Nej, elektro-migration og termisk run-away er to forskellige fysiske mekanismer:
Elektromigration er når strømtætheden bliver så stor, at elektronerne slår atomerne ud af position i ledningen (eller viaen). Dette sker naturligt der hvor produktions tolerancerne give den højeste strømtæthed og er en selvforstærkende process.
Termisk run-away ses normalt kun i bipolære tranistorer, hvor forstærkning øges og/eller de parasitiske modstande reduceres med øgende temperatur. Begge dele vil give en øget strøm og dermed en øget temperatur ==> en selvforstærkende process. For at forhindre termisk run-away sætter man ofte en modstand i emittergrenen på en bipolær transistor.
Kai