Wie kan mij zeggen wat een goede vervanger is voor de Amerikaanse transistor NTE2304? Ik kan deze tor niet vinden in de elec shop en ik weet niet welk equivalent gebruikt kan worden. Hij wordt toegepast in een spanningsregelaar van een autodynamo. Alvast bedankt voor de reacties, Leen
Leon Mill schreef in berichtnieuws
41829dd0$0$30716$ snipped-for-privacy@news.wanadoo.nl...transistor
spanningsregelaar
WT
Deze link leidt bij mij tot een of andere stomme "search the web" site. Ik heb even in mijn NTEQuickCross gekeken: Industry Number : NTE2304 NTE Device Number: NTE2304 T-NPN,SI HIGH CURRENT SW,TO-3P en dit is de juiste link:
Ik heb de data onderaan deze email gezet. Het is een tor die veel stroom kan leveren, maar niet bij al te hoge spanningen. Moet denk ik wel een vervanger voor te vinden zijn. Let wel op de snelheid.
Groetjes, Pieter Hoeben
Dit is de data: High Current, High Speed Switch (Compl to NTE2314) The NTE2304 is a silicon NPN transistor in a TO3P type package. Typical applications include relay drivers, high¨Cspeed inverters, converters, and other general high¨Ccurrent switching applications. Features:
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Wide ASO and Resistant to Breakdowns Absolute Maximum Ratings: (TA = +25¡ãC unless otherwise specified) Collector-Base Voltage, VCBO 60V Collector-Emitter Voltage, VCEO 50V Emitter-Base voltage, VEBO 6V Collector Current, IC Continuous 15A, Peak 20A Allowable Collector Dissipation (TC = +25¡ãC ), PC 90W Operating Junction Temperature, TJ +150¡ãC Storage Ambient Temperature Range, Tstg ¨C55¡ã to +150¡ãC Electrical Characteristics: (TA = +25¡ãC unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector Cutoff Current ICBO VCB = 40V, IE = 0 - - 0.1 mA Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 4V, IC = 0 - - 0.1 mA DC Current Gain hFE: VCE = 2V, IC = 1A 100 - 200 VCE = 2V, IC = 8A 30 - - Current Gain-Bandwidth Product fT VCE = 5V, IC = 1A - 20 - MHz Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 8A, IB = 0.4A -
0.18 0.4 V Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0 60 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1mA, 50 - - V Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0 6 - - V Turn-On Time ton 10IB1 = -10IB2 = IC = 2A, PW = 20s: - 0.2 - microsec Storage Time tstg - 1.0 - microsec Fall Time tf - 0.1 - microsecPi, Bedankt voor je uitgebreide reactie. Ik ben niet zo thuis in die dingen. Zou jij in je gegevens kunnen kijken wat een geschikte vervanger (merk/type) is die hier in NL bij de elektronica handel te koop is? Een (merk) NTE tor kan ik nergens in NL kopen. Groetjes Leon
"Pi" schreef >>Leon Mill schreef in berichtnieuws
Leon,
Een NTE tor IS vaak al een vervanger voor een tor van een ander merk, ze zijn daar niet erg origineel. Ik weet alleen niet voor welke deze een vervanger zou moeten zijn. Iemand?
Pieter
Pi, Iemand heeft mij een BD245B aanbevolen. Weet jij gezien de specs, of dat een goede vervanger zou kunnen zijn? Leon
"Pi" schreef in bericht news: snipped-for-privacy@4ax.com...
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.