Salve a tutti, qualcuno di voi ha mai sentito parlare di dispositivi al silicio LDMOS usati per applicazioni a radiofrequenza? Sapete che differenza c'=E8 fra essi e i normali MOS? Quali sono i vantaggi rispeto a quest'ultimi? Come vengono realizzati? Sarebbe fantastico se mi indicaste uno o pi=F9 link che parlano dell'argomento, anche in inglese. Grazie a tutti Ciao Claudio
Claudio S. ha scritto:
Sono integrati, discreti? Dove li hai incontrati? Qualche chip, di che produttore?
Io ho incontrato di recente i Lateral DMOS (Double diffusion MOS) ma non so se parliamo delle stesse cose visto che qualche volta nomenclature di ambiti lievemente differenti si accavallano. Io li sto vedendo in applicazioni integrate ad alta tensione/potenza quindi mi sa proprio che non c'entrano con i tuoi ma aspetto la risposta di qualcun altro prima.
Bennny
Ciao, LDMOS e lateral DMOS sembrano essere la stessa cosa (vedi al proposito:
Vengono usati principalmente negli amplificatori di potenza a RF, per esempio per applicazioni WIMAX. Uno dei produttori =E8 Motorola. Ciao
Claudio S. ha scritto:
Se la tua mail è giusta ti mando un file con qualche disegno esplicativo. Cmq sono dei MOS in cui il canale è creato mediante una doppia diffusione prima P e poi N nell'area che dovrebbe ospitare il Source, sfruttando la sottodiffusione dei droganti sotto l'ossido di gate. Questa doppia diffusione permette di fare la sacca N+ del Source circondata da una fascia drogata P. La parte di sacca P che diffonde sotto l'ossido di Gate forma la zona dove si verrà a creare il canale una volta data tensione al gate. Questa tecnologia permette di fare lunghezze di canale inferiori alla minima dimensione litograficamente possibile per il poly di Gate. Ti faccio anche un disegnino fidocad visto che mi sono spiegato orrendamente.
Chiedimi altro e ti sarà spiegato (forse meglio se avrò più tempo).
Bennny
[FIDOCAD ] LI 10 35 10 115 LI 10 115 205 115 LI 205 115 205 35 LI 95 75 95 35 LI 35 35 35 60 LI 35 60 80 60 LI 80 60 80 35 LI 140 35 140 60 LI 140 60 185 60 LI 185 60 185 35 TY 65 120 10 3 0 0 0 Courier++New++Italic Struttura base di un LDMOS TY 160 50 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic n+ TY 155 10 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic Drain TY 30 15 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic Source TY 45 50 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic n+ TY 40 65 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic p PL 155 35 180 35 2 LI 15 35 15 75 LI 15 75 95 75 PL 20 35 55 35 2 TY 100 10 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic Gate PL 75 30 130 30 2 LI 75 35 75 30 LI 130 35 130 30 TY 85 30 4 2 0 0 0 Courier++New++Italic SiO2 LI 40 35 40 25 LI 105 30 105 20 LI 170 35 170 20 SA 40 25 SA 105 20 SA 170 20 TY 60 65 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic "Bulk" LI 10 35 205 35 LI 85 40 85 45 LI 85 40 90 40 LI 85 40 105 60 TY 105 60 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic canale TY 115 90 7 3 0 0 0 Courier++New++Italic nCiao, ti ringrazio x le info e per il documento che mi hai inviato. Ma mi chiedo se esista un qualcosa che ne parli ampiamente e non secondo una esposizione per punti. Su internet =E8 davvero difficile trovare qualcosa. Cercher=F2 ancora.
Claudio S. ha scritto:
Posso provare ad informarmi per te, al momento non ho altro materiale. Che ti interesserebbe di più? Le equazioni sono le stesse di un qualsiasi MOS a meno che non stai cercando effetti di 2° o 3° ordine. La distribuzione del campo sarà diversa di un normale MOS e per certe applicazioni è proprio sfruttata. Il modello Spice è diverso che per un MOS classico perché include anche un BJT parassita per lo più collegato a diodo e capacità di overlap maggiori.
Bennny
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