EPAD

Używam zubożonych MOSFETów jako układów startowych do przetwornic - np. LND150 - 1.5 mA przy zwartym źródle z bramką, 0.5 mA przy 1 kΩ w źródle.

Tak, LND150 to fantastyczny i bardzo powtarzalny element, sam sporo używam. Jak źródło startowe akurat nie, bo ma tylko 500 V_DS_MAX, a potrzebowałem więcej. Jakiś inny się nadał.

Tylko EPAD to ani MOSFET zubożany, ani wzbogcany - znajuje się dokadnie w środku. Bliżej mu do

Pozdrawiam, Piotr

O, ciekawostka. Podrzucisz jakieś przykłady?

Pamiętam dobrze mój pierwszy układ startowy na DMOS, biurko zaświeciło jak dekoracje świąteczne na domu Clarka Griswolda i wywaliło główny bezpiecznik na wejsciu WLZ. Cena postępu i nowoczesności, s*it happens.

A jak Ci kiedyś pokazałem 40V-1kV, to pisałeś, że wydumka. ;-P

Pozdrawiam, Piotr

Śliczne, widać postęp! Sprzężenie wtórna-pierwotna też zrobili sami w środku, co jest dla mnie kluczowe. Trochę rozczarowuje napięcie przebicia: dla klucza 1.7kV 4kV to trochę mało. 5-8kV bym tam widział, ale poza tym mucha nie siada.

Pozdrawiam, Piotr

W dniu 2022-05-13 o 18:23, RoMan Mandziejewicz pisze:

piękne, pytanie tylko czy to wewnętrzne sprzężenie ma papiery UL na izolację wzmocnioną lub lepiej? Bo jak nie, to kiepskawo..