Witam, Prosze o pomoc w zrozumieniu nastepujacego zagadnienia:
Rozwazmy tranzystor typu npn w ukladzie wspolnego emitera. W obwodzie baza-emiter znajduje sie zrodlo napieciowe. Baza jest typu p, gdzie w uproszczeniu znajduja sie nieruchome ujemne obszary ladunku i ruchome nosniki wiekszosciowe - dziury dodatnie. Emiter jest typu n, co oznacza ze nieruchome obszary ladunku sa dodatnie a nosnikami wiekszosciowymi pradu sa elektrony (podobnie jak w kolektorze). Zlacze baza-emiter polaryzuje sie w kierunku przewodzenia, czyli w tym wypadku do bazy przykladamy + a do emitera - . Otrzymujemy standardowe zlacze np spolaryzowane w kierunku przewodzenia i to jest jasne.
Interesuje mnie natomiast sformulowanie ksiazkowe mowiace ze "zlacze kolektor-baza spolaryzowane jest w kierunku zaporowym". Kolektor jest typu n, czyli przykladamy do niego + . Oznacza to ze zarowno do kolektora jak i do bazy przylozone jest napiecie dodatnie (choc do bazy przylozone jest kilkukrotnie mniejsze napiecie).
Prosze o wyjasnienie dlaczego mozemy w tej sytuacji mowic o polaryzacji w kierunku zaporowym, skoro po obu stronach zlacza jest napiecie tego samego znaku.
Z gory dziekuje i przepraszam za przydlugawy tekst.
Didn't find your answer? Ask the community — no account required.
U
Ukaniu
Uzytkownik "Andy" snipped-for-privacy@vp.pl napisal w wiadomosci news:ch7ilu$1o$ snipped-for-privacy@atlantis.news.tpi.pl...
Witam, Zaczne od stwierdzenia A. Einsteina ze wszystko jest wzgledne. Przyjecie punktu odniesienia w ukladach elektronicznych jest takze wzgledne Napiecie tego samego znaku jak mówisz jest na obydwu koncach, ale gdyby sie zmniejszyc i stanac na zlaczu C-B, uznajac ze u nas jest zero to wtedy z jednej jest plus z drugiej minus.
Pozdrawiam Lukasz
A
AW
Co prawda jestem elektronikiem amatorem i nie ksztalcilem sie w tym kierunku, ale jak na mój gust, kierunek pola elektrycznego, w przypadku zlacza emiter-baza (np) jest od emitera (potencjal masy) do bazy (potencjal dodatni). Dokladnie na odwrót jest w przypadku zlacza kolektor - baza (pn). Tu pole elektryczne ma zwrot od bazy (potencjal dodatni niski) do kolektora (potencjal dodatni niski). Tak wiec jesli emiter-baza spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia, to kolektor-baza w kierunku zaporowym. Przylozenie do kolektora potencjalu dodatniego - wyzszego niz do bazy powoduje, ze elektrony "nie maja ochoty" opuszczac obszaru kolektora.
Jesli nawypisywalem glupot to przepraszam.
AW
M
Marek Dzwonnik
U¿ytkownik "Andy" snipped-for-privacy@vp.pl napisa³ w wiadomo¶ci news:ch7ilu$1o$ snipped-for-privacy@atlantis.news.tpi.pl
Tranzystor bipolarny mo¿na rozrysowaæ jako dwa po³±czone ze sob± z³±cza p-n. W przypadku tranzystora n-p-n ich wspóln± czê¶ci± jest obszar bazy typu p. Je¿eli kolektor znajduje siê na wy¿szym potencjale ni¿ baza - a jest to normalne w stanie aktywnym, to z³acze B-C (n-p) bêdzie si³± rzeczy spolaryzowane w kierunku zaporowym. Jedynie w stanie nasycenia dochodzi do spolaryzowania tego z³±cza w kierunku przewodzenia (potencja³ kolektora spada poni¿ej potencja³u bazy).
Byæ mo¿e zasugerowa³e¶ siê: Jak to siê dzieje, ¿e z³±cze kolektorowe spolaryzowane zaporowo a jednak przewodzi? Owszem, ale jest to inny pr±d ni¿ w przypadku polaryzacji w kierunku przewodzenia.
Otó¿ na pr±d emitera Ie p³yn±cy przez z³±cze E-B (bêd±cy sum± pr±dów Ib i Ic) sk³ada siê w lwiej czê¶ci pr±d no¶ników mniejszo¶ciowych wstrzykiwanych przez to z³±cze do obszaru bazy (w obszarze "p" mniejszo¶ciowe s± elektrony). Gdyby nasz przyrz±d pó³przewodnikowy sk³ada³ siê tylko z jednego z³±cza (tzn. zamiast tranzystora by³ diod± B-E), to wstrzykniête no¶niki mniejszo¶ciowe spokojnie odp³ywa³yby sobie dyfuzyjnie od warstwy zaporowej z³±cza w g³±b bazy, stopniowo rekombinuj±c z no¶nikami wiêkszo¶ciowymi. Chyba, ¿e baza okaza³aby siê zbyt krótka w stosunku do d³ugo¶ci drogi dyfuzji i koñczy³a znienacka metalicznym kontaktem, na którym zachodzi³aby natychmiastowa rekombinacja. Jednak wszystkie no¶niki mniejszo¶ciowe i tak uleg³yby ostatecznie rekombinacji i wesz³y w sk³ad pr±du przep³ywaj±cego przez metaliczny kontakt bazy.
