Witam,
Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego egzemplarza? Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max lub Id max ? Na podstawie schematu nie da sie ustalic co moze byc przyczyna. Mosfet pracuje jako klucz DC z praktycznie zerowa f.
Adam
Użytkownik Górski Adam napisał:
Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np. początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie (zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.
Pozdrawiam Grzegorz
Grzegorz Kurczyk pisze:
Tak , dokładnie tak. Chciałem się upewnić.
Adam
U¿ytkownik "Grzegorz Kurczyk" snipped-for-privacy@antispam.control.slupsk.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news:go34ie$qvd$ snipped-for-privacy@nemesis.news.neostrada.pl...
Zwykle jednak co¶ ogranicza pr±d zwarciowy i efektem jest miejscowe stopienie struktury bez upalenia doprowadzeñ. Tranzystor ma zwarte wszystko ze wszystkim a przyczyn mo¿e byæ naprawdê wiele. Mo¿e byæ przekroczenie Uds, za du¿y pr±d obci±¿enia ale mo¿e byæ te¿ wej¶cie w pracê liniow± przez nieprawid³owe sterowanie (np. za ma³e Ugs), co równie¿ doprowadza do uszkodzenia przez przegrzanie.
e.
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Ask the community — no account required