. Kondensator zostaje podłączony do bramki i źródła MOSFETa. MOSFET (nie żaden transoptor!) zwiera TEN OBWÓD CO MA BYĆ ZWARTY. Rezystor włączony równolegle z G-S rozładowuje kondensator. Po obniżeniu napięcia na C poniżej napięcia progowego Ugs MOSFETa tenże rozłącza obwód. Separację galwaniczną zapewnia przekaźnik - nie ma bezpośredniego przejścia między V1 a obwodem zwieranym. Reszta to kwestia dobrania elementów.


Układ można komplikować jeśli konieczne jest szybkie rozłączenie MOSFETa lub mały czas bierny.


Jeśli to nadal nie spełnia Twoich wymagań - to znaczy że musisz je doprecyzować. Pozdrawiam, Ceat

Wygl±da na to, ¿e nie zrozumia³e¶ idei.

Zak³adam, ¿e zasilanie V1 (póki jest) ma _WYSTARCZAJ¡C¡_WYDAJNO¦Æ_ do wysterowania ma³ego przeka¼nika. Je¶li tak jest - to ³±czymy: (pos³ugujê siê oznaczeniami z

formatting link
- przeka¼nik DPDT, Form C czyli Break before Make - dla zapewnienia separacji galwanicznej)

- zasilanie przeka¼nika do V1

- kondensator do 2 styków wspólnych przeka¼nika C1 C2

- styki NO (te które przeka¼nik ³±czy ze wspólnymi gdy jest wzbudzony, czyli B1 B2) - do V1

- styki NC (A1 A2) do bramki i ¼ród³a jakiego¶ MOSFETa, z równoleg³ym rezystorem

- dren i ¼ród³o tego¿ MOSFETa zwiera ¿±dany obwód.

Przy istniej±cym zasilaniu przeka¼nik jest wzbudzony i pod³±cza C do V1 - kondensator siê ³aduje. Przy braku zasilania przeka¼nik puszcza. Kondensator zostaje pod³±czony do bramki i ¼ród³a MOSFETa. MOSFET (nie ¿aden transoptor!) zwiera TEN OBWÓD CO MA BYÆ ZWARTY. Rezystor w³±czony równolegle z G-S roz³adowuje kondensator. Po obni¿eniu napiêcia na C poni¿ej napiêcia progowego Ugs MOSFETa ten¿e roz³±cza obwód. Separacjê galwaniczn± zapewnia przeka¼nik - nie ma bezpo¶redniego przej¶cia miêdzy V1 a obwodem zwieranym. Reszta to kwestia dobrania elementów.

Uk³ad mo¿na komplikowaæ je¶li konieczne jest szybkie roz³±czenie MOSFETa lub ma³y czas bierny.

Je¶li to nadal nie spe³nia Twoich wymagañ - to znaczy ¿e musisz je doprecyzowaæ. Pozdrawiam, Ceat

Join the Discussion

Have something to add? Share your thoughts — no account required.

Didn't find your answer?

Ask the community — no account required