Mam pytanie.
Od czego zalezy gorna i dolna czestotliwosc graniczna stopnia wzmacniajacego. Chodzi o tranzsytor bipolarny. Jak obliczyc lub zaprojektowac gorna i dolna czestotliwosc graniczna
Z gory dziekuje za pomoc.
Mam pytanie.
Od czego zalezy gorna i dolna czestotliwosc graniczna stopnia wzmacniajacego. Chodzi o tranzsytor bipolarny. Jak obliczyc lub zaprojektowac gorna i dolna czestotliwosc graniczna
Z gory dziekuje za pomoc.
ale m.cz. czy w.cz. ?
Pewnego dnia Kleszcz przemówił ludzkim głosem:
Przede wszystkim powinieneś napisać w jakim układzie ma pracować ten wzmacniacz, bo od tego zależy model zastępczy tranzystora i dalsze obliczenia. Ogólnie rzecz ujmując dolna częstotliwość graniczna zależy od pojemności sprzęgających, oraz rezystancji "widzianych" z zacisków tych pojemności. Górna częstotliwość graniczna zależy głownie od pojemności wejściowej (pojemność be, pojemność millerowska) i rezystancji widzianej przez tą pojemność (rezystancja generatora, rezystancja rozproszona bazy itp).
Pewnego dnia Kleszcz przemówił ludzkim głosem:
Jeśli chodzi o częstotliwość dolną to trzeba 3dB spadku "rozparcelować" na trzy kondensatory wejściowy (C1), wyjściowy (C2), emiterowy (Ce). Przykładowo może to być 0,5dB na C1, 0,5dB na C2 i 2dB na Ce.
C1=1/(2*p*sqrt(q^2-1)*fd*(Rwe+Rg)) q- współczynnik zależny od spadku wzmocnienia np. 0,5dB to q=1,06
2dB to q=1,26 Rwe - rezystancje wejściowa wzmacniacza R1||R2||(rbb'+rbe') R1, R2 - rezystory polaryzujące bazę, układ potencjom. Rg - rezystancja generatora rbb' - rezyst. rozproszona bazy rb'e - dynamiczna rezystancja b-e (Vt/Ib, Vt - pot. term.) fd - częstotliwość dolnaC2=1/(2*p*sqrt(q^2-1)*fd*(Rwy+Robc)) Rwy - rezystancja wyjściowa (Rc||rce) rce=(Vaf+Vce)/Ic; Vaf - napięcie early'ego Robc - rezystancja obciążenia
CE=1/(2*p* sqrt(q^2-1)*fd*(((Rg||R1||R2)+rb'e+rbb')/bO)||RE)) b0 - beta w punkcie pracy
Górna częstotliwość graniczna:
fg=1/(2*p*Rcwe*Cwe) gdzie Rcwe - rezystancja widziana z punktu widzenia pojemności wejściowej tranzystora Rcwe=rbe||(rbb'+Rg||R1||R2) Cwe=Cte+(1-kU)*Ctc gdzie Cte=gm/wF-Ctc (słuszne jeśli pominąć pojemność dyfuzyjną b-e), gm=Ic/Vt, wF - pulsacja graniczna, Ctc - pojemność złączowa w punkcie pracy, kU - wzmocnienie napięciowe zaprojektowanego wzmacniacza.
ps. tnij cytaty i odpowiadaj pod spodem
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.