СВЧ моделирование

Привет Eugene!

EB> А ни кто случайно моделированием СВЧ устройств не занимается(антенны, EB> волноводы, микрополоски и др). EB> Очень хочется пообщаться. ;-)

EB> PS сорри, немного не в тему. =) в тему SU.HARDW.MICROWAVE, но там с год, если не больше, глухо.

Я-же "знал здал забыл", но может и не все :)

Vitaly Polikarpov, vitvp[эt]mail.ru

Hello Vitaly!

EB>> PS сорри, немного не в тему. =) VP> в тему SU.HARDW.MICROWAVE, но там с год, если не больше, глухо. Угу... VP> Я-же "знал здал забыл", но может и не все :) Hу если вдруг не все забыл... :) Я делаю микрополосковую антенну подключенную к микросхеме, её выходное сопротивление складывается из сопротивления резистора и емкости(R и С я знаю). Мне надо знать КСВ и диаграмму направленности. Я не могу сообразить как правильно смоделировать возбуждающий порт... Сейчас я делаю так:

И в свойствах порта пишу комплекный импеданс рассчитанный для центральной частоты. ">>" - показывает направление поля Е. Все бы хорошо, но коэффициент отражения у ">>меня очень часто оказывается гораздо больше 1... Т.е. по идее, если импеденс ">>порта комплексый, то он может быть больше 1, но что это значит?? Радуюсь, ">>что хоть отрицательным не был. :) Ещё я не очень понимаю как моделировать такое возбуждение, если симулятор умеет присваивать порту _только_ активное сопротивление(CST MWS). Я пользуюсь Ansoft HFSS. Собсно я думал, что было бы более правильней возбуждать источником тока, но как тогда посмотреть S-параметры... Рад буду любой мыслЕ. Пока самое интересное, что мне сказать - это взять Agilent ADS2004. ;-)

Eugene.

... Hе грусти,медитиламинотрифосфодиметилфенилпироизонафтола отглотни!

Привет Eugene!

EB> Hу если вдруг не все забыл... :) EB> Я делаю микрополосковую антенну подключенную к микросхеме, её выходное EB> сопротивление складывается из сопротивления резистора и емкости(R и С я EB> знаю). Мне надо знать КСВ

определяется степенью согласования Zвых генератора и его комплексной нагрузки, и х-ет соотношение амплитуд стоячей/бегущей волны в ДЛ. Экспериментально может быть определен как Umax/Umin в пучностях/узлах.

EB> и диаграмму направленности. пущай железина "думает" о суперпозиции токов, сопротивлении излучения..

EB> Я не могу сообразить как правильно смоделировать возбуждающий порт... EB> Сейчас я делаю так:

EB> +===========+ EB> || || EB> || || <--Antenna EB> || || EB> +==== =====+ EB> || || EB> || || EB> || || EB> ||>>|| <--Port

EB> И в свойствах порта пишу комплекный импеданс рассчитанный для центральной EB> частоты. EB> _">>>"_ - показывает направление поля Е. Все бы хорошо, но коэффициент EB> отражения у меня очень часто оказывается гораздо больше 1... EB> Т.е. по идее, если мимпеденс порта комплексый, то он может быть EB> больше 1, но что это значит?? Радуюсь, что хоть отрицательным не был. :)

Отражения, или КСВ, который для линии с потерями (Um отраж < Um пад) >1 по определению: падающаа+отраженная/падающюю.

EB> Ещё я не очень понимаю как моделировать такое возбуждение, если EB> симулятор умеет присваивать порту _только_ активное сопротивление EB> (CST MWS). Я пользуюсь Ansoft HFSS.

Ввести реактивности с сосредоточеными параметрами, не?

EB> Собсно я думал, что было бы более правильней возбуждать источником тока,

Эквивалентные преобразования (замену источников тока/напряжения) активных двухполюсников, никто не отменял, другое дело как их вводить в тех или иных пакетах.

