Scusate la pochezza della domanda come al mio solito, ma non capisco perchè il mosfet si burci. Il datasheet da Vgs =+-20VDC e la corrente Ids è circa 20 mA. Vi anticipo che il gate sarà poi collegato ad una porta logica.
vi ringrazio
Max
[FIDOCAD] MC 135 110 1 0 080 MC 135 120 1 0 220 MC 135 135 1 0 220 MC 120 160 0 0 410 MC 135 170 0 0 045 MC 135 110 3 0 010 TY 150 125 5 3 0 0 0 * Id = 20 mA LI 135 110 120 110 LI 120 110 120 160 SA 135 110 TY 140 105 5 3 0 0 0 * Vcc=12 V Continua da alimentatore switching TY 140 160 5 3 0 0 0 * BS 107A
Il 11/12/2012 12:23, Massimiliano Liva ha scritto:
Pilotarlo così secco senza resistenze non è consuetudine, ma non dovrebbe bruciarsi. Forse lo bruci tu con una scarica elettrostatica manipolandolo. E' facile perforare il gate con una scossetta.
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- Oh!!! Ghe xe nesuni?
- Si! Sa vuto?
- Gavio na cariola da prestarme?
- La voto piena o la voto voda?
Esattamente. Hai azzeccato! Il problema non era tanto il circuito. Il dispositivo si bruciava dopo che avevo (montato tutto di breadboard) spostato un po' di volte il filo che collegava il gate, a mano, da +vcc a massa. Quindi la colpa è della scariche elettrostatiche (non sapevo).
Ascolta, mi aiuteresti. Per calcolare una eventuale resistenza, come si fa?
Prima che il pranzo natalizio e i fumi del vino facciano effetto... :)
Sono contento che tu abbia individuato il problema. Per la resistenza in serie al gate dipende da che devi farci col mosfet. Grossolanamente il gate e' come un condensatore, quindi per mandare il conduzione il mosfet devi caricarlo ad una tensione superiore a quella di soglia, ma devi stare attento a non superare la tensione massima, come hai gia' capito da te :)
Per applicazioni "lente" per un mosfet piccolo una resistenza tra 1k e 10k in serie va piu' che bene: abbastanza bassa da evitare di captare disturbi, e abbastanza alta da proteggere il circuito a monte da un eventuale corto del gate. Magari uno zener tra gate e source con una tensione compresa tra quella di pilotaggio del gate e quella massima di rottura ti mette al sicuro.
Per un calcolo vero e proprio di dico quel poco che so, ma ci si addentra in dettagli che altri conoscono molto meglio di me.
Stabilisci il tempo di commutazione che vuoi tentare di raggiungere, che non sempre e' il minimo ottenibile, ti guardi sul datasheet il "Total Gate Charge", e verifichi in prima approssimazione la corrente necessaria a iniettare quella quantita' di carica nel tempo che ti sei prefissato: I=Qtot/T
Il tempo di commutazione vero e proprio sara' inferiore a quello di sopra perche' il drain va in conduzione solo dopo che la tensione di gate ha raggiunto la tensione di soglia, se guardi la curva Gate Voltage vs Gate Charge, vedrai una zona piatta detta Miller Plateau, in quell'intervallo il drain va in conduzione. La carica che e' necessaria per attraversare quella zona e' la Gate Drain Charge, importante per valutare il tempo di commutazione del drain. Per applicazioni switching in quella zona il mosfet genera le perdite di commutazione. Quindi fissata la corrente I che entra nel gate (per semplicita' di calcoli ipotizziamola costante, ma dipende dal driver) per un intervallo t1=Qgs/I il mosfet non conduce e la tensione di gate va da zero alla tensione di soglia, poi per un intervallo t2=Qgd/I la tensione di gate e' circa costante e il drain va in conduzione, poi ogni ulteriore carica iniettata nel gate fino a Cgtot non fa quasi nulla, se non ridurre leggermente la resistenza di conduzione Drain-Source.
Qualche formuletta:
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Per il BS107 questi dati credo non ci siano neanche nel datasheet, visto che ha valori molto bassi, ma dovrebbe esserci la curva Vgs-Qg:
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Altri mosfet grandi per commutare velocemente richiedono molti ampere nel gate (con buona pace della convinzione di alcuni che i mosfet si pilotano con poco).
Spero che qualcuno + addentro possa integrare e correggere le imprecisioni o errori, nel frattempo, tra un augurio e un buon natale a parenti e amici, buon appetito a tutti :)
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Muvideo altrove
Fabio Eboli nella vita reale...
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