IGBT pitanje

- H
- hrcak
  
  Contact options for registered users
posted
prije 15 godina

Tue, Jul 15, 2008 6:36 PM

Stvar je ovakva.Namjeravm nabaviti tig inverter, no problematika je sljedeca jer u sumi modela i cijeni tesko je odabrati ono pravo i povoljno. U biti najpovoljniji su kineski modeli sa mosfetima u izlazu pa onda sa IGBT-ima. Ono sto me zanima je koji je nacin upravljanja sa izlaznim stupnjem lakse popraviti i ima li tu puno filozofije, ipak su dva tri puta jeftiniji.Prodavac me upozorio da su sa igbt-om puno bolji , stabilniji u radu i manje osjetljivi na pad napona mreze Zahvaljujem na svakom savjetu i misljenju

- P
- Petar BjelÄiÄ‡
  
  Contact options for registered users
Vote on answer
posted
prije 15 godina

Wed, Jul 16, 2008 7:32 AM

Lakse je popraviti izl. stupanj sa IGBT. igbt ima izoliran upravljacki pin i spaljivanjem igbt-a ne strada njegov driver.

- S
- Svemirko
  
  Contact options for registered users
Vote on answer
posted
prije 15 godina

Wed, Jul 16, 2008 8:53 AM

Da li siguran? Popravljao sam uredjaje kojima su izgarali MOSFETi, ali im nikad nije izgorio driver (a zasto i bi kad imaju izoliran gate).

- K
- Kre¹o B.
  
  Contact options for registered users
Vote on answer
posted
prije 15 godina

Wed, Jul 16, 2008 9:45 AM

U takvim ureðajima MOSFET se nikad ne driva direktno. Mosfet lako probije na G-S relaciji

Kre¹o

- H
- Hector
  
  Contact options for registered users
Vote on answer
posted
prije 15 godina

Wed, Jul 16, 2008 10:45 AM

na

Pa zar nije upravljacki krug (geit) IGBT-a isti kao kod FET-a, a izlazni krug (kolektor-emiter) kao kod bipolarnog trenzistora?

- P
- Petar Bjelèiæ
  
  Contact options for registered users
Vote on answer
posted
prije 15 godina

Thu, Jul 17, 2008 3:44 PM

IGBT je upravo zato izmisljen. Kod pregaranja MOSFET-a +Vcc napon rukne na G i pali sve na sto naidje. E sad ako je mosfet bio naponski poganjan preko velikog otpora, nista se ne desava. Samo u invertorima, mosfet se strujno !! poganja. Kapacitet G reda nanofarada treba savladat na 100-200kHz, i sto vise skratit vrijeme uspona i pada ivice impulsa da se dobije vece iskoristenje, pa se drajva niskoomski tranzistorima, ili trafom. I jebiga to onda gori ako dodje +Vcc. Mozda ce zvucat glupo, ali mosfet na visokoj frekvenciji ima manji ulazni otpor od tranzistora. Njegov gotovo beskonacni ulazni otpor ne moze praznt stetan kapacitet, pa mu otpor moras dodat. Probaj preko mosfeta upalit sijalicu, upalit ce se samo ako prstom taknes gates, ali se ne gasi kad maknes prst, stetan kapacitet drzi napon gatesa. IGBT nije puno bolji po tom pitanju, ali ne probija Vcc na G. igbt-ovi su veci snagatori i nisu osjetljivi kao mosfeti.