Mam pytanie dotyczace przyczyn uszodzenia MOSFETow. Czy zdarza sie przebicie zrodlo->bramka lub dren->bramka? Oczywiscie zakladajac prawidlowe warunki pracy tranzystora. Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy moze rozwacie tych elektrod ? Dzieki za informacje.
Najczestsze uszkodzenia MOSFETow
Jul 08, 2004
11 Replies
Zakladajac prawidlowe warunki pracy, nie zdarza sie wcale.
Powinienes chyba siegnac do literatury. Na przyklad "W.Marciniak: Przyrzady pólprzewodnikowe i uklady scalone." Dowiedzialbys sie, ze sa tranzystory normalnie otwarte i normalnie zamkniete. Zamiast marudzic - poczytaj nieco...
Jacek
Uzytkownik "T.M.F." snipped-for-privacy@nospam.mp.pl> napisal w wiadomosci news: snipped-for-privacy@www.wizzard.one.pl...
Zwarcie bramka - dren i zródlo dren Na rozwarcie nie padaja, chyba, ze po wybuchu lub sporadycznie gdy noga sie oberwie wewnatrz
Sądząc po wynikach osiąganych przez studentów na laboratorium "Przyrządy Półprzewodnikowe", uwala się bramka bądź też przebija cała struktura przez co wszystkie nogi są zwarte.
Co prawda trudno warunki pracy tych tranzystorów określić jako normalne, ale według mojej mikroelektronicznej wiedzy, właśnie uszkodzenie izolacji bramkowej stawiałbym na czele uszkodzeń.
TP.
Dzieki za info. Warto wiec zabezpieczac jakos uklad, zeby po takim zwarciu nie posypalo sie dalej? Jesli tak to jak to w prosty sposob zrobic? Niechcialbym, zeby mi poszlo np. 24V na noge procka, z drugiej strony transoptor wydaje mi sie przerostem formy nad trescia.
wsadz resystor kilkaset omow w szereg z bramka i zenerke 4.7..5.1V przy procku....
To koszmarnie spowolni MOSFETa...
U¿ytkownik "T.M.F." snipped-for-privacy@nospam.mp.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news: snipped-for-privacy@www.wizzard.one.pl...
Nie posypie siê dalej.:-) Czym ty tego MOSFETe sterujesz? wyj¶ciem procesora ? Gdzie masz jaki¶ wydajny "driver" ??? Bez wzglêdu na to zwarcie bramka-dren ograniczy napiêcie na bramce do napiêcia progowego MOSFETa, a zwarcie dren ¼ród³o wywali zasilanie lub ograniczy napiêcie na bramce do warto¶ci bezpiecznych.
My¶lê tu o typowych HEXFET MOSFET takich jak np.: IRF540.
Nie uzywam driwera, wstawiam logic-level MOSFET, a na super predkosci przelaczania mi nie zalezy bo to ma sterowac elektrozaworem. Dzieki za pomoc.
Dzieki, wsadze nawet rezystorek jakies 50kom, predkosc przelaczania jest bez znaczenia, a za zenerki zrobia diody zabezpieczajace wyjscie proca, powinna uciac do Vcc+0,6V, byle pradu diody nie przekroczyc. Dzieki za pomoc.
Sprawdz napiecia - moze byc za malo ... i za wolno bo za mala wydajnosc pradowa procka. No i z procka to ci spalenie nie grozi.
Tu nie chodzi o elektrozawor, tylko o tranzystor. Jak sie wolno przelacza to sie na nim duza moc wydziela [np chwilowe 6V*1A = 6W]. A ta moze przepalic tranzystor.
Co prawda jedno przelaczenie to mu raczej nie zaszkodzi, ale jak kiedys bedziesz chcial potrenowac PWM to uwazaj.
J.
Sluszna uwaga, nie pomyslalem o tym. Ale tranzystor ktory chce zastosowac (wlasciwie dwa w obudowie SOT08) ma niskie napiecie bramki przy ktorym sie otwiera (przy 2,2V max IDS 3x przekracza wartosc katalogowa dla tego tranzystora, a RDS przy 3V to 0,058moma. U mnie ma przelaczac max. 1A w szczycie, typowo jakies 100mA.
Join the Discussion
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Didn't find your answer?
Ask the community — no account required