Step-down -ciag dalszy

Feb 08, 2011 20 Replies

Witam,



Udało mi się w miarę ogarnąć moją przetwornicę z poprzedniego wątku, ale pojawiły się kolejne problemy.



Zakłócenia wynikające z przełączania MOSFETa. O ile z zakłóceniami wynikającymi z wyłączania się Mosfeta poradzę sobie dając odpowiedni gasik RC o tyle z tymi pochodzącymi od włączania się tranzystora nie bardzo wiem jak.



Mogę zmniejszyć prąd sterownika bramki i wydłużyć czas włączania , ale to chyba nie jest rozwiązanie odpowiednie bo zwiększy się Pd i Mosfet zejdzie.



Czy jest jakieś inne rozwiązanie poza metalowym pudłem ? Jakieś idee ?



Adam


Przy tak dużych mocach i stosunkowo wysokich napięciach nie masz wyjścia

- odrobinę spowolnić i zapakować do pudła.

W dniu 2011-02-08 15:11, RoMan Mandziejewicz pisze:

Tego się właśnie obawiałem. Tu mam kolejne pytanie - jak powinien być dystans pomiędzy rdzeniem a innymi metalowymi częściami obudowy żeby nie było problemów ?

Adam

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d514d07$0$2505$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Jeszcze się upewnij, czy te zakłócenia przy włączaniu nie pochodzą przypadkiem od diody...

e.

W dniu 2011-02-08 15:45, entroper pisze:

Tylko jak to sprawdzić ?

Adam

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d515e2f$0$2445$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

zaobserwuj, co płynie przez diodę

e.

W dniu 2011-02-08 16:30, entroper pisze:

No fajnie tylko nie mam żadnej sondy prądowej. Ale zanotuje żeby sprawdzić jak bedzie okazja.

Diody to 3 x DSEP29-06A równolegle - powinny być chyba odpowiednie

Adam

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d5162f2$0$2452$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Ale pracujesz w CCM a te diody, jakkolwiek niezłe, reverse recovery będą wykazywać.

e.

W dniu 2011-02-08 17:22, entroper pisze:

No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ? Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?

Adam

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d516f4f$0$2490$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy) albo current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził, czy to rzeczywiście to :)

e.

A to już zależy od warunków pracy i normy, jaką ma spełniać. Trzeba szukać w normach :( Jeśli to nie ma być iskrobezpieczne (norma 60079), a warunki wilgotności i zapylenia są normalne, to pojedyncze milimetry załatwiają problem.

W dniu 2011-02-08 18:00, entroper pisze:

To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście czas RR robi problem ?

Adam

Użytkownik "Adam Górski" <gorskiamalpa@wpkropkapl> napisał w wiadomości news:4d5179da$0$2454$ snipped-for-privacy@news.neostrada.pl...

Noo, jak będziesz tym mosfetem sterował tak, żeby się idealnie przełączył (ocierając się o cross-conduction), to nieco poprawisz sytuację, ale jeśli dasz przewodzić choć przez chwilę mosfetowej diodzie, to nic się nie polepszy. A ta dioda w mosfecie jest raczej gorsza od DSEP :) Poza tym nadal nie upewniłeś się, że to dioda :)

e.

W strukturze MOSFETa też masz diodę... A problemem może być zbyt szybka dioda a nie zbyt wolna.

  1. Dobrze by miec soft recovery, jak reszta ukladu zniesie.
  2. Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co chcesz jako free-wheeling diode.
  3. Odizolowac (elektrycznie) mosfeta od radiatora i sie cieszyc ze juz nie sieje (mozna jeszcze uziemic radiator, bo troche bedzie zbierac pojemnosciowo przez przekladke izolacyjna).

W zasadzie punkt 3 powinien byc na pierwszym miejscu.

Jako że nie mogę zmierzyć prądu diody - mogę jedynie doświadczalnie stwierdzić czy jest lepiej czy gorzej. Znalazłem SiC na 16A - są jakieś "przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle ? Mam mosfeta w obudowie SOT227B - jest izolowany wewnetrznie od radiatora. Radiator jest uziemiony.

Adam

Dnia Tue, 08 Feb 2011 21:55:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):

A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.

BTW. Czy oprocz SiC sa juz dostepne diody na GaAs/GaN? Jakis czas temu anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.

A nie wiem. Ale tu masz na 34A (a nawet 50A I_Fpeak):

formatting link

Chodzilo mi o cos takiego:

| +----+ | | __ | D1 \/ | | /\ D2 | -- +-+ | | | | | | |

--+ | | +-+ | | | +----+ | |

W ten sposob nie uzywasz diody zwrotnej mosfeta, tylko swoja diode D2. Po co napisalem 'free-wheeling', to nie mam pojecia - chyba juz za pozno bylo.

Zielonego pojecia nie mam, ale to nie najtansza technologia.

Dnia Wed, 09 Feb 2011 22:39:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):

A ty o trasiu prostownika synchronicznego :) Myslalem, ze o kluczu przetwornicy i sie zastanawialem, co za uklad wymysliles.

No wlasnie z GaAs i GaN chgodzilo o redukcje kosztow. Technologia podlozy z tych dwoch materialow zostala niezle dopracowana przy okazji produkcji LEDow w odroznieniu od SiC.

Join the Discussion

Have something to add? Share your thoughts — no account required.

Didn't find your answer?

Ask the community — no account required