EB> но как тогда посмотреть S-параметры... Рад буду любой мыслЕ. EB> Пока самое интересное, что мне сказать - это взять Agilent ADS2004. ;-)

Мозги в микроволновку лет 20 не совал :))

Vitaly Polikarpov, vitvp[эt]mail.ru

Hello Vitaly!

EB>> Hу если вдруг не все забыл... :) EB>> Я делаю микрополосковую антенну подключенную к микросхеме, её EB>> выходное сопротивление складывается из сопротивления резистора и EB>> емкости(R и С я знаю). Мне надо знать КСВ

VP> определяется степенью согласования Zвых генератора и его комплексной VP> нагрузки, и х-ет соотношение амплитуд стоячей/бегущей волны в ДЛ. VP> Экспериментально может быть определен как Umax/Umin в пучностях/узлах. :) Это ты учебник цитируешь? ;-)

EB>> и диаграмму направленности.

VP> пущай железина "думает" о суперпозиции токов, сопротивлении VP> излучения..

EB>> Я не могу сообразить как правильно смоделировать возбуждающий EB>> порт... Сейчас я делаю так:

EB>> +===========+ EB>> || || EB>> || || <--Antenna EB>> || || EB>> +==== =====+ EB>> || || EB>> || || EB>> || || EB> ||>>> || <--Port

EB>> И в свойствах порта пишу комплекный импеданс рассчитанный для EB>> центральной частоты. _">>>"_ - показывает направление EB>> поля Е. Все бы хорошо, но коэффициент отражения у меня очень EB>> часто оказывается гораздо больше 1... Т.е. по идее, если EB>> мимпеденс порта комплексый, то он может быть больше 1, но что это EB>> значит?? Радуюсь, что хоть отрицательным не был. :)

VP> Отражения, или КСВ, который для линии с потерями (Um отраж < Um пад) >> 1 по определению: падающаа+отраженная/падающюю. угу. я там смайл поставил. если было меньше нуля - я пошел бы в Ansoft кляузу писать. :) токо КСВ немножко не так рассчитывается: КСВH=(падающаа+отраженная)/(падающая-отраженная).

Hо, что значит у меня коэффициент отражения 6, я не знаю... ;))

EB>> Ещё я не очень понимаю как моделировать такое возбуждение, если EB>> симулятор умеет присваивать порту _только_ активное сопротивление EB>> (CST MWS). Я пользуюсь Ansoft HFSS.

VP> Ввести реактивности с сосредоточеными параметрами, не? Во, это интересно. :) Да, я могу, конечно, такое сделать - включить последовательно с портом R+C, но _какие_ тогда должны быть параметры порта?? Тут есть черный ящик со своими парамертами и голая цепь, которую мне надо исследовать. Если я включу в неё внешнюю нагрузку, то это будет уже другая цепь...

EB>> Собсно я думал, что было бы более правильней возбуждать EB>> источником тока,

VP> Эквивалентные преобразования (замену источников тока/напряжения) VP> активных двухполюсников, никто не отменял, другое дело как их вводить VP> в тех или иных пакетах. Ага, тут бы просто поставить источник тока и поледовательно на него прицепить Z, так фиг КСВ померяешь... :)

EB>> но как тогда посмотреть S-параметры... Рад буду любой мыслЕ. EB>> Пока самое интересное, что мне сказать - это взять Agilent EB>> ADS2004. ;-)

VP> Мозги в микроволновку лет 20 не совал :)) :) давненько... Пока тяну ADS, вроде в нем таки ТАКОЕ моделировали... :)

PS Хуже всего, что чуствую тут объяснений на 5 минут, кто бы рассказал... ;)

Eugene.

... Hе грусти,медитиламинотрифосфодиметилфенилпироизонафтола отглотни!

Привет Eugene!

EB>>> Hу если вдруг не все забыл... :) EB>>> Я делаю микрополосковую антенну подключенную к микросхеме, её EB>>> выходное сопротивление складывается из сопротивления резистора и EB>>> емкости(R и С я знаю). Мне надо знать КСВ VP>> определяется степенью согласования Zвых генератора и его комплексной VP>> нагрузки, и х-ет соотношение амплитуд стоячей/бегущей волны в ДЛ. VP>> Экспериментально может быть определен как Umax/Umin в пучностях/узлах. EB> :) Это ты учебник цитируешь? ;-) Физику процессов - поимая ее заглядывать в буквари не приходится ;)

EB>>> и диаграмму направленности. VP>> пущай железина "думает" о суперпозиции токов, сопротивлении VP>> излучения..

EB>>> Я не могу сообразить как правильно смоделировать возбуждающий EB>>> порт... Сейчас я делаю так:

EB>>> +===========+ EB>>> || || EB>>> || || <--Antenna EB>>> || || EB>>> +==== =====+ EB>>> || || EB>>> || || EB>>> || || EB>> ||>>> || <--Port

EB>>> И в свойствах порта пишу комплекный импеданс рассчитанный для EB>>> центральной частоты. _">>>"_ - показывает направление EB>>> поля Е. Все бы хорошо, но коэффициент отражения у меня очень EB>>> часто оказывается гораздо больше 1... Т.е. по идее, если EB>>> мимпеденс порта комплексый, то он может быть больше 1, но что это EB>>> значит?? Радуюсь, что хоть отрицательным не был. :) VP>> Отражения, или КСВ, который для линии с потерями (Um отраж < Um пад) >>> 1 по определению: падающаа+отраженная/падающюю.

EB> угу. я там смайл поставил. если было меньше нуля - я пошел бы в Ansoft EB> кляузу писать. :) EB> токо КСВ немножко не так рассчитывается: EB> КСВH=(падающаа+отраженная)/(падающая-отраженная). угу.

EB> Hо, что значит у меня коэффициент отражения 6, я не знаю... ;))

А че хелп/мануал кажет? отменили законы сохранения? :)) Имхо, все-таже КСВ - >>1 легко при плохом согласовании.

EB>>> Ещё я не очень понимаю как моделировать такое возбуждение, если EB>>> симулятор умеет присваивать порту _только_ активное сопротивление EB>>> (CST MWS). Я пользуюсь Ansoft HFSS. VP>> Ввести реактивности с сосредоточеными параметрами, не? EB> Во, это интересно. :) EB> Да, я могу, конечно, такое сделать - включить последовательно с портом EB> R+C, но _какие_ тогда должны быть параметры порта??

EB> Тут есть черный ящик со своими парамертами и голая цепь, которую мне надо EB> исследовать. Если я включу в неё внешнюю нагрузку, то это будет уже другая EB> цепь...

EB> 100Ом-ный порт не равен 50Ом-ный порт + последовательно 50Ом! :)

Тебе их равенство, или _качественную_ адекватность модели физическим реалиям? В первом приближенни выход источника может и можно рассматривать чисто активным, но сдвиги фаз и тп прелести, способные исказить ДH определенных типов антен никто не отменял.

EB>>> Собсно я думал, что было бы более правильней возбуждать EB>>> источником тока, VP>> Эквивалентные преобразования (замену источников тока/напряжения) VP>> активных двухполюсников, никто не отменял, другое дело как их вводить VP>> в тех или иных пакетах. EB> Ага, тут бы просто поставить источник тока и поледовательно на него EB> прицепить Z, так фиг КСВ померяешь... :) Оно такое примитивное, что нельзя самопальный "КСВ-метр" прицепить? :)

EB>>> но как тогда посмотреть S-параметры... Рад буду любой мыслЕ. EB>>> Пока самое интересное, что мне сказать - это взять Agilent ADS2004. ;-) VP>> Мозги в микроволновку лет 20 не совал :)) EB> :) давненько... Вообще, 15, но "женские романсы не пою" :)

EB> Пока тяну ADS, вроде в нем таки ТАКОЕ моделировали... :)

EB> PS Хуже всего, что чуствую тут объяснений на 5 минут, кто бы EB> рассказал... ;)

Vitaly Polikarpov, vitvp[эt]mail.ru