circuito on/off

Hola Alex:

Puede cambiar el rel=E9 por un MOSFET canal P. Si la bombilla es de unos 10 W, necesitas un MOSFET de unas 10A. Es que la resistencia fr=EDa de la bombilla es muy baja. Aseg=FArese de que el MOSFET que seleccionar=E1 est=E1 abierto con Vgs =3D -5V.

Entre el colector del transistor y 12V tiene que poner un resistor de unos 10 kOhm para transportar corriente de fuga.

Saludos,

Wim PA3DJS

Hola Wim

No voy a alimentar ninguna bombilla, ese es solo el ejemplo que he encontrado en la red. Yo voy a alimentar un circuito electronico (circuito de medida, micro y LCD) y quiero minimizar el consumo en estado Off. Creo que el mosfet no me sirve porque tiene demasiada tension Vds y aprovecho poco la pila.

Un saludo Alex

Sin embargo es mucho más efectivo cuando está conduciendo que un relé.

=BFVgs?

Hay MOSFET canal P con baja Vgs (unos -2.5V). Si est=E1 utilizando alimentaci=F3n muy baja, puede usar transistor moderno de baja Vcesat PNP (como en el circuito regulador con ca=EDda baja). Las empresas de semiconductores han fabricado estos BJT y MOSFET especialmente para aplicaciones como suyo.

Por ejemplo:

Saludos,

Wim PA3DJS Olvide los tres caracteres primeras del alfabeto en el correo e.

Gracias Wim, 200mV de Vcesat con 100mA de consumo meparece genial. Que ignorante soy.

Muchas gracias ALex escribió en el mensaje news: snipped-for-privacy@z5g2000vba.googlegroups.com... Hola Alex:

Hay MOSFET canal P con baja Vgs (unos -2.5V). Si está utilizando alimentación muy baja, puede usar transistor moderno de baja Vcesat PNP (como en el circuito regulador con caída baja). Las empresas de semiconductores han fabricado estos BJT y MOSFET especialmente para aplicaciones como suyo.

Por ejemplo:

Saludos,

Wim PA3DJS Olvide los tres caracteres primeras del alfabeto en el correo e.

snipped-for-privacy@z5g2000vba.googlegroups.com...

ito

eo

thod=3Dget...

Hola Alex:

El MMBT591A es s=F3lo un ejemplo. Para su aplicaci=F3n un transistor con Vcemax de unos 10..20 Voltios ser=E1 mejor. Tienen HFE alto y Vcesat m=E1s bajo.

Consulte la hoja de datos para determinar la corriente de base =F3ptima. Normalmente la corriente de base tiene que ser unas veces m=E1s para asegurar que el transistor satura bien. Tambi=E9n el transistor tiene que soportar la corriente impulsiva (en caso de condensadores grandes).

Saludos,

Wim PA3DJS

Win, he encontrado esta maravilla

Yo alucino!!

GRacias

escribió en el mensaje news: snipped-for-privacy@f16g2000vbf.googlegroups.com... > Gracias Wim, 200mV de Vcesat con 100mA de consumo meparece genial. Que

ejemplo:

Hola Alex:

El MMBT591A es sólo un ejemplo. Para su aplicación un transistor con Vcemax de unos 10..20 Voltios será mejor. Tienen HFE alto y Vcesat más bajo.

Consulte la hoja de datos para determinar la corriente de base óptima. Normalmente la corriente de base tiene que ser unas veces más para asegurar que el transistor satura bien. También el transistor tiene que soportar la corriente impulsiva (en caso de condensadores grandes).

Saludos,

Wim PA3DJS

snipped-for-privacy@f16g2000vbf.googlegroups.com...

s.com...

cho

od=3Dget...

Hola Alex:

Para beneficiar de la ca=EDda baja de un transistor NPN, el transistor tiene que estar en el terminal negativa de la pila.

Para interrumpir el terminal positiva con un transistor NPN, tiene que hacer un voltaje que est=E1 encima el voltaje de la pila. Si quiere interrumpir el terminal positiva de la pila m=E1s f=E1cil (con resistor y salida digital baja), el tipo complemento PNP es mejor.

Mucha suerte,

Wim PA3DJS