domanda sul transistor FET

In realtà il generatore esterno è un generatore di tensione: la corrente che ne consegue è funzione della resistenza di canale quando il dispostivo è in zona ohmica ovvero quando il canale non ha ancora raggiunto la condizione di pinch-off. In queste condizioni variando il potenziale di gate vari la sezione del canale cioè la sua resistenza e di conseguenza la corrente Ids. Se però ora supponi di aumentare la Vds il canale nella zona vicino al Drain si stringe (perchè aumenta la tensione inversa della giunzione Gate-Canale) e ad un certo punto raggiunge la condizione di pinch-off. A questo punto la corrente tende a rimanere costante indipendentemente dalla tensione applicata tra D e S: in questa zona di lavoro la corrente è imposta dal dispositivo stesso ed è funzione diretta del potenziale di Gate.

Nei transistor ad effetto di campo la conduzione è dovuta soltanto ai portatori minoritari. Se il canale è N la conduzione è dovuta agli elettroni, se è P alle lacune. Non sono sicuro di aver capito la domanda... Zio!

"eltape" wrote in news: snipped-for-privacy@o13g2000cwo.googlegroups.com:

Più che gli estremi, è tutta la "barretta" ad essere drogata di tipo N o di tipo P.

E allora? Anche se prendi un filo di rame hai una "marea" di elettroni liberi che vengono respinti dal negativo e richiamati dal positivo della batteria.

Non far confusione sulle cariche, quello che hai è un materiale comunque conduttore, dove i portatori (maggioritari) sono gli elettroni (tipo N) che quindi si muovono in un senso, o le lacune (tipo P) che si muovono in senso opposto. Ma poichè il senso convenzionale della corrente è quello (per motivi storici) della carica positiva, in entrambi i casi hai una corrente che scorre dal polo a potenziale più alto verso quello a potenziale inferiore.

AleX

intanto se ci riferisce ad il convenzionale senso della corrente (spostamento delle cariche positive) la corrente all'interno di un FET (sia che sia un J-FET o un MOS-FET anche se poi hanno un comportamento leggermente diverso) va da il drain verso il source! Descrivendolo in modo brutale, la corrente di drain dipende dalla Vgs e dalla Vds.La prima è quella che fa sì che si crei il canale, la seconda ne regola il passaggio! se ti serve qualche info più dettagliata nn ci sono problemi chiedi pure!

"eltape" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@o13g2000cwo.googlegroups.com... il transistor FET può essere pensato come un canale in cui scorre la corrente imposta dal generatore esterno (entra nel source ed esce nel drain). Tramite il gate è come se agissi su una saracinesca in modo da ostruire o rendere possibile il passaggio della corrente. Tuttavia il mio dubbio è il seguente: se gli estremi del transistor sono drogati o entrambi di tipo n o entrambi di tipo p, uno dei due sarà per forza collegato ad un polo della batteria con polarità opposta, poiché la batteria ha un + e un -. Come è possibile che scorra corrente allora? Non dovrebbero esserci delle repulsioni tra cariche nel transistor e batteria esterna?

Lapsus keyboardi: maggioritari :-)