Hi Johannes,
die einfachste Lösung, denke ich, ist es, eine integrierte stromgeregelte PWM-H-Brücke zu verwenden, wie Du sie z.B. bei Allegro
Thiemo
Hi Johannes,
die einfachste Lösung, denke ich, ist es, eine integrierte stromgeregelte PWM-H-Brücke zu verwenden, wie Du sie z.B. bei Allegro
Thiemo
Löle,
Das Gate hat eine Kapazität, wie Johannes ja mittlerweile weiß. Zusammen mit der Induktivität der Zuleitung zum Gate bildet sich ein ''Schwingkreis''. Durch die Vorwiderstände wird er bedämpft.
Ciao - Peter
-- Für Privat-Email bitte Betreff mit "Usenet-Reh" beginnen lassen. --
Ah ja, das verstehe ich jetzt auch. Freut mich.
Jetzt wollte ich gerade nach Treiberbausteinen suchen, die bei Reichelt beziehbar sind (weil ich da eh bestelle), aber die führen nicht die oben genannten (mit Bootstrap-Funktion). Haben aber den ICL7667 für nen Euro. Kann ich den nicht auch für meinen Zweck verwenden (bzw. wäre der nicht sogar besser, weil weniger externe Bauteile notwendig)?
Und gibt's was besseres als den BUZ11 (die FAQ nennt IRF530 - der scheint mir aber sehr vergleichbar zu sein von den Daten her)? Ist der BUZ echt Schrott, wie Dieter schreibt?
Viele Grüße, Johannes
Ah, das leuchtet mir ein.
Vielen Dank, Gruß, JOhannes
"Johannes Bauer" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@joehost.joedomain...
Klar braucht der weniger Bauteile, er steuert ja auch nur den unteren Transi und hat die ganze Spannungsueberhoehungsmimik nicht drin.
Ciss etwa 60%, also schon etwas moderner.
-- Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
Meinst du mit "unteren" FET den im Schaltplan unten liegenden? Weil der ICL7667 hat zwei (invertierende) Treiberstufen drin, die dann beide bei Eingang LOW den Ausgang auf die +12V schalten würden. Wo besteht da der Unterschied zwischen dem unterenun dem oberen FET?
Gruß, Johannes
Johannes Bauer schrieb:
Haben sie doch, die sind allerdings bei den Transistoren einsortiert.:-( Nimm IR2111 oder IR2153.
'Schrott' hast du zuerst gesagt.:-) Es gibt halt modernere MOSFETs, die haben bei gleicher Belastbarkeit (Uds/Ids) eine erheblich geringere Eingangskapazität, z.B. IRFZ34N.
Gruß Dieter
"Johannes Bauer" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@joehost.joedomain...
Ja.
fuer 2 untere, wie an den Beispielschaltungen erkennbar
und eben nicht von 12V bis 22V, wie es fuer den 'oberen' (die
+12V schaltenden) MOSFET notwendig waere.Anderes Potential.
-- Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
Ach stimmt, jetzt hab ichs mal durchgerechnet. Ich schreibs mal hier hin, falls jemand auch so Probleme hat, wie ich, zum Verständnis:
Ich habe mit folgenden Werten gerechnet: R_DSon = 0.05 Ohm, R_DSoff = 10 MOhm, R_Last = 10 Ohm, Vcc = 12V:
Unterer FET (der einfach zu schalten ist): FET aus FET an
Vcc | | 12V 12V | +-+ | | | | R_Last = 10 Ohm R_Last = 10 Ohm | | +-+ | Drain -->| 11.9999 V 0.0597 V | +-+ | | | | R_DS = 1MOhm R_DS = 0.05 Ohm | | +-+ | Source -->| 0V 0V | GND
Oberer FET (wo man die 22V am Gate braucht): FET aus FET an
Vcc | Drain -->| 12V 12V | +-+ | | | | R_DS = 1MOhm R_DS = 0.05 Ohm | | +-+ | Source -->| 0.0001 V 11.9403 V | +-+ | | | | R_Last = 10 Ohm R_Last = 10 Ohm | | +-+ | | 0V 0V | GND
Und da die Gatespannung bei einem N-Fet so ca. 10V höher sein muss, als Source, geht's beim unteren FET einfach (Weil Source auf 0V liegt). Beim Oberen FET verändert sich die Sourcespannung aber, sobald der FET durchschaltet, darum muss die Gatespannung noch höher liegen.
Falls da Fehler drin sind, bitte korrigieren.
Viele Grüße, Johannes
Ah, cool! Hab deine Nachricht leider erst jetzt gerade gelesen. Danke für den Tipp!
Stimmt ;-)
Ich schau mal rum, danke!
Viele Grüße, Johannes
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