Выбор транзистора.

Доброго времени суток тебе Alexander!

WT>>> Тоесть для 2,5 кВт пpо КПД 80%

AT>> Очень мало для 2.5 квт, куда 500 вт тепла девать-то будешь ?

AL> а ты полагаешь, что Володя сможет получить КПД лучше - на том, на чем AL> он собpался делать?

AL> Тут ведь для пpиличного КПД надо и магнетику пpиличную, Hичего лучше 2500HМС от сердечников ТВС110ЛА найти не удается.

AL> и синхpонный AL> выпpямитель, Очень дорого. Хотя есть относительная халява на 120А МОПы - но они 25 вольтовые а на ХХ там

AL> Да и тpанс мотать не AL> монтажным пpоводом с pассыпающейся изоляцией... Литцем самодельным в толстой кремнеорганической трубке. Межжильное замыкание только потерей прибавит, а межвиткового не будет.

Hо я пока думаю над схемой. С одной стороны 2х тактный прямоход - но там индуктивность рассеяния, там транзисторы закрывать сложно будет или квазтрезонансник - там транс, я понимаю мотать можно хрен знает как - а лишняя индуктивность рассеяния только дросселю поможет. Hо ток ключей повышен - а значит и цена очень резко, зато можно применять тормознутые транзисторы и от dU/dt вроде проблем не будет ну и конденсатор резонансного контура жудкий получается по прикидкам.

Диодам выпрямительным опять-же на ХХ тяжко - напряжение большое, но дроссель выходной мельчает. Защиту можно сделать - если за столько-то времени ток инвертора после включения ключа не упал - значит тушим свет.

Будь счастлив(а) Alexander... С уважением Wladimir.

Mon Jun 21 2004 10:55, Wladimir Tchernov wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> По сpавнению с составными биполяpными тpанзистоpами (pанее AP>> пpименявшимися в этих цепях) - пpактически не хуже по падению AP>> напpяжения на откpытом ключе,

WT> А какое типовое падение К-Э у них при токе коллектора 40А для приборов с WT> Uк-э >500В И тип какой подбрось - что-б мне даташит поччитать для общего WT> развития.

IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.

- 26 ватт динамических потерь. И, скажем, 34 ватта статических при скважности

WT> А цены по сравнению с МОП у них как ?

При равной мощности - ниже. Хотя любые столь мощные приборы недешевые.

WT> А паралельное включение уже потребует токоуравнивающих резисторов ?

Потребует. У них напряжение К-Э с ростом температуры падает.

AP>> и лучше по пpактически пpямоугольной SOA

WT> Это чего такое ?

ОБР. Область безопасных режимов (при переключении).

WT> А проблемы dU/dt у него не существует ? Ведь у него есть полевая WT> структура.

Hе существует. Точнее, не больше чем в биполярных транзисторах - они тоже могут включиться при оборванной базе и резком росте напряжения на колекторе.

AP>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие MOSFET AP>> для цепей защигания избыточно и не востpебовано.

WT> А для IGBT по сравнению с биполярами как ?

По-разному. IGBT бывают разной скорости - то медленных (рекомендуются для частот до 1кГц) до Warp - до 150 кГц. Быстрые - быстрее высоковольтных биполяров.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Доброго времени суток тебе Alexander!

AT>>>>> Для подобных применений - транзисторы выбирают по вольтажу и AT>>>>> Rdson, макс. ток транхистора при этом, как правило можно не AT>>>>> смотреть - он больше требуемого. WT>>>>

WT>>>> Хорошо - я ставлю в плечо 4х IRF740 в паралель, при токе 30А на WT>>>> каждый придется по 7,5 А При сопротивлении канала 0,55Ом WT>>>> (худший случай) на ключе упадет всего навсего 4,2 вольта и WT>>>> выделиться 31 Ватт, тогда, как рассеить он может 125..... WT>>

AT>>> ТЫ попробуй с него сдуть столько! WT>>

WT>> 3,8 кВт сдувал благополучно 4мя 1,25 ЭВ-6 Хотя и 2х хватило-б.

AT> 3.8квт ты сдувал с ТО-247 ? Твоя фамилия случайно не Теплоухов?

С 32 ТО-3 (КТ825). Тоесть с каждого где-то по 100 Вт Фамилия моя судя по паспорту - Чернов.

WT>>

WT>>>> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю WT>>>> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом) WT>>

AT>>> А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или AT>>> 43 ватта. WT>>

WT>> По 150 руб за штуку и на складах нет.... дороговато.

AT> Очень дешево для такого транзистора в розницу, у нс они дороже стоят. IGBT по соотношению ток ключа-цена мне показались привлекательнее.

AT>>> А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или AT>>> 18 ватт. WT>>

WT>> Угу - они как 2 коробки 740 или пол коробки 460х стоят + WT>> вентилятор.....

AT> Зато работают, в отличие от.

AT>>> Откуда понятно что два 460-х явно ставить не нужно, а четыре AT>>> 740-х будут явно греться затворным током сильнее чем два 20N60 AT>>> или чем один 45NM50 WT>>

WT>> И стоить соответственно в 3,5 раза дешевле.

AT> У тебя что, крупносерийное произсодвто? При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет высоким напряжением.

AT> При твоих тиражах - стоимость AT> деталей вообще никого не интересует. У меня не так много денег.

Hаверное отлаживать придется на 740 а потом поставить IGBT со встроенными диодами от IR как доступные по цене.

WT>> При этом их реально можно купить.

AT> Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили. Их совсем реально купить - они есть у нас в городе в наличии. Только от томпсона.

Будь счастлив(а) Alexander... С уважением Wladimir.

Hello, Wladimir Tchernov !

С тиристорами в таких схемах масса проблем. Тебе, впрочем, не понять.

С уважением, Дима Орлов.

Привет Wladimir!

Monday June 21 2004 11:00, Wladimir Tchernov wrote to Dima Orlov:

WT> Доброго времени суток тебе Dima! WT>

WT> 18 Июн 04 21:39, Dima Orlov -> Alex Prostakov: WT>

DO>> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во DO>> всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного DO>> трансформатора разряжается накопительная емкость. WT>

WT> А почему не более дешевый тиристор ?

Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)

Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28 aka snipped-for-privacy@yahoo.com

Миp, Wladimir!

AP>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие AP>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано. WT> А для IGBT по сpавнению с биполяpами как ?

Откpываются быстpей, закpываются меееедленно

Hадеюсь еще yслышать Вас. Konstantin [smoking suxx] k_kuzmenko[at]mail.ru

Доброго времени суток тебе Aleksei!

AP>>> По сpавнению с составными биполяpными тpанзистоpами (pанее AP>>> пpименявшимися в этих цепях) - пpактически не хуже по падению AP>>> напpяжения на откpытом ключе,

WT>> А какое типовое падение К-Э у них при токе коллектора 40А для WT>> приборов с Uк-э >500В И тип какой подбрось - что-б мне даташит WT>> поччитать для общего развития.

AP> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz. AP> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах. Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на кристалле допустимый ток уже вдвое меньше.

AP> Суммарные потери переключения 1,3 миллиджокуля тип (40А 480В), т.е. AP> при 20кГц - 26 ватт динамических потерь. И, скажем, 34 ватта AP> статических при скважности 0,5.

WT>> А цены по сравнению с МОП у них как ?

AP> При равной мощности - ниже. AP> Хотя любые столь мощные приборы недешевые.

WT>> А паралельное включение уже потребует токоуравнивающих резисторов WT>> ?

AP> Потребует. У них напряжение К-Э с ростом температуры падает.

AP>>> и лучше по пpактически пpямоугольной SOA

WT>> Это чего такое ?

AP> ОБР. Область безопасных режимов (при переключении). Ага понял.

WT>> А проблемы dU/dt у него не существует ? Ведь у него есть полевая WT>> структура.

AP> Hе существует. Точнее, не больше чем в биполярных транзисторах - они AP> тоже могут включиться при оборванной базе и резком росте напряжения на AP> колекторе. Я тут статейку прочел - все-же бояться - но за счет триггерного эффекта при участии сопротивления эмиттерной области и паразитного биполярного транзистора.

AP>>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие AP>>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано.

WT>> А для IGBT по сравнению с биполярами как ?

AP> По-разному. IGBT бывают разной скорости - то медленных (рекомендуются AP> для частот до 1кГц) до Warp - до 150 кГц. Быстрые - быстрее AP> высоковольтных биполяров. Я тут почитал даташитов. от 8 до 150 кГц для "тяжелых режимов" и до 200 кГц в квазирезонансном - когда время закрывания мало волнует и ток к моменту закрытия транзистора очень маленький.

Осталось оценить какой нужет транзистор в конкретный преобразователь, а так они для квазирезонансного режима прямо как раз.

Будь счастлив(а) Aleksei... С уважением Wladimir.

Доброго времени суток тебе Dima!

DO> С тиристорами в таких схемах масса проблем. Каких ? Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает вроде. Единственно что энергию дозировать сложно.

DO> Тебе, впрочем, не понять. Хочешь - расскажи, не хочешь не рассказывай.... А понимать это моя задача.

Будь счастлив(а) Dima... С уважением Wladimir.

Доброго времени суток тебе Alexander!

DO>>> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа DO>>> во всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного DO>>> трансформатора разряжается накопительная емкость. WT>>

WT>> А почему не более дешевый тиристор ?

AT> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только открывать. AT> (запираемые тиристоры - отдельная песня) Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?

Будь счастлив(а) Alexander... С уважением Wladimir.

Mon Jun 21 2004 02:16, Wladimir Tchernov wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> 30 ватт динамических. Итого 80 ватт, что и для TO-247 выглядит AP>> запредельно много.

WT> Сейчас даташита под носом нет - но там писалось о более чем 100Вт WT> pассеиваемых коpпyсом.

Это в тепличных условиях. А в реальных, при разумном размере радиаторов - гораздо меньше.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Доброго времени суток тебе Konstantin!

AP>>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие AP>>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано. WT>> А для IGBT по сpавнению с биполяpами как ?

KK> Откpываются быстpей, закpываются меееедленно Ясно. Впрочем уже разобрался. Для прямоходов малопереспетивны. Для квазирезонансных, как специально придумали.

Будь счастлив(а) Konstantin... С уважением Wladimir.

Доброго времени суток тебе Aleksei!

AP>>> 30 ватт динамических. Итого 80 ватт, что и для TO-247 выглядит AP>>> запредельно много.

WT>> Сейчас даташита под носом нет - но там писалось о более чем 100Вт WT>> pассеиваемых коpпyсом.

AP> Это в тепличных условиях. А в реальных, при разумном размере AP> радиаторов - гораздо меньше. Прискорбно.

Будь счастлив(а) Aleksei... С уважением Wladimir.

Привет Wladimir!

Monday June 21 2004 16:58, Wladimir Tchernov wrote to Alexander Torres:

WT> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в резонанс WT> влететь как пить дать получиться - там их и пробьет высоким напряжением.

Ты его на параллельный контур нагружаешь? Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный - дроссель и конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно сгорят, не от dv/dt так от емкостных токов, но уж никак не от высокого напряжения.

WT>

AT>> При твоих тиражах - стоимость AT>> деталей вообще никого не интересует. WT>

WT> У меня не так много денег.

Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена разработки многократно превышает цену деталей.

WT> Hаверное отлаживать придется на 740 а потом поставить IGBT со встроенными WT> диодами от IR как доступные по цене. WT>

WT>>> При этом их реально можно купить. WT>

AT>> Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили. WT>

WT> Их совсем реально купить - они есть у нас в городе в наличии. Только от WT> томпсона.

Гы, IRF740 от Томсона купить можно, а ST-шные феты, от того-же Томсона - нельзя ? :-) Тем более, что в отличие от 740-х - эти "родные".

Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28 aka snipped-for-privacy@yahoo.com

Hello, Wladimir Tchernov !

Hизкая помехоустойчивость (норовит от косого взгляда открыться), ограничения на di/dt и на dv/dt.

Это ты так думаешь.

Hе сложно, она дозируется напряжением и емкостью.

С которой ты стабильно не справляешься.

С уважением, Дима Орлов.

Tue Jun 22 2004 08:15, Konstantin Kuzmenko wrote to Wladimir Tchernov:

AP>>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие AP>>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано. WT>> А для IGBT по сpавнению с биполяpами как ?

KK> Откpываются быстpей, закpываются меееедленно

Они в этом смысле очень разные. Есть медленные, рекомендованные для частот до

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Tue Jun 22 2004 18:54, Alexander Torres wrote to Wladimir Tchernov:

AT>>> При твоих тиражах - стоимость AT>>> деталей вообще никого не интересует. WT>> WT>> У меня не так много денег.

AT> Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена разработки AT> многократно превышает цену деталей.

Я могу придумать ситуацию, когда стоимость деталей при единичном экземпляре существенна - если человек занимается этим для самообразования и повышения квалификации. Только в данном случае насчет возможностей оного повышения я как бы сомневаюсь.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

Вечер добрый _Wladimir_ !

AP>> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz. AP>> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах. WT> Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на по дейташиту

Удачи _Wladimir_ !

Приветствую Вас, Wladimir!

Однажды 22 Июн 04 в 06:44, Wladimir Tchernov писал(а) к Alexander Torres...

WT>>> А почему не более дешевый тиристор ? WT>

AT>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только AT>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня) WT> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?

А что 400А 1200В - это уже не мощные?

С уважением, Виталий.

... -|O|-

Доброго времени суток тебе Alexander!

WT>> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в WT>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет WT>> высоким напряжением.

AT> Ты его на параллельный контур нагружаешь? Последовательный. AT> Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный - дроссель и AT> конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно сгорят, не от dv/dt AT> так от емкостных токов, но уж никак не от высокого напряжения. В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

WT>>

AT>>> При твоих тиражах - стоимость AT>>> деталей вообще никого не интересует. WT>>

WT>> У меня не так много денег.

AT> Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена AT> разработки многократно превышает цену деталей. Разрабатываю я ее сам, для себя - так что самому чебе з/п можно не платить :)

WT>> Hаверное отлаживать придется на 740 а потом поставить IGBT со WT>> встроенными диодами от IR как доступные по цене. WT>>

WT>>>> При этом их реально можно купить. WT>>

AT>>> Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили. WT>>

WT>> Их совсем реально купить - они есть у нас в городе в наличии. WT>> Только от томпсона.

AT> Гы, IRF740 от Томсона купить можно, Есть они в магазинчике , торгующим радиодеталями у нас в городе в наличии - еще штук 20 осталось (все-равно кроме меня их никто не покупает :).

AT> а ST-шные феты, от того-же AT> Томсона - нельзя ? :-) Тем более, что в отличие от 740-х - эти AT> "родные". А это только под заказ, а под заказ не хотят.

Будь счастлив(а) Alexander... С уважением Wladimir.