W tranzystorze sytuacja siê komplikuje. Otó¿ baza jest bardzo krótka (ma³o czasu na rekombinacjê) a na jej drugim koñcu, na no¶niki mniejszo¶ciowe czycha drugie z³±cze (B-C) spolaryzowane w kierunku zaporowym. Niewielka czê¶æ no¶ników mniejszo¶ciowych wstrzykniêtych przez z³±cze E-B, którym jednak zdarzy siê zrekombinowaæ po drodze wniesie swój wk³ad do pr±d bazy tranzystora (Ib). Jednak zdecydowana wiêkszo¶æ (wsp_transportu=~0.99) unoszona strumieniem dyfuzji (a bywa, ¿e i polem elektrycznym wbudowanym przez niejednorodny profil domieszkowania bazy) dociera do warstwy zaporowej z³±cza B-C gdzie jest natychmiast porywana przez pole elektryczne i unoszona na drug± stronê, gdzie ju¿ jako no¶niki wiêkszo¶ciowe (obszar n) staje siê pr±dem kolektora (Ic). O ile mnie skleroza nie zwodzi, to na schemacie Ebersa-Molla rysuje siê tranzystor jako dwie diody z do³±czonymi równolegle sterowanymi ¼ród³ami pr±dowymi. Pr±d ¼ród³a kolektorowego jest sterowany (ze wsp alfa ~=0.99) pr±dem p³yn±cym przez z³±cze emiterowe. W praktyce rozp³yw pr±dów w tranzystorze nie jest tak prosty - przede wszystkim za spraw± rekombinacji no¶ników w obszarze warstwy zaporowej. Jednak zasadniczy mechanizm dzia³ania tranzystora opiera siê na opisanym transporcie no¶ników mniejszo¶ciowych przez obszar bazy.
Aparat pojêciowy stosowany w fizyce pó³przewodników nie jest prosty, a uproszczenia stosowane w mniej ambitnych podrêcznikach tylko utrudniaj± jego przyswojenie. IMHO kluczowe jest zrozumienie pojêcia no¶ników wiêkszo¶ciowych/mniejszo¶ciowych. Fizycznie oba rodzaje no¶ników s± elektronami jako, ¿e dziura to _brak_elektronu_ (ods³aniaj±cy zlokalizowane ³adunki domieszkowe) czyli twór de facto równie¿ opisany zachowaniem elektronów. Jednak oba byty operuj±c na ró¿nych poziomach energetycznych s± od siebie w pewnym stopniu niezale¿ne i potrafi± przez pewien czas (tau - czas ¿ycia no¶ników mniejszo¶ciowych) istnieæ obok siebie, zachowuj±c w³asne indywidualne cechy jak np. ró¿ne wsp. ruchliwo¶ci. A nawet do momentu rekombinacji dzia³aæ w parach poruszaj±c siê ze wsp. dufuzji ambipolarnej.
Przypomnia³o mi siê wyja¶nienie kolegi, który jako przyk³ad dawa³ swojego psa i kota wspó³istniej±cych w jednym mieszkaniu. Pies operowa³ na poziomie pod³ogi, kot na poziomie szaf i górnych pó³ek. Oba zwierzaki mia³y zaskakuj±co d³ugi czas ¿ycia a przepadki rekombinacji prawie siê nie zdarza³y ;-)
J
J.F.
Znak jest ten sam, ale potencjal emitera wynosi np 0V, potencjal bazy +0.65V, a potencjal kolektora np +10V. Jakie sa napiecia na poszczegolnych zlaczach policz sam.
J.
S
SP9LWH
Uzytkownik "Andy" snipped-for-privacy@vp.pl napisal w wiadomosci news:ch7ilu$1o$ snipped-for-privacy@atlantis.news.tpi.pl...
Do bazy wzgledem emitera podaje sie tak napiecie by plynal prad w obwodzie baza emiter i to jest kierunek przewodzenia Do kolektora podaje sie tak napiecie by nie plynal prad baza kolektor i to jest kierunek zaporowy
Pomijajac stan glebokiego nasycenia sformulowanie ksiazkowe (zaporowe) dla normalnych stanów pracy liniowej jest prawidlowe, bo nigdy nie plynie znaczny prad miedzy kolektorem a baza
Tranzystor tym rózni sie od dwóch diod (tak polaczonych jak tranzystor npn: anody w miejscu bazy, jedna katoda emiter, druga katoda kolektor), ze oddzialywuje miedzy soba Ale przyklad dwóch diod uzasadni Ci wprost przypadek polaryzacji zaporowej jednej z nich (tej uznanej za kolektor)
Join the Discussion
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Didn't find your answer?
Ask the community — no account required
Report Content
You are reporting this content to the moderators. They will look at it
ASAP.