Hello, All!
Читаю тут Хих и встретил такую странну фразу. Цитата: N-канальный МОП-транзистор, с которого мы начали эту главу, не проводил ток при нулевом (или отрицательном) смещении затвора и начинал проводить, когда затвор становится положительно смещен относительно истока. Этот тип ПТ известен как ПТ _обогащенного_ типа. Имеется и другая возможность изготовления n-канального ПТ, когда полупроводник канала _"легирован"_ так, что даже при нулевом смещении затвора имеется значительная проводимость канала.... Такой ПТ известен как прибор _обедненного_ типа.
При этом смотрю на слайды из Fundamentals of power electronics и вижу там на стр. 34 надпись depletion region.
Да и в дргуих книгах структуры, соответствующие устройству MOSFET'ов называются "обеденный канал". Это что опечатка, что странно т.к. и дальше по тексту так идет, или там имелось ввиду что-то другое?
Best regards и все такое... Sergey. [Death/Black/Power Metal]