Motor in PWM-Ansteuerung

Löle,

Das Gate hat eine Kapazität, wie Johannes ja mittlerweile weiß. Zusammen mit der Induktivität der Zuleitung zum Gate bildet sich ein ''Schwingkreis''. Durch die Vorwiderstände wird er bedämpft.

Ciao - Peter

Ah ja, das verstehe ich jetzt auch. Freut mich.

Jetzt wollte ich gerade nach Treiberbausteinen suchen, die bei Reichelt beziehbar sind (weil ich da eh bestelle), aber die führen nicht die oben genannten (mit Bootstrap-Funktion). Haben aber den ICL7667 für nen Euro. Kann ich den nicht auch für meinen Zweck verwenden (bzw. wäre der nicht sogar besser, weil weniger externe Bauteile notwendig)?

Und gibt's was besseres als den BUZ11 (die FAQ nennt IRF530 - der scheint mir aber sehr vergleichbar zu sein von den Daten her)? Ist der BUZ echt Schrott, wie Dieter schreibt?

Viele Grüße, Johannes

Ah, das leuchtet mir ein.

Vielen Dank, Gruß, JOhannes

"Johannes Bauer" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@joehost.joedomain...

Klar braucht der weniger Bauteile, er steuert ja auch nur den unteren Transi und hat die ganze Spannungsueberhoehungsmimik nicht drin.

Ciss etwa 60%, also schon etwas moderner.

Meinst du mit "unteren" FET den im Schaltplan unten liegenden? Weil der ICL7667 hat zwei (invertierende) Treiberstufen drin, die dann beide bei Eingang LOW den Ausgang auf die +12V schalten würden. Wo besteht da der Unterschied zwischen dem unterenun dem oberen FET?

Gruß, Johannes

Johannes Bauer schrieb:

Haben sie doch, die sind allerdings bei den Transistoren einsortiert.:-( Nimm IR2111 oder IR2153.

'Schrott' hast du zuerst gesagt.:-) Es gibt halt modernere MOSFETs, die haben bei gleicher Belastbarkeit (Uds/Ids) eine erheblich geringere Eingangskapazität, z.B. IRFZ34N.

Gruß Dieter

"Johannes Bauer" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@joehost.joedomain...

Ja.

fuer 2 untere, wie an den Beispielschaltungen erkennbar

und eben nicht von 12V bis 22V, wie es fuer den 'oberen' (die

Anderes Potential.

Ach stimmt, jetzt hab ichs mal durchgerechnet. Ich schreibs mal hier hin, falls jemand auch so Probleme hat, wie ich, zum Verständnis:

Ich habe mit folgenden Werten gerechnet: R_DSon = 0.05 Ohm, R_DSoff = 10 MOhm, R_Last = 10 Ohm, Vcc = 12V:

Unterer FET (der einfach zu schalten ist): FET aus FET an

Vcc | | 12V 12V | +-+ | | | | R_Last = 10 Ohm R_Last = 10 Ohm | | +-+ | Drain -->| 11.9999 V 0.0597 V | +-+ | | | | R_DS = 1MOhm R_DS = 0.05 Ohm | | +-+ | Source -->| 0V 0V | GND

Oberer FET (wo man die 22V am Gate braucht): FET aus FET an

Vcc | Drain -->| 12V 12V | +-+ | | | | R_DS = 1MOhm R_DS = 0.05 Ohm | | +-+ | Source -->| 0.0001 V 11.9403 V | +-+ | | | | R_Last = 10 Ohm R_Last = 10 Ohm | | +-+ | | 0V 0V | GND

Und da die Gatespannung bei einem N-Fet so ca. 10V höher sein muss, als Source, geht's beim unteren FET einfach (Weil Source auf 0V liegt). Beim Oberen FET verändert sich die Sourcespannung aber, sobald der FET durchschaltet, darum muss die Gatespannung noch höher liegen.

Falls da Fehler drin sind, bitte korrigieren.

Viele Grüße, Johannes

Ah, cool! Hab deine Nachricht leider erst jetzt gerade gelesen. Danke für den Tipp!

Stimmt ;-)

Ich schau mal rum, danke!

Viele Grüße, Johannes