Væddemål (MOSFET)

Lasse Madsen skriver:

Hvor meget strøm løber der i gate på en MOSFET ?

Den effekt man afsætter i stigetiden er den tide det tager den for at gå fra off til on.

Klaus

Hej

Det kan vel blive til en del ved høje frekvenser....specielt hvis man ønsker korte stige og falde tider, så skal der hives noget energi ind og ud af gaten.. ikke sagt der løber en dc strøm...

Kasper

"Lasse Madsen" skrev i en meddelelse news:cj73l9$mgj$ snipped-for-privacy@news.cybercity.dk...

at

jo

denne

Du har ret, hvis jeg forstår spm. korrekt. Det er strømmen OG spændingen som giver effektafsættelse. Dvs . mens transistoren befinder sig i det "analoge" område hvor den ikke er enten helt ON eller helt OFF. Jo hurtigere stigtid, jo kortere tid er transistoren i den tilstand som afsætter stor effekt i den.

Gatestrømmen giver sælf. en smule effek varmeafsættelse i sig selv, men i forhold til den effekt som transistoren ellers switcher, er den irrelevant.

mvh JBH

Men den strøm afsætter jo alligevel ikke effekt, da den går i en kapacitiv belastning, nemlig FET'ens gate-kapacitet (som iøvrigt kan være ganske stor for kraftige FET'er).

som

"analoge"

Må jeg komme med tilråb: Det er strøm GANGE spænding, der giver effektafsætningen.

Bo //

-til tider temmelig meget. Jeg har nogle 300Amp MOSFET'er, som har en meget stor gatekapacitet (læs: gateladning). Målt med en HF strømprobe ligger jeg omkring 4.5Amp i den korte tid jeg er om at skifte fra +18 til -8V på gaten. Til gengæld har jeg on/off tider på ca 70ns for en drainstrøm på 80Amp.

Bo //

"Bo Bjerre" skrev i en meddelelse news:41571dd4$0$14232$ snipped-for-privacy@nntp02.dk.telia.net...

Ja, ham med Ohm´s lov har ikke levet forgæves ;-)

(Kunne også have sagt det er strømmen ELLER spændingen som ikke afsætter effekt ;-)

mvh JBH

Bo Bjerre skriver:

Og den effektafsættelse er meget minimal i forhold til effektafsættelsen i D-S mens den er på vej "on".

Klaus

-jeg ku' bare ikke lade være med at skrive det...

Bo //

meget

jeg

gaten.

Tjah.. Jeg futter vel en lille watt af i min gatedriver på grund af den frekvens jeg skifter ved. Gatekapaciteten ligger lidt over 10nF.

Min store afbrænding kommer fra on modstanden i FET'en. Med 80Amp og en on-modstand på 5mOhm, sætter jeg ca 20watt (med det pulsbreddeforhold jeg har) pr transistor. Yderligere ca 15watt kommer fra skiftet, og er frekvensbestemt.

Bo //

Det er noget optimalt vås. Se hvordan man driver en FET, søg på SI9910

Mnjah. Det gælder om at få kylet noget ladning i gaten i en fart, især hvis drain håndterer store strømme. 100-500A som jeg arbejder med p.t.

- så er evt. tab i laddefasen lidt ligegyldige. Udover det er det "sluk" tiden der er mest spændende når man har 200A gående D_S ;-)

Din kammerat har misforstået noget, du mangler nok også lidt.

Hm. Type?

Jeg bruger nogle STY34 for øjeblikket de er kun 34A/500V. Jeg drømmer om nogle 100A/700V, men jeg har ikke fundet andet en IGBT der duer her.

Jeg har en anden konstruktion, hvor jeg bruger nogle IXFN70N60Q2 fra IXYS. APT laver noge, der ligener dem. Det er 70Amp, som jeg parallelkobler to af, og det virker fint. Noget af problemet er at transistorernes indre forbindelser ikke tåler de store strømme. Parallelkobling nedsætter også kredsløbets on-modstand.

Bo //

Bo Bjerre skriver:

Men begrænsede du strømmen til gaten, ville stigetiden blive længere, noget omkring oplandning af gatekapaciteten..

Klaus

Den eneste begrænsning sker ved høje frekvenser, idet det er normalt at have en ferritperle i gaten. Ellers har man en svingningskreds, der består at gatekapaciteten og de induktanser, der er i transistoren og printet. Det kan godt give en del svingninger omkring 18MHz, i mit tilfælde. Hurtigt og effektivt gatedrive er ikke let...

Det generelle svar til Lasse må være, at for at sikre et hurtigt skift, og dermed små skiftetab, begrænser man IKKE gatestrømmen.

Bo //

Bo Bjerre skriver:

Føj, så vil jeg hellere brænde SKiiP moduler af......

Jep, han har ret, kammeraten vrøvler !

Klaus

Tak for de fyldstgørerende svar...

forhåbentlig kommer han snart til fornuft og indser at jeg skal have en kasse humle for det :D

/lasse

Min kammerat begrunder hans svar med følgende citat fra Fætter BR Audio

Stigetiderne skal helst minimeres for at holde effekttabet nede ved hårde belastninger, men må gerne sløves lidt ned når der ikke spilles så højt, for så bliver tomgangstabet nemlig lavere. Derfor har vi (LC Audio) udviklet PulseField teknologien, hvor stigetiderne kontrolleres præcist i takt med signal amplituden, for at skabe den højeste effektivitet, med lavest mulig støjudstråling fra udgangstrinet

I mine ører lyder det som fis fra en horn lygte og salgs gas som man kender det ... nogen kommentarer ?

/Lasse

Er det ikke modsat, da det er stigetiden der bruger strøm, så jo længere tid den er om at stige, jo mere strøm(samlet over tid) bruges der. Prøv at sætte et regnestykke op, hvor der beregnes den samlede forbrugte effekt, vs. stigetiden... så vil han se det.

MEN, i kan jo snakke forbi, og han tænker på at den strøm der hives, vil holdes nede, vis man trækker stigetiden ud, og derved ikke vil få de sygt store strøm spikes, som en ukontroleret Mosfet vil lave, under ON. Altså, du snakke om samlet Energi forbrug, og han snakker maks. Strøm spike. To forskellige ting men begge vigtige i MOSFET sammenhæng.

Tror i skal snakke igennem, helt præcis hvad hver især mener... og så er det ik så svært at lavet et simplificeret udtryk både, for Effektfobrug vs. stige tid, og Maks. strømspike vs. stigetid. i skal jo ikke tage hensyn om omkringliggende kredsløb, eller helt præcise værdier i selve MOSFET'en.