Hola:
Estoy un poco confundido con el c=E1lculo de dicho condensador para un driver. Ya que he leido que se suele tomar, como regla pr=E1ctica, diez veces el valor de la capacidad de puerta del Mosfet.
Pero cogiendo la expresi=F3n teorica: Cbs=3D[Qg+Qrr+(Idr+Iqbs)/frec_pwm]/(Vbs1-Vbs2)
- IDR =3D 10 =B5A --> [Corriente inversa de p=E9rdidas del diodo bootstrap]
- IQBS =3D 50 =B5A -->[Corriente de polarizaci=F3n de driver que excita al transistor de la parte alta del puente]
- QRR =3D 20 nC -->[Carga de recuperaci=F3n en inversa del diodo bootstrap]
- QG =3D 160 nC -->[Carga transferida a la carga en el paso de corte a conducci=F3n]
- frec_PWM =3D 15 kHz
- VBS1 - VBS2 =3D 0.5 V --> [Tensi=F3n de refresco]
Me sale un valor de Cbs=3D0,36 uF. Pero deber=EDa andar con la regla de 10 veces m=E1s que la de la puerta del orden de 3,6 uF.
=BFAlguna ayudita?
Gracias
IgOr