Hej jeg sidder og leget med tanken om at bruge en FET som en serie modstand til at styre modulations styrken på en radio senders indgangstrin. (FET'en skal virke som potmeter)
FET'en skal kunne antage fra 1K til 21K hvilket jeg ikke antager for et problem ej heller at der er tale om en logaritmisk kurve.
Jeg har (for lethedens skyld) fundet et datablad på BF245A her:
Slår man op på side 9 ses RDSon vs. Vgs som jeg formoder er den korrekte kurve. Her kan det ses at -1VGS giver 2K
jeg har i multisim lavet følgende kredsløb for at teste min teori af:
Stel | R=2K | +------------ Volt meter til stel | / D
4V -------| G \ S | 5VJeg havde forventet at måle 2.5V men multisim siger 4,188V er det mig som har misforsået virke måden af fet som dc modstand eller er det multisim der spøger ? Hvorfor nævnes VDS = 0V hvis der ikke var et spændings fald over Drain Source ville den vel ikke have en ohms værdi i det hele taget !?
Forresten der er tale om at de 5V på sourcen bliver et digitalt signal L=0, H=5V vil der kunne dannes spænding på Drain hvis Source ligges til 0V multisim siger ja men jeg syntes det lyder mystisk
Nogen hints ?
/lasse