Witam. Mam bramke NAND serii std. TTL. schemat wyglada tak:
-oba wejscia zwarte, podlaczone do masy, wyjscie nieobciazone ( w powietrzu ). Pytanie: jak policzyc prad splywajacy do masy z wejsc bramki, korzystajac z tranzystorowego schematu takiej bramki, gdzie na wejsciu znajduje sie bipolarny tranzystor wieloemiterowy ( tu 2 emiterowy.. ).
- To samo co w pkt. 1, ale dla bramki z 3 wejsciami tak samo zwartymi i podlaczonymi do masy.
Czy bedzie jakas roznica w wielkosci pradow w tych 2 przypadkach ? Mam z tym zgryz, a bardzo chcialbym wiedziec jak to naprawde z tym jest.
Z gory dziekuje.