Hallo,
Thema: Unity-gain amlifier, Sourcefolger ...
Beim Bootstrapping wird der Bootstrap-Widerstand bei richtiger Dimensionierung gemaess R_b'=R_b/(A-1) hochtransformiert. Dieser Widerstand liegt zwischen dem Spannungsteiler und dem Gate. Das fuehrt zu einer Erhoehung des Eingangswiderstandes der Schaltung (Eingangsspannungsteiler).-
Jetzt versuche ich mir klarzumachen welchen Einfluss das Bootstrapping auf die Eingangskapazitaet des FET des Sourcefolgers hat.-
Die Fachliteratur (Halbleiterschaltungstechnik - Tietze/Schenk u. The Art of Electronics - Horowitz/Hill und Andere) aussern sich dazu leider nicht.
Hat sich schon jemand hier damit beschaeftigt und eine Antwort gefunden?
Danke im Voraus.
Leo Baumann