sterowanie MOSFETA

Któryś z _szybkich_ tranzystorów mocy, stosowanych we wzmacniaczach. Z daleka od *3055. *3055 w prztwornicach max do 10 kHz a i to z bólem :-(

Dobór tranzystora wymaga pomierzenia parametrów rdzenia - Al znamy ale nie znamy max aperozwojów. Z parametrów rdzenia wyjdzie na szczytowy prąd. I do tego trzeba dobrać tranzystor. Ja robiłbym to trochę inaczej - założyłbym prąd szczytowy np. 5A, wziąłbym ze swoich zapasów np.2SC2837 (ft 70 MHz, niskie Ucesat). W takim wypadku indukcyjność = 12 * 30/5 = 72 uH i zrobiłbym to na rdzeniu ETD29 ze szczeliną 0.4 mm. Moc byłaby spora - przy stanie bliskim pełnego naładowania rzędu 18W, wcześniej (praca DCM) większa. Zakładając ton 20 us (Ct = 1 nF), i Imax 8A możnaby zmniejszyć indukcyjność pierwotnego do 30 uH i osiągnąć moc pod koniec ładowania rzędu 30W na rdzeniu ETD29 z taką samą szczeliną. Ale trzebaby sprawdzić, jak przy takim prądzie zachowa się tranzystor końcowy.

W obu przypadkach zakładam napięcie zasilania rzędu 12.6V (akumulator ołowiowy) i przekładnię trafa 1:12.

Będzie krócej.

Przekładnia 1:12 licz - lepsze ładowania na starcie.

Licz 14 zwojów na pierwotne. Dla tych częstotliwości drut 0.7 mm starczy. Wtórne 168 zwojów drutem 0.25 - 0.3 mm. W międzyczasie sprawdziłem - rdzeń tej wielkości wyrobi taką moc.

Nie. Napięcie na pierwotne stronie przy tej przekładni nie powinno przekroczyć 50V.

Zawiodłem się na nich.

2SC4106? Nie trzeba na aż tak wysokie napięcie.

Nie chce mi się szukać, ale trr < 200 ns powinna mieć.

Przy okazji dyskusji o przetwornicach mam takie naiwne pytanie: do czego sluzy indukcyjnosc w przetwornicach step-down? Dlaczego nie mozna ladowac kondensatora wyjsciowego bezposrednio z MOSFETa podpietego do napiecia zasilania i odpowiednio kluczowanego? Czy chodzi tylko o ograniczenie pradu maksymalnego plynacego przez klucz, czy tez sa jakies glebsze powody?

Pozdrawiam Piotr Wyderski

:-)

Jasssne. Tylko spróbuj to zrobić dla prądów obciążenia większych niż kilkadziesiąt mA.

Też. Ale przede wszystkim dławik gromadzi energię. I w czasie, gdy klucz jest wyłaczony, oddaje ją do obciążenia. W ten prosty sposób, przy niewielkich przetężeniach uzyskuje się bardzo wysoką sprawność.

[...]

Nie uwierzyłem, dopóki nie sprawdziłem. Ładowanie kondensatora 1F ze źródła o napięciu 1V przez rezystor 1 om powoduje nagromadzenie w kondensatorze dokładnie 0.5J a na rezystorze wydziela się również

0.5J. Ale dotyczy to ładowania kondensatora od zera do pełnego napięcia. Natomiast wartałoby sprawdzić, jak to wygląda w przypadku przenoszenia małych ładunków. W pompach ładunkowych zazwyczaj potrzebne są dwa przełączenia i oznaczałoby to sprawność teoretyczną 25%. Na dokładkę układy powielaczy napięcia miałyby sprawność jeszcze gorszą - coś tu nie gra :-(

Dawać.

Są trochę za wolne.

I Ucesat wysokie.

[...]

No jak to jak - podobnie. Jesli ladujemy kondensator od 4V z 5V .. to gdzies sie marnuje 1V i grzeje. Trzeba byc szybkim, jak napiecie na kondensatorze spadnie do 4.5V - to sie marnuje tylko 0.5V ..

Hm, powiedzmy ze ladujemy posredni od 4.7 do 4.8V z 5.0V. potem go rozladowujemy z 4.8 do 4.7 ladujac wyjsciowe 4.5V ..

No i dochodza straty na przelaczanie mosfetow :-(

J.

Byłbym zdziwiony, gdyby nie chciało. Pierwotne to jedna warstwa...

[...]

C4106 == 2SC4106

Szukaj tranzystorów o Icmax >=8A

[...]

Mówimy o marnowaniu energii a nie napięcia. Energia na kondensatorze rośnie z kwadratem napięcia, straty na rezystancji rosną z kwardatem prądu. Im mniejsza różnica napięć, tym mniejszy prąd...

To może być podobny myk, jak z wymiennikami ciepła, gdzie patrząc teoretycznie powinne mieć sprawność 50% a jak się go ustawi w 'przeciwpradzie' to sprawność gwałtownie rośnie.

Te MOSFETy to własnie nasze rezystory. Nie mam głowy do matematyki na takim poziomie a arkusza mi się malować po prostu nie chce :-(