Czy Szanowni Czytelnicy wiedza dlaczego dla diody schottky nie jest podawany parametr trr (czas przelaczenia diody) ktory jest podawany dla diod szybkich i ultraszybkich? Ktora z nich (UF czy schottky) szybciej odzyskuje wlasnosci zaporowe i jakie to s± czasy (rz±d) dla diody schottky'ego? Dlaczego pojemnosc z³±cza dla diod schottky jest wieksza niz dla diod szybkich i czy bedzie ona odgrywala role lub miala jakis wplyw na dlugosc czasu odzyskiwania wlasciwosci zaporowych diody podczas szybkiego przelaczania? Zapraszam do dyskusji.
Dioda szybka vs dioda schottky
May 31, 2009
3 Replies
Dnia Mon, 01 Jun 2009 00:38:20 +0200, roxy napisał(a):
Bo Schottky nie ma praktycznie pradu rr (brak czasu rekombinacji). Jedyny to ten co laduje pojemnosc.
Witam,
Dnia 1.06.09 (poniedziałek), 'roxy' napisał(a):
Np. dla BAS85 (małosygnałowa) Vishay podaje trr=5ns... Dla diod małej mocy można trr jeszcze spotkać, ale dla większych prądów już nie widziałem, nie wiem z czego to wynika...
Datasheet CTB-34 (40V 15A) podaje trr=100ns.
Join the Discussion
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Didn't find your answer?
Ask the community — no account required