Задача стоит такая: удалить слой пластмассы с вершней части микросхемы и открыть поверхность кристалла. Объект: малораспространенный otp-контроллер. Цель: возможность уф-стирания и использование для отладки/экспериментов (хотя бы непродолжительное время).
С 'Tamper Resistance', который и вдохновил на это дело, знаком. Насколько я понял, технология достаточно распространена для контроля качества и несложна ни по химии, ни по сложности для студентов связанных с этим специальностей.
Ради эксперимента за полчаса удалось прогрызть дыру глубиной ~0.5мм. Скоро займусь плотнее. Несколько вопросов к могущим помочь:
1) Использование 'fuming nitric acid (>98% HNO3)' принципиально? К сожалению, не знаю концентрацию той, что у меня есть - дым-то идет, конечно (куплена в Митино у 'химиков'). Сомнения возникли из-за того, что в tamper'е 'settle a few drops... and wait a few minutes until some of it has dissolved ' т.е. капнуть на несколько минут. У меня прцесс пошел только после того, как микросхема постоянно подогревалась до ~80гр, за заход раз 10-15 накапывал маленькие лужицы, которые быстро испарялись. Вобщем, совсем не так просто, как описано.
2) Почему-то после отмокания в ацетоне разрушенная кислотой пластмасса набухает, теряет прочность но сама отваливаться не спешит. Точнее, очень долго ждать. Правда, горячий ацетон еще не пробовал.
3) Корпус современных микросхем это термоотверждаемая эпоксидка с наполнителем?
4) Как я понял, Al|Au проводки разварки и внешняя поверхность кристалла не боятся HNO3, но если случайно догрызться до выводов, то можно сушить весла? Как этого избежать?
5) Не 100% процент успеха, конечно, но на произвдстве при ручном вскрытии он какой?
---- Andy Pike tech@@@sym.ru