¿Alguien de por aquí se dedica profesionalmente al diseño de circuitos de audio y conoce cifras o datos sobre ruido en los transistores GaAs FET y/o HJ-FET de radiofrecuencia?
Estoy viendo las graficas del transitor NE35200:
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y la verdad es que me parecen asombrosamente lineales. Tiene una transconductancia de unos 40-60 milisiemens. Podría servir para la primera etapa de un amplificador que "mueva" un par de bipolares de potencia, o incluso para un pequeño amplificador de auriculares de un solo transistor.
La unica pega es su bajo voltaje Vds y que son carísimos (15 euros en mouser). Existe uno un poco menos lineal y mas barato (NE325S01) que cuesta 5 euros.
Si. Segun el datasheet me parece que solo aguantan 4 voltios.
La transconductancia es la relaccion entre corriente de salida y tension de entrada. Se emplea en las valvulas de vacio y los FET/MOSFET. Donde el transistor se controla mediante una tension de entrada, que produce variaciones en la corriente de salida.
La transconductancia se mide en milisiemens ó en milimohs (ohm al revés). Tambien se le suele llamar conductancia mutua. Se usa el simbolo "Gm". Si tiene 60 milisiemens indica que una variacion de 1 voltio en la entrada produce un cambio de 60 miliamperios en la corriente de salida.
La primera grafica de la pagina 3 del datasheet del NE32500 te muestra esto. Fijando la puerta a 0'2 V, y con una variacion en la puerta de
400 milivoltios (para una tension Vds de 2 voltios) puedes controlar 40 miliamperios con una linealidad asombrosa. Podría servir para mover unos auriculares o para mover un par de 2n3055 con muy pocos transistores.
Es muy dificil encontrar FET/Mosfet de media potencia. Los que se suele haber o son FET de baja señal (1-10 miliamperios), o son MOSFET de gran potencia. Pero no hay mucho donde elegir en media potencia. Salvo alguna excepcion, como los 2SK213/4/5/6, pero ya estan descatalogados.
Peor es digikey. Si no llegas a 50 euros te cobran un recargo.
Mouser por lo menos no tienen un mínimo. Y el catalogo es tan amplio como el de digikey. Si estas buscando cosas raras las pides de golpe y a lo mejor compensa.
Por cierto, he encontrado otros modelos mas baratos:
De todos modos no tengo claro como puedo solventar lo de la tension tan baja drenador-fuente. Pero para el que quiera un transistor de radiofrecuencia bueno, bonito, y barato a lo mejor le sirve.
Lo que me sorprende es que todos los que he visto, incluso el bipolar, tienen una tension de trabajo muy baja como comentas. Osease que algo para dar potencia mas bien creo que no funcionaria muy bien :P. Como dices tendria su funcion para atacar a otro transistor, o para trabajar con receptores de RF?, porque lo que es como etapa de salida no tiene mucho sentido...
Un transistor con una tensión máxima baja entre drenador-surtidor, o entre colector-emisor, tiene poco margen dinámico a su salida, pero puede ser capaz de manejar grandes corrientes y ser adecuado para tareas de potencia. Sobre una carga de 1 ohm, se pueden disipar 4W con sólo 4V...
No obstante, lo que se busca en un transistor de pequeña señal como el que señala RF, es un bajo factor de ruido. Un transistor con bajo factor de ruido, es muy adecuado para ser utilizado como front-end o primera etapa en una cadena de amplificadores, porque lo que interesa es que la primera etapa tenga el menor factor de ruido de todas y la mayor ganancia posible.
El que tenga un margen dinámico pequeño, podría pensarse que limita la ganancia de la etapa, pero esto no es así en general. Por ejemplo, en un amplificador de audio (etapa de potencia) típica de 3 etapas, no sería aconsejable el uso de un transistor con tan poco margen dinámico:
Supongamos que la señal de entrada es (típicamente) de 0.5Vp. Si se requieren 100Vp en la salida para dar unos 600W sobre una carga de 8 ohm, el amplificador tiene que ganar: Gv = 100Vp/0.5Vp = 200 V/V.
La distribución de ganancias, podría hacerse así:
- Gv1 = 20 (primera etapa)
- Gv2 = 10 (segunda etapa)
- Gv3 = 1 (tercera etapa)
Esto quiere decir que el margen dinámico de la primera etapa debería ser, como mínimo: 0.5Vp*20 = 10 Vp -> 20Vpp --> No vale cualquier transistor de pequeña señal.
La segunda etapa es aún más restrictiva: 10Vp*10 = 100Vp -> 200Vpp!! de margen dinámico...
Saludos Jorge
"RooT" escribió en el mensaje news:d7s2li$og6$ snipped-for-privacy@news.ya.com...
Lo primero, cada dia me gustan mas tus explicaciones :D
Lo segundo, con referencia a esto:
"Un transistor con una tensión máxima baja entre drenador-surtidor, o entre colector-emisor, tiene poco margen dinámico a su salida, pero puede ser capaz de manejar grandes corrientes y ser adecuado para tareas de potencia. Sobre una carga de 1 ohm, se pueden disipar 4W con sólo 4V..."
Pero si por construccion el transistor maneja pequeñas corrientes no sera adecuado para tareas de potencia, no?
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Saludos.
Disculpa la explicación anterior, porque está un poco enrevesada... :P (es que entre exámenes y esto, mi mente no da abasto).
Exacto. Todo depende de la máxima corriente que pueda soportar el dispositivo. En un FET, el límite lo impone la corriente de saturación IDSS. En un BJT (bipolar), el límite lo impone la máxima corriente de colector soportada.
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