Taka ciekawostka: MOSFETy o zerowym Vth, pilnowanym z dokładnością do
0.01V. Są też wersje z innym Vth (0.2V..3.5V), pilnowanym równie dokładnie.Trochę drogie, ale kilka pomysłów przetestować pozwolą.
Pozdrawiam, Piotr
Taka ciekawostka: MOSFETy o zerowym Vth, pilnowanym z dokładnością do
0.01V. Są też wersje z innym Vth (0.2V..3.5V), pilnowanym równie dokładnie.Trochę drogie, ale kilka pomysłów przetestować pozwolą.
Pozdrawiam, Piotr
Używam zubożonych MOSFETów jako układów startowych do przetwornic - np. LND150 - 1.5 mA przy zwartym źródle z bramką, 0.5 mA przy 1 kΩ w źródle.
[...]
Tak, LND150 to fantastyczny i bardzo powtarzalny element, sam sporo używam. Jak źródło startowe akurat nie, bo ma tylko 500 V_DS_MAX, a potrzebowałem więcej. Jakiś inny się nadał.
Tylko EPAD to ani MOSFET zubożany, ani wzbogcany - znajuje się dokadnie w środku. Bliżej mu do
Pozdrawiam, Piotr
O, ciekawostka. Podrzucisz jakieś przykłady?
Pamiętam dobrze mój pierwszy układ startowy na DMOS, biurko zaświeciło jak dekoracje świąteczne na domu Clarka Griswolda i wywaliło główny bezpiecznik na wejsciu WLZ. Cena postępu i nowoczesności, shit happens.
A jak Ci kiedyś pokazałem 40V-1kV, to pisałeś, że wydumka. ;-P
Pozdrawiam, Piotr
Śliczne, widać postęp! Sprzężenie wtórna-pierwotna też zrobili sami w środku, co jest dla mnie kluczowe. Trochę rozczarowuje napięcie przebicia: dla klucza 1.7kV 4kV to trochę mało. 5-8kV bym tam widział, ale poza tym mucha nie siada.
Pozdrawiam, Piotr
W dniu 2022-05-13 o 18:23, RoMan Mandziejewicz pisze:
piękne, pytanie tylko czy to wewnętrzne sprzężenie ma papiery UL na izolację wzmocnioną lub lepiej? Bo jak nie, to kiepskawo..
